晶圆的减薄方法与流程

1.本技术涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种晶圆的减薄方法。


背景技术：

2.相关技术中，芯片叠层三维封装工艺包括晶圆的减薄工艺，晶圆的减薄工艺通常包括对晶圆的背面进行研磨减薄的过程及对晶圆背面进行刻蚀的过程，然而，传统的晶圆减薄工艺制得的晶圆在制作半导体器件时，会出现半导体器件的可靠性失效的情况。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对传统的晶圆减薄工艺制得的晶圆在制作半导体器件时会出现半导体器件的可靠性失效的情况的问题，提供一种晶圆的减薄方法。
4.为了实现上述目的，本发明提供了一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，所述减薄方法包括：
5.将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面；其中，所述耐酸性膜完全覆盖所述晶圆的所述正面；
6.对所述晶圆的所述背面进行研磨减薄，直至所述晶圆的厚度达到目标厚度；
7.利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理。
8.在其中一个实施例中，所述耐酸性膜包括层叠设置的耐酸性基层和粘接层；
9.所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面包括：
10.将所述耐酸性基层通过所述粘接层粘接于所述晶圆的所述正面。
11.在其中一个实施例中，所述耐酸性基层的材质包括聚烯烃共聚物。
12.在其中一个实施例中，所述耐酸性基层的厚度大于或等于90μm；和/或
13.所述粘接层的厚度大于或等于30μm。
14.在其中一个实施例中，所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面包括：
15.通过滚轮将所述耐酸性膜压贴于所述晶圆的所述正面。
16.在其中一个实施例中，所述耐酸性膜包括完全覆盖于所述晶圆的所述正面的第一部分，以及围绕于所述第一部分的第二部分；
17.所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面之后还包括：
18.加热切割刀头，并利用加热后的所述切割刀头对所述耐酸性膜进行切割，以将所述第二部分与所述第一部分切除分离。
19.在其中一个实施例中，所述利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理包括：
20.将所述晶圆浸入所述刻蚀液中静置第一预设时间，以对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理；
21.其中，所述刻蚀液包括氢氟酸、硫酸和硝酸。
22.在其中一个实施例中，所述第一预设时间小于或等于3分钟。
23.在其中一个实施例中，所述利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理之后还包括：
24.采用具有预设水温的纯水对所述晶圆进行清洗。
25.在其中一个实施例中，所述预设水温小于或等于50℃。
26.在其中一个实施例中，对所述晶圆进行清洗的清洗时间不超过6分钟。
27.在其中一个实施例中，所述刻蚀液包括具有氧化性的酸性溶液；所述采用具有预设水温的纯水对所述晶圆进行清洗之后还包括：
28.去除所述晶圆的背面的氧化膜层。
29.在其中一个实施例中，所述去除所述晶圆的背面的氧化膜层包括：
30.将所述晶圆浸入氢氟酸溶液中，静置第二预设时间，以去除所述晶圆的背面的氧化膜层；
31.其中，所述第二预设时间小于或等于3分钟。
32.在其中一个实施例中，所述去除所述晶圆的背面的氧化膜层之后还包括：
33.采用具有预设水温的纯水对所述晶圆进行至少一次清洗；
34.对所述晶圆进行干燥处理；
35.将所述耐酸性膜从所述晶圆上去除。
36.上述晶圆的减薄方法，由于耐酸性膜贴设且完全覆盖于晶圆的正面，因此耐酸性膜可对晶圆的正面形成一层保护层，避免在对背面进行平坦化处理的过程中刻蚀液渗透至晶圆的正面而腐蚀晶圆的正面，也能有效避免影响后续在晶圆的正面进行的蒸发、制作电极等加工工艺，也能避免因晶圆的正面被刻蚀液腐蚀而导致出现半导体器件失效的情况。
附图说明
37.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
38.图1示出了本技术第一实施例中的晶圆的减薄方法的流程示意图；
39.图2示出了本技术一实施例中的晶圆和耐酸性膜的结构示意图；
40.图3示出了本技术第二实施例中的晶圆的减薄方法的流程示意图；
41.图4示出了本技术一实施例中的晶圆、耐酸性膜和滚轮的结构示意图；
42.图5示出了本技术一实施例中的耐酸性膜完全覆盖于晶圆时的结构示意图；
43.图6示出了本技术另一实施例中的晶圆和耐酸性膜的结构示意图；
44.图7示出了图6的a处的放大示意图；
45.图8示出了本技术第三实施例中的晶圆的减薄方法的流程示意图；
46.图9示出了本技术第四实施例中的晶圆的减薄方法的流程示意图；
47.图10示出了本技术第五实施例中的晶圆的减薄方法的流程示意图。
48.附图标记说明：210、晶圆；211、正面；212、背面；220、耐酸性膜；221、耐酸性基层；222、粘接层；230、滚轮；2201、第一部分；2202、第二部分。
具体实施方式
49.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本技术的公开内容更加透彻全面。
50.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
51.应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分；举例来说，可以将第一掺杂类型成为第二掺杂类型，且类似地，可以将第二掺杂类型成为第一掺杂类型；第一掺杂类型与第二掺杂类型为不同的掺杂类型，譬如，第一掺杂类型可以为p型且第二掺杂类型可以为n型，或第一掺杂类型可以为n型且第二掺杂类型可以为p型。
52.空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
53.在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
54.本技术的发明人经过研究发现，传统的晶圆减薄工艺中，通常会采用刻蚀液(如强酸)对晶圆的背面进行刻蚀，导致在对晶圆的背面进行刻蚀的过程中晶圆的正面容易被刻蚀液(如强酸)腐蚀(肉眼不可见)，进而影响后续在晶圆的正面进行的蒸发、制作电极等加工工艺，甚至会造成半导体器件在使用一段时间后，出现漏电增大，击穿电压变小的情况，即出现半导体器件的可靠性失效的情况。
55.需要指出的是，由于“在对晶圆的背面进行刻蚀的过程中晶圆的正面被刻蚀液(如强酸)腐蚀”这一情况属于肉眼不可见的情况，基于此，可以理解的是，这一情况属于不易被察觉的情况，因此，也不容易找出出现半导体器件的可靠性失效的原因，然而，本技术的发
明人经过大量的实验数据验证后得出：“在对晶圆的背面进行刻蚀的过程中晶圆的正面被刻蚀液(如强酸)腐蚀”这一情况会导致半导体器件的可靠性失效。
56.为了解决因晶圆的正面被强酸腐蚀而导致出现半导体器件的可靠性失效的情况的问题，本技术的发明人进一步地经过深入研究，在晶圆的减薄工艺中，在晶圆的正面覆盖耐酸性膜，以有效避免在晶圆的减薄工艺中刻蚀液渗透至晶圆的正面而腐蚀晶圆的正面的情况发生，从而提高了半导体器件的可靠性。
57.图1示出了本技术一实施例中的晶圆的减薄方法的流程示意图，图2示出了本技术一实施例中的晶圆和耐酸性膜的结构示意图。
58.在一些实施例中，请参阅图1及图2，本发明提供一种晶圆的减薄方法，包括如下步骤：
59.s110、提供晶圆210；其中，晶圆210具有相对设置的正面211和背面212。
60.s120、将耐酸性膜220贴设于晶圆210的正面211。其中，耐酸性膜220完全覆盖晶圆210的正面211。
61.s130、对晶圆210的背面212进行研磨减薄，直至晶圆210的厚度达到目标厚度。可根据晶圆210需求的厚度设置该目标厚度，示例性地，晶圆210的初始厚度为750μm，目标厚度为200μm，则对晶圆210的背面212进行研磨减薄，至晶圆210的厚度达到200μm。
62.s140、利用刻蚀液对晶圆210的背面212进行平坦化处理。对晶圆210的背面212进行研磨减薄的过程中，会在晶圆的背面212形成粗糙表面，如此，利用刻蚀液对晶圆210的背面212进行平坦化处理，可使研磨形成的粗糙表面变得光滑，可有效地减小接触电阻。
63.可以理解的是，本技术的晶圆的减薄方法中，由于耐酸性膜220贴设且完全覆盖于晶圆210的正面211，因此耐酸性膜220可对晶圆210的正面211形成一层保护层，避免在对背面212进行平坦化处理的过程中刻蚀液渗透至晶圆210的正面211而腐蚀晶圆210的正面211，也能有效避免影响后续在晶圆的正面进行的蒸发、制作电极等加工工艺，也能避免因晶圆210的正面210被刻蚀液腐蚀而导致出现半导体器件失效的情况。
64.在一些实施例中，刻蚀液可以是氢氟酸、硫酸和硝酸中的至少一种，刻蚀液也可以是其他能够使晶圆的背面212形成的粗糙表面变光滑的液体，在此不作具体限制。
65.在一些实施例中，请参阅图2，耐酸性膜220包括层叠设置的耐酸性基层221和粘接层222，将耐酸性膜220贴设于晶圆210的正面211的步骤s120包括：将耐酸性基层221通过粘接层222粘接于晶圆210的正面211，以使耐酸性膜220贴设且完全覆盖于晶圆210的正面211。
66.耐酸性基层221通过粘接层222密封连接于晶圆210的正面211，且耐酸性基层221和粘接层222形成的整体能完全覆盖于晶圆210的正面211，如此，能对晶圆210的正面211进行防护，以更好地避免在对背面212进行平坦化处理的过程中刻蚀液腐蚀晶圆210的正面211。
67.在一些实施例中，耐酸性基层的材质可以是聚烯烃共聚物，也可以是其他能防止刻蚀液腐蚀晶圆210的正面211的物质，在此不作具体限制。
68.在一些实施例中，耐酸性基层的材质包括聚烯烃共聚物，可利用聚烯烃共聚物很好地防止刻蚀液腐蚀晶圆210的正面211。
69.在一些实施例中，耐酸性基层221的厚度大于或等于90μm。若耐酸性基层221的厚
度过小，会导致刻蚀液容易通过耐酸性基层221渗透至晶圆210的正面211，为此，需要使耐酸性基层221的厚度足够大，比如使耐酸性基层221的厚度大于或等于90μm，以保证刻蚀液不容易通过耐酸性基层221渗透至晶圆210的正面211。
70.在一些实施例中，粘接层222的厚度大于或等于30μm。若粘接层222的厚度过小，会导致耐酸性基层221的粘接力不够，也会导致刻蚀液容易从粘接层222和晶圆210之间渗透至晶圆210的正面211，为此，需要使粘接层222的厚度足够大，比如使粘接层222的厚度大于或等于30μm，既能使刻蚀液不容易从粘接层222和晶圆210之间渗透至晶圆210的正面211，又能保证耐酸性基层221牢固地密封连接于晶圆210的正面211。
71.在一些实施例中，耐酸性基层221的厚度大于或等于90μm，且粘接层222的厚度大于或等于30μm，如此设置，一方面，保证刻蚀液不容易通过耐酸性基层221渗透至晶圆210的正面211，另一方面，既能保证刻蚀液不容易从粘接层222的侧壁渗透至晶圆210的正面211，又能保证耐酸性基层221牢固地密封连接于晶圆210的正面211。
72.在一些实施例中，粘接层222可为uv光固化胶，uv光固化胶的粘性适宜，既能保证耐酸性基层221牢固地密封连接于晶圆210的正面211，避免刻蚀液从粘接层222和晶圆210之间渗透至晶圆210的正面211。当然，粘接层222也可为其他能够使耐酸性基层221牢固地密封连接于晶圆210的正面211的材质，在此不作具体限制。
73.在一些实施例中，请参阅图3及图4，将耐酸性膜220贴设于晶圆210的正面211的步骤s120包括：
74.s1201、选定耐酸性膜220。
75.s1202、通过滚轮230将耐酸性膜220压贴于晶圆210的正面211，以使耐酸性膜220贴设且完全覆盖于晶圆210的正面211。
76.通过滚轮230的滚压使耐酸性膜220压贴于晶圆210的正面211，如此，可使耐酸性膜220贴设且完全覆盖于晶圆210的正面211。
77.在一些实施例中，滚轮230施加于晶圆210的滚压力为0.1-0.3mpa，若滚轮230施加于晶圆210的滚压力过小，会导致耐酸性膜220粘接不牢，若滚轮230施加于晶圆210的滚压力过大，会影响晶圆的质量，也会导致在揭膜过程中容易在晶圆210上残留胶。为此，需要使滚轮230施加于晶圆210的滚压力控制在合适的范围内，比如使滚轮230施加于晶圆210的滚压力为0.1-0.3mpa，既能保证耐酸性膜220牢固地粘接于晶圆210的正面211，又能避免揭膜时在晶圆210上残留胶。
78.在一些实施例中，请参阅图3及图5，耐酸性膜220包括完全覆盖于晶圆210的正面211的第一部分2201，以及围绕于第一部分2201的第二部分2202。将耐酸性膜220贴设于晶圆210的正面211的步骤s120之后还包括：
79.s121、加热切割刀头，并利用加热后的切割刀头对耐酸性膜220进行切割，以将第二部分2202与第一部分2201切除分离。
80.可以理解，利用加热的切割刀头能够更容易地将耐酸性膜220的第二部分2202切割下来，使第一部分2201的边沿平整，并很好地使保留的第一部分2201完全覆盖于晶圆210的正面211。
81.在一些实施例中，第一部分2201包括耐酸性基层221的一部分和胶层222的一部分，第二部分2202包括耐酸性基层221的另一部分和胶层222的另一部分，加热的切割刀头
能够使耐酸性膜220的胶层222至少部分地熔融，以便耐酸性膜220的胶层222随着切割刀头的切割力的引导下能够包覆于晶圆210的顶端，以对晶圆210的正面211形成包围(如图6及图7所示)，胶层222固化后能够更好地避免刻蚀液从粘接层222和晶圆210之间渗透至晶圆210的正面211。
82.在一些实施例中，加热后的切割刀头的温度为70-120℃，若加热后的切割刀头的温度过低，难以将耐酸性膜220的第二部分2202切割下来，若加热后的切割刀头的温度过高，会导致耐酸性膜220过度熔融而影响粘接效果。为此，需要使加热后的切割刀头的温度控制合适的温度范围内，比如设置为70-120℃，既能保证利用加热的切割刀头能够很容易地将耐酸性膜220的第二部分2202切割下来，使第一部分2201的边沿平整，又能使保留的第一部分2201完全覆盖于晶圆210的正面211，粘接效果较好。
83.在一些实施例中，请参阅图8，利用刻蚀液对晶圆210的背面212进行平坦化处理的步骤s140包括：
84.s141、将晶圆210浸入刻蚀液中静置第一预设时间，以对晶圆210的背面21进行平坦化处理。其中，刻蚀液包括氢氟酸、硫酸和硝酸。
85.氢氟酸、硫酸和硝酸组合形成强酸混合液，腐蚀性较强，能够在较短的时间内对晶圆210的背面21进行平坦化处理，可以理解的是，第一预设时间较短，即晶圆210静置于刻蚀液中的时间较短，如此，能更好地避免刻蚀液渗透至晶圆210的正面211。
86.在一些实施例中，利用刻蚀液对晶圆210的背面212进行平坦化处理的步骤s140包括：
87.将多个晶圆210浸入刻蚀槽内的刻蚀液中静置第一预设时间，以对晶圆210的背面21进行平坦化处理。其中，刻蚀液包括氢氟酸、硫酸和硝酸。如此，可同时对多个晶圆210的背面21进行平坦化处理，提高平坦化处理的效率。示例性地，可将12个晶圆210浸入刻蚀槽内的刻蚀液中。
88.在一些实施例中，第一预设时间不宜过长，避免晶圆210静置于刻蚀液中的时间过长，为此，将第一预设时间设置为小于或等于3分钟，既能很好地对晶圆210的背面21进行平坦化处理，又能很好地避免刻蚀液渗透至晶圆210的正面211。
89.需要说明的是，本技术采用“晶圆210静置于刻蚀液中”，摒弃了传统背面清洗工艺中的上下抖动晶圆的方式，避免因上下抖动晶圆而导致刻蚀液更易渗透至晶圆的210的正面211。
90.在一些实施例中，请参阅图8，利用刻蚀液对晶圆210的背面212进行平坦化处理的步骤s140之后还包括：
91.s150、采用具有预设水温的纯水对晶圆210进行清洗。
92.避免纯水水温过高而导致晶圆上残留的刻蚀液的温度升高，进而避免因过高温度的刻蚀液的刻蚀速率升高而导致残留的刻蚀液更易渗透至晶圆的210的正面211。
93.在一些实施例中，预设水温小于或等于50℃。
94.避免残留的刻蚀液的温度过高，也能有效避免刻蚀液渗透至晶圆210的正面211。
95.在一些实施例中，对晶圆210进行清洗的清洗时间不超过6分钟。对晶圆210进行清洗的清洗时间不宜过长，避免因清洗时间过长而导致耐酸性膜220出现粘接不牢等情况。
96.在一些实施例中，采用具有预设水温的纯水对晶圆210进行清洗的步骤s150包括：
利用喷头对晶圆进行第一次清洗；其中，喷头朝向晶圆210的背面212，且喷头能够喷出具有预设水温的纯水。
97.有针对性地冲洗晶圆210，避免在喷头对晶圆产生的冲击力将刻蚀液冲入耐酸性膜220和晶圆210的正面211之间。
98.需要说明的是，在对晶圆210进行第一次清洗的过程中，要避免喷头朝向耐酸性膜220的侧壁，以避免因喷头对耐酸性膜220产生的冲击力而将刻蚀液冲入耐酸性膜220和晶圆210的正面211之间。
99.在一些实施例中，刻蚀液包括具有氧化性的酸性溶液，请参阅图8，采用具有预设水温的纯水对晶圆210进行清洗的步骤s150之后还包括：
100.s160、去除晶圆210的背面212的氧化膜层。
101.刻蚀液中的酸性溶液具有氧化性，在利用刻蚀液对晶圆210的背面212进行平坦化处理的过程中，相当于利用刻蚀液对晶圆210的背面212进行湿法刻蚀处理，如此，具有氧化性的酸性溶液会使晶圆210的背面212形成氧化膜层，需要去除晶圆210的背面212的氧化膜层。
102.在一些实施例中，刻蚀液包括硫酸、硝酸和氢氟酸，其中，具有氧化性的酸性溶液为硫酸和硝酸，在利用刻蚀液对晶圆210的背面212进行平坦化处理的过程中，具有强氧化性的硫酸和硝酸可使晶圆210的背面212形成氧化膜层。当然，刻蚀液也可以是其他具有氧化性的酸性溶液，在此不作具体限定。
103.在一些实施例中，请参阅图8及图9，去除晶圆210的背面212的氧化膜层的步骤s160包括：
104.s161、将晶圆210浸入氢氟酸溶液中，静置第二预设时间，以去除晶圆210的背面212的氧化膜层。其中，第二预设时间小于或等于3分钟。
105.可以理解，晶圆210的材质为si，晶圆210的背面212的氧化膜层通常为sio2，结合sio2+6hf
→
h2sif6+2h2o，如此，可利用氢氟酸溶液很好地去除晶圆210的背面212的氧化膜层。另外，氢氟酸的分子量较小，易于渗透至晶圆210，如此，第二预设时间不宜过长，可将第二预设时间设置为小于或等于3分钟，避免氢氟酸分子渗透至晶圆210的正面211。
106.需要补充的是，在对晶圆浸入氢氟酸溶液中的过程中，若将氢氟酸溶液放置于酸洗槽内，则需要摒弃通过循环泵向酸洗槽内循环泵送氢氟酸溶液的做法，可向酸洗槽泵送适量和适宜浓度的氢氟酸溶液后，关闭循环泵，然后使晶圆浸入氢氟酸溶液中，静置第二预设时间，避免循环流动的氢氟酸溶液渗透至晶圆210的正面211。
107.在一些实施例中，请参阅图9和图10，去除晶圆210的背面212的氧化膜层的步骤s160之后，减薄方法还包括：
108.采用具有预设水温的纯水对晶圆210进行至少一次清洗。
109.对晶圆210进行干燥处理。
110.将耐酸性膜220从晶圆210上去除。
111.具体到如图9所示的实施例中，去除晶圆210的背面212的氧化膜层的步骤s160之后，减薄方法还包括：
112.s170、采用具有预设水温的纯水对晶圆210进行再次清洗。
113.s180、对晶圆210进行干燥处理。
114.s190、将耐酸性膜220从晶圆210上去除。
115.具体到如图10所示的实施例中，去除晶圆210的背面212的氧化膜层的步骤s260之后，减薄方法还包括：
116.s270、多次采用具有预设水温的纯水对晶圆210进行清洗。步骤s270中的多次可以是分两次分别采用具有预设水温的纯水对晶圆210进行清洗，也可以是分三次或更多次采用具有预设水温的纯水对晶圆210进行清洗，在此不作具体限制。
117.s280、对晶圆210进行干燥处理。
118.s290、将耐酸性膜220从晶圆210上去除。
119.通过多次清洗晶圆210，既能有效避免残留的氢氟酸溶液渗透至晶圆210的正面211，又能使晶圆210的表面更为洁净。
120.在一些实施例中，每次对晶圆210进行清洗的清洗时间不超过6分钟，每次对晶圆210进行清洗的清洗时间不宜过长，避免因清洗时间过长而导致耐酸性膜220出现粘接不牢等情况。
121.在一些实施例中，请参阅图10，减薄方法包括：
122.s210、提供晶圆210；其中，晶圆210具有背向设置的正面211和背面212。
123.s220、将耐酸性膜220贴设于晶圆210的正面211。
124.s230、对晶圆210的背面212进行研磨减薄，直至晶圆210的厚度达到目标厚度。
125.s240、利用刻蚀液对晶圆210的背面212进行平坦化处理。具体地，可将晶圆210浸入刻蚀液中静置第一预设时间，以对晶圆210的背面21进行平坦化处理。其中，刻蚀液包括氢氟酸、硫酸和硝酸。其中，第一预设时间等于2分钟。
126.s250、采用具有预设水温的纯水对晶圆210进行清洗。其中，预设水温等于25℃。
127.s260、去除晶圆210的背面212的氧化膜层，具体地，可将晶圆210浸入氢氟酸溶液中，静置第二预设时间，以去除晶圆210的背面212的氧化膜层。其中，第二预设时间等于2分钟。
128.s270、多次采用具有预设水温的纯水对晶圆210进行清洗。其中，预设水温等于25℃。
129.s280、对晶圆210进行干燥处理。
130.s290、将耐酸性膜220从晶圆210上去除。
131.本技术的晶圆的减薄方法中，由于耐酸性膜220贴设且完全覆盖于晶圆210的正面211，因此耐酸性膜220可对晶圆210的正面211形成一层保护层，避免在对背面212进行平坦化处理的过程中刻蚀液渗透至晶圆210的正面211而腐蚀晶圆210的正面211，也能有效避免影响后续在晶圆的正面进行的蒸发、制作电极等加工工艺，也能避免因晶圆210的正面210被刻蚀液腐蚀而导致出现半导体器件失效的情况，可拓宽该减薄方法制得的晶圆结构的应用范围。
132.在一些实施例中，利用本技术的晶圆的减薄方法对晶圆210进行减薄后，可在晶圆210的背面212沉积ti、ni或ag等金属，可有效降低芯片的导通电阻与热效应，也可减少能源的损耗并保证芯片的可靠性。
133.应该理解的是，虽然图1、图3及图8-图10的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的
说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1、图3及图8-图10中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
134.在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
135.上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
136.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。