技术特征：
1.一种双沟道mosfet器件，包括至少一个元胞，其特征在于，所述元胞包括：漏区（1），其具有第二导电类型；第一漂移区（2），其位于所述漏区（1）的上方，具有第二导电类型；第二漂移区（3），其位于所述第一漂移区（2）的上方，具有第二导电类型；横向沟槽栅（4），其位于所述第二漂移区（3）中；所述横向沟槽栅（4）包括横向栅极（41）以及第一栅介质层（42）；体区（5），其位于所述第二漂移区（3）上方，具有第一导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型属于不同的半导体导电类型；源区（6），其位于所述体区（5）上，具有第二导电类型；竖向沟槽栅（7），其位于所述横向沟槽栅（4）的上方，所述竖向沟槽栅（7）穿通所述源区（6）以及体区（5），所述竖向沟槽栅（7）包括竖向栅极（71）以及第二栅介质层（72）；所述第二栅介质层（72）的底部与所述第二漂移区（3）接触，和/或，所述第二栅介质层（72）的底部与所述第一栅介质层（42）接触；其中，所述竖向栅极（71）连接第二栅电极，所述横向栅极（41）连接第一栅电极；源极电极（8），穿通所述源区（6）与部分所述体区（5），所述体区（5）和源区（6）分别与所述源极电极（8）电连接。2.如权利要求1所述的双沟道mosfet器件，其特征在于，所述横向沟槽栅（4）的厚度小于或等于所述第二漂移区（3）的厚度；和/或，所述第二漂移区（3）的掺杂浓度大于所述第一漂移区（2）的掺杂浓度。3.如权利要求1所述的双沟道mosfet器件，其特征在于，所述横向栅极（41）的宽度大于所述竖向栅极（71）的宽度，所述横向栅极（41）的一个侧面与所述竖向栅极（71）的同侧的侧面位于同一面上。4.如权利要求3所述的双沟道mosfet器件，其特征在于，所述第一栅介质层（42）的一个侧面与所述第二栅介质层（72）的同侧的侧面位于同一面上。5.如权利要求1所述的双沟道mosfet器件，其特征在于，所述第一栅介质层（42）与所述体区（5）接触，所述第二栅介质层（72）的底部与所述第一栅介质层（42）接触。6.如权利要求5所述的双沟道mosfet器件，其特征在于，所述第一栅介质层（42）与所述第一漂移区（2）接触，所述横向沟槽栅（4）的厚度等于所述第二漂移区（3）的厚度。7.一种双沟道mosfet器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底具有第二导电类型，用于在双沟道mosfet器件中作为漏区（1）；在所述衬底上形成第一漂移区（2），所述第一漂移区（2）具有第二导电类型；在所述第一漂移区（2）上形成横向沟槽栅（4）以及第二漂移区（3），其中，所述横向沟槽栅（4）位于所述第二漂移区（3）中；所述横向沟槽栅（4）包括横向栅极（41）以及第一栅介质层（42）；在所述第二漂移区（3）上形成体区（5），在所述体区（5）上形成源区（6），所述源区（6）具有第二导电类型，所述体区（5）具有第一导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型属于不同的半导体导电类型；形成穿通所述源区（6）以及体区（5）的竖向沟槽栅（7），所述竖向沟槽栅（7）包括竖向栅极（71）以及第二栅介质层（72）；所述第二栅介质层（72）的底部与所述第二漂移区（3）接触，
或所述第二栅介质层（72）的底部与所述第一栅介质层（42）接触；其中，所述竖向栅极（71）连接第二栅电极，所述横向栅极（41）连接第一栅电极；形成穿通所述源区（6）与部分所述体区（5）的源极电极（8），所述体区（5）和源区（6）分别与所述源极电极（8）电连接。8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述第一漂移区（2）上形成横向沟槽栅（4）以及第二漂移区（3），包括：在所述第一漂移区（2）上形成横向沟槽栅（4）；采用外延形成覆盖所述横向沟槽栅（4）以及所述第一漂移区（2）的第二导电类型的第二外延层；减薄所述第二外延层，以使得所述第二外延层的上表面与所述横向沟槽栅（4）的上面平齐，剩余的所述第二外延层构成所述第二漂移区（3）。9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成穿通所述源区（6）以及体区（5）的竖向沟槽栅（7），包括：对应所述横向沟槽栅（4）的侧面形成穿通所述源区（6）以及体区（5）的第一沟槽；在所述第一沟槽上形成第二栅介质层（72），所述第二栅介质层（72）与所述第一栅介质层（42）接触；在第二栅介质层（72）上沉积多晶硅形成竖向栅极（71），所述横向栅极（41）的一个侧面与所述竖向栅极（71）的同侧的侧面位于同一面上。10.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一漂移区（2）、第二漂移区（3）、体区（5）以及源区（6），均通过外延的方式形成。
技术总结
一种双沟道MOSFET器件及其制造方法，器件包括至少一个元胞，元胞包括：漏区、第一漂移区、第二漂移区、横向沟槽栅、体区、源区、竖向沟槽栅以及源极电极。第二漂移区位于第一漂移区的上方，横向沟槽栅位于第二漂移区中，横向沟槽栅包括横向栅极以及第一栅介质层；竖向沟槽栅包括竖向栅极以及第二栅介质层；第二栅介质层的底部与第二漂移区接触，或第二栅介质层的底部与第一栅介质层接触；其中，竖向栅极连接第二栅电极，横向栅极连接第一栅电极。通过分别设立竖向栅极和横向栅极，且将其分别引出不同的栅极电极，这样就可以形成横竖两种不同的导电沟道。通过给不同的栅极电极分别加电压，就可以有两种不同电压的阈值电压。就可以有两种不同电压的阈值电压。就可以有两种不同电压的阈值电压。
技术研发人员：赵浩宇 李伟聪 姜春亮 雷秀芳
受保护的技术使用者：深圳市威兆半导体有限公司
技术研发日：2022.06.07
技术公布日：2022/7/4