技术特征：
1.一种功率器件封装结构，其包括：引线框架，包括处于同一平面上的第一导电基岛和围绕在所述第一导电基岛周围的多个引脚，且所述引线框架包括相对的第一表面和第二表面；第一功率芯片，包括在其下表面的第一电极以及在其上表面的第二电极，所述第一电极接合于所述导电基岛的第一表面上；第一电连接件，一端电接合于所述第二电极，另一端电接合于所述多个引脚中的一个；密封层，密封所述引线框架、第一功率芯片和电连接件，且所述引线框架的第二表面与所述密封层的下表面齐平；其特征在于，所述第一电连接件包括依次连接的端子部、连接部和焊接部，所述焊接部包括第一凹槽，所述第一凹槽为方形结构且具有一底壁；所述焊接部还包括一位于所述底壁下方的第二凹槽，所述第一凹槽与第二凹槽至少通过所述底壁边缘的贯通结构连通；所述第二凹槽内设置有第一焊料，所述第一电连接件通过所述第一焊料电连接于所述第二电极。2.根据权利要求1所述的功率器件封装结构，其特征在于，所述第一凹槽内包括残留焊料，所述残留焊料与所述第一焊料为一体结构。3.根据权利要求2所述的功率器件封装结构，其特征在于，所述第一凹槽的孔径从上至下逐渐减小。4.根据权利要求3所述的功率器件封装结构，其特征在于，所述引线框架还包括第二导电基岛；还包括位于所述第二导电基岛上的第二功率芯片以及电连接于所述第一功率芯片和所述第二功率芯片之间的第二电连接件，其中，所述第二电连接件的一端直接焊接于所述第一电互连件的焊接部上。5.根据权利要求4所述的功率器件封装结构，其特征在于，所述第二电连接件的所述一端包括一突起部，所述突起部与所述第一凹槽的形状相匹配，且所述突起部嵌入于所述第一凹槽中，并通过所述残留焊料进行直接焊接接合。6.一种功率器件封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、提供引线框架，所述引线框架包括处于同一平面上的第一导电基岛和围绕在所述第一导电基岛周围的多个引脚，且所述引线框架包括相对的第一表面和第二表面；s2、提供第一功率芯片，所述第一功率芯片包括在其下表面的第一电极以及在其上表面的第二电极，将所述第一电极接合于所述第一导电基岛的第一表面上；s3、提供第一电连接件，所述第一电连接件包括依次连接的端子部、连接部和焊接部，所述焊接部包括第一凹槽，所述第一凹槽为方形结构且具有一底壁；所述焊接部还包括一位于所述底壁下方的第二凹槽，所述第一凹槽与第二凹槽至少通过所述底壁边缘的贯通结构连通；并将所述焊接部压合于所述第二电极上，其中，所述第二凹槽对准所述第二电极；s4、在所述第一凹槽内设置焊料片，并热压，使得所述焊料片熔融形成第一焊料进入所述第二凹槽内，以实现所述第一电连接件与所述第二电极的接合；s5、形成密封层，所述密封层密封所述引线框架、第一功率芯片和第一电连接件，且所述引线框架的第二表面与所述密封层的下表面齐平。7.根据权利要求6所述的功率器件封装结构的制备方法，其特征在于，在s4中，所述热压包括利用压块按压所述焊料片，并加热使得所述焊料片熔融，进一步的使得熔融的焊料
通过所述贯通结构填充所述第二凹槽内，实现所述第一电连接件与所述第二电极的焊接接合。8.根据权利要求7所述的功率器件封装结构的制备方法，其特征在于，所述电连接件通过冲压模具一次性冲压形成，得到的所述电连接件为一体成型结构。9.根据权利要求6所述的功率器件封装结构的制备方法，其特征在于，所述引线框架还包括第二导电基岛；还包括在所述第二导电基岛上接合第二功率芯片；以及利用第二电连接件电连接所述第一功率芯片和所述第二功率芯片，其中，所述第二电连接件的一端直接焊接于所述第一电互连件的焊接部上。10.根据权利要求9所述的功率器件封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽内包括残留焊料，所述残留焊料与所述第一焊料为一体结构；所述第二电连接件的所述一端包括一突起部，所述突起部与所述第一凹槽的形状相匹配，且所述突起部嵌入于所述第一凹槽中，并通过所述残留焊料进行直接焊接接合。
技术总结
本发明提供了一种功率器件封装结构及其制造方法。功率器件封装结构包括第一电连接件，该第一电连接件包括依次连接的端子部、连接部和焊接部，焊接部包括第一凹槽，第一凹槽为方形结构且具有一底壁；焊接部还包括一位于底壁下方的第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽至少通过底壁边缘的贯通结构连通；第二凹槽内设置有第一焊料，第一电连接件通过第一焊料电连接于第二电极。在使用时，在第一凹槽内容置焊料片，并在热压状态下使得焊料片熔化为焊料进入第二凹槽内，实现第一电连接件与芯片的上部电极的直接电连接件。极的直接电连接件。极的直接电连接件。
技术研发人员：陈国栋
受保护的技术使用者：山东中清智能科技股份有限公司
技术研发日：2022.05.23
技术公布日：2022/8/26