阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制备方法。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)作为液晶显示后的新一代发光显示技术，具有可视角宽、对比度高、色彩鲜艳、可柔性显示等优点，已经被普遍应用于各种手机、可穿戴设备中，具有良好的前景。
3.相关技术中，顶发射微腔方案被普遍用于量产oled屏幕，该方案可有效提升屏幕分辨率、正面效率和色域覆盖度。然而，由于目前oled器件的绿色光源通常采用磷光材料，其光谱较宽，色域较低。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制备方法，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
5.作为本技术实施例的第一方面，本技术实施例提供一种阵列基板，包括：
6.衬底；
7.薄膜晶体管层，设置于衬底的一侧表面上；
8.像素平坦层，设置于薄膜晶体管层的背离衬底的一侧表面上；
9.至少一个倾斜部，在沿衬底朝向像素平坦层的方向上，倾斜部的两侧表面分别为第一表面和第二表面，第一表面与像素平坦层的背离衬底的一侧表面贴合，第二表面相对于第一表面倾斜设置。
10.在一种实施方式中，第二表面与第一表面之间的夹角为α，其中，5
°
≤α≤15
°
。
11.在一种实施方式中，第二表面的一端与第一表面相连，第二表面的另一端朝向远离第一表面的方向倾斜延伸；或第二表面的两端均与第一表面间隔设置，且第二表面的两端与第一表面的间距不同。
12.作为本技术实施例的第二方面，本技术实施例提供一种显示面板，包括：
13.阵列基板，阵列基板为根据本技术上述各方面任一实施方式的阵列基板；
14.发光器件，设置于像素平坦层和倾斜部的背离衬底的一侧表面上。
15.在一种实施方式中，发光器件包括多个像素单元，各像素单元包括颜色不同的至少一个第一颜色子像素、至少一个第二颜色子像素和至少一个第三颜色子像素，第一颜色子像素的数量大于第二颜色子像素的数量，且第一颜色子像素的数量大于第三颜色子像素的数量，其中，第一颜色子像素设置于倾斜部的第二表面上，第二颜色子像素和第三颜色子像素设置于像素平坦层的背离衬底的一侧表面上。
16.在一种实施方式中，多个像素单元包括至少一个第一像素单元，第一像素单元包括两个第一颜色子像素，第一像素单元的两个第一颜色子像素对应的倾斜部分别为第一倾
斜部和第二倾斜部，其中，第一倾斜部的第二表面与第二倾斜部的第二表面关于第一对称面对称，第一对称面垂直于衬底。
17.在一种实施方式中，多个像素单元还包括至少一个第二像素单元，第二像素单元包括两个第一颜色子像素，第二像素单元的两个第一颜色子像素对应的倾斜部分别为第三倾斜部和第四倾斜部，其中，第三倾斜部的第二表面与第四倾斜部的第二表面关于第二对称面对称，第二对称面垂直于衬底，且第二对称面与第一对称面不平行。
18.在一种实施方式中，至少一个第一像素单元与至少一个第二像素单元相邻，第一对称面垂直于第二对称面。
19.在一种实施方式中，第一颜色子像素为绿色子像素，第二颜色子像素为蓝色子像素、第三颜色子像素为红色子像素。
20.在一种实施方式中，各子像素包括第一电极、有机发光层和第二电极，第一电极设置在像素平坦层的背离衬底的一侧表面或倾斜部的第二表面，有机发光层设置在第一电极的背离衬底的一侧表面，第二电极设置在有机发光层的背离衬底的一侧表面，有机发光层在第一电极和第二电极的电场作用下发光。
21.作为本技术实施例的第三方面，本技术实施例提供一种显示装置，包括根据本技术上述各方面任一实施方式的显示面板。
22.作为本技术实施例的第四方面，本技术实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：
23.形成衬底；
24.在衬底的一侧表面上形成薄膜晶体管层；
25.在薄膜晶体管层的背离衬底的一侧表面上形成像素平坦层；
26.形成至少一个倾斜部，倾斜部在背离衬底方向上的两侧表面分别为第一表面和第二表面，第一表面与像素平坦层的背离衬底的一侧表面贴合，第二表面相对于第一表面倾斜设置。
27.在一种实施方式中，形成至少一个倾斜部，包括：
28.对像素平坦层的背离衬底的一侧表面进行蒸镀；
29.通过控制网筛开口的尺寸改变镀膜层在不同区域的厚度，以使镀膜层形成第二表面相对于第一表面倾斜设置的倾斜部。
30.在一种实施方式中，形成至少一个倾斜部，包括：
31.在像素平坦层的背离衬底的一侧表面形成间隔设置的两个隔离件；
32.在两个隔离件之间设置熔融材料；
33.倾斜衬底，以改变熔融材料在不同区域的厚度，使熔融材料固化后形成第二表面相对于第一表面倾斜设置的倾斜部。
34.本技术实施例采用上述技术方案可以通过设置倾斜部提升显示面板的色域，减小色彩偏移，从而提升显示效果。
35.上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
36.在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本技术公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本技术范围的限制。
37.图1示出根据本技术实施例的阵列基板的结构示意图；
38.图2示出根据本技术第一实施例的显示面板的结构示意图；
39.图3示出根据本技术第二实施例的显示面板的结构示意图；
40.图4示出根据本技术第三实施例的显示面板的结构示意图；
41.图5示出根据本技术第四实施例的显示面板的结构示意图；
42.图6示出根据本技术一实施例的显示面板的色坐标随视角变化的曲线图；
43.图7示出根据本技术另一实施例的显示面板的色坐标随视角变化的曲线图；
44.图8示出根据本技术实施例的倾斜部的制备示意图。
45.附图标记说明：
46.100：阵列基板；
47.110：衬底；120：薄膜晶体管层；130：像素平坦层；140：倾斜部；141：第一倾斜部；142：第二倾斜部；
48.200：显示面板；
49.210：第一颜色子像素；211：第一电极；212：有机发光层；213：第二电极；220：第二颜色子像素；230：第三颜色子像素；
50.300：隔离件。
具体实施方式
51.在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本技术的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
52.相关技术中，顶发射微腔方案存在明显的视角色彩偏移，并且由于目前oled器件的绿色光源采用磷光材料，其光谱较宽，顶发射绿光色坐标cie x一般在0.250以上，难以实现bt.2020色域标准中cie x为0.170的绿光色坐标。
53.下面结合图1-图5描述根据本技术第一方面实施例的阵列基板。阵列基板可以应用于显示面板，在本技术下面的描述中，以阵列基板应用于显示面板为例进行说明。
54.如图1和图2所示，阵列基板100包括：衬底110、薄膜晶体管层120、像素平坦层130和至少一个倾斜部140。
55.具体而言，薄膜晶体管层120设置于衬底110的一侧表面上，像素平坦层130设置于薄膜晶体管层120的背离衬底110的一侧表面上。在沿衬底110朝向像素平坦层130的方向上，倾斜部140的两侧表面分别为第一表面和第二表面，第一表面与像素平坦层130的背离衬底110的一侧表面贴合，第二表面相对于第一表面倾斜设置。
56.示例性地，在阵列基板100应用于显示面板200的情况下，阵列基板100可以用于有机发光器件的制备，有机发光器件可以设置于第二表面上。有机发光器件可以包括阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的有机发光层212，阳极可以全反射、阴极可以半反射，在全反射
的阳极和半反射的阴极之间形成微腔。当两电极之间的腔长与有机发光层212中发光的波长在同一数量级时，发光器件的光学特性会发生显著变化，特定波长的光会得到选择和加强，即产生微腔效应。例如，在未设置倾斜部140的情况下，微腔最大增强绿色波长530nm；在设置倾斜部140后，微腔相对于衬底110倾斜设置，微腔发生变化，此时微腔效应变弱，光谱蓝移，呈现更窄的光谱，微腔增强绿色波长可以相应变化，例如增强绿色波长变为528nm，使得绿光色坐标改变，呈现更高的色域。
57.根据本技术实施例的阵列基板100，通过在像素平坦层130上设置至少一个倾斜部140，并使倾斜部140的第二表面相对于第一表面倾斜设置，当阵列基板100应用于显示面板200时，顶发射微腔结构的微腔效应变弱，可以呈现更窄的光谱，从而能够呈现更高的色域；另一方面，当从其他角度观看显示面板200时，相较于平面化结构而言，如此设置的倾斜部140可以使部分像素的亮度占据主导作用，从而有效减小色彩偏移。
58.在一种实施方式中，第二表面与第一表面之间的夹角为α，其中，5
°
≤α≤15
°
。具体地，例如，当α＜5
°
时，第二表面的倾斜角度过小，色域和色彩偏移的改善效果不明显，且可能会降低显示亮度，提升阵列基板100的成本；当α＞15
°
时，第二表面的倾斜角度过大，在阵列基板100应用于显示面板200的情况下，可能会降低发光器件的正面出光效率，同时发光器件不同视角下的效率可能会下降，且光谱可能变宽。由此，通过使5
°
≤α≤15
°
，第二表面的倾斜角度合理，在有效提升色域并且改善色彩偏移的同时，可以保证显示面板200的显示亮度和出光效率，且可以降低成本。
59.在一种可选的实施方式中，参照图1和图2，第二表面的一端(例如，图1中的左端)与第一表面相连，第二表面的另一端(例如，图1中的右端)朝向远离第一表面的方向倾斜延伸。此时倾斜部140的截面形状可以为三角形。这样，倾斜部140的结构简单，用料较少，从而可以降低制备难度和用料成本。
60.当然，本技术不限于此，在另一种可选的实施方式中，第二表面的两端均与第一表面间隔设置，第二表面的两端与第一表面的间距不同，此时第二表面的延长面与第一表面的延长面相交，从而使第二表面可以相对于第一表面倾斜设置。此时倾斜部140的截面形状可以为梯形。可以理解的是，倾斜部140的具体结构可以根据实际需求具体设置，以更好地满足实际应用。
61.根据本技术第二方面实施例的显示面板200，结合图1-图2，包括阵列基板100和发光器件。其中，阵列基板100为根据本技术上述第一方面任一实施方式的阵列基板100，发光器件设置于像素平坦层130和倾斜部140的背离衬底110的一侧表面上。例如，发光器件与像素平坦层130相对的部分可以设置于像素平坦层130，发光器件与倾斜部140相对于的部分可以设置于倾斜部140。
62.根据本技术实施例的显示面板200，通过采用上述的阵列基板100，顶发射微腔结构的微腔效应变弱，可以呈现更窄的光谱，从而能够呈现更高的色域。而且，倾斜部140的设置可以使部分像素的亮度占据主导作用，从而有效减小色彩偏移。
63.图2和图3示出第一颜色子像素210对应的显示面板200的剖面结构示意图；图4示出第二颜色子像素220对应的显示面板200的剖面结构示意图；图5示出第三颜色子像素230对应的显示面板200的剖面结构示意图。在一种实施方式中，参照图1-图5，发光器件包括多个像素单元，各像素单元包括颜色不同的至少一个第一颜色子像素210、至少一个第二颜色
子像素220和至少一个第三颜色子像素230，第一颜色子像素210的数量大于第二颜色子像素220的数量，且第一颜色子像素210的数量大于第三颜色子像素230的数量，其中，第一颜色子像素210设置于倾斜部140的第二表面上，第二颜色子像素220和第三颜色子像素230设置于像素平坦层130的背离衬底110的一侧表面上。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。
64.如此设置，只需要在像素平坦层130的与第一颜色子像素210对应的区域设置倾斜部140，像素平坦层130的其余区域可以无需设置倾斜部140，第二颜色子像素220和第三颜色子像素230可以直接设置在像素平坦层130上，能够在不明显降低显示面板200出光效率的基础上有效提升第一颜色子像素210的色域，并且改变色彩偏移，同时可以降低成本。
65.在一种实施方式中，如图1-图3所示，多个像素单元包括至少一个第一像素单元，第一像素单元包括两个第一颜色子像素210，第一像素单元的两个第一颜色子像素210对应的倾斜部140分别为第一倾斜部141和第二倾斜部142，其中，第一倾斜部141的第二表面与第二倾斜部142的第二表面关于第一对称面对称，第一对称面垂直于衬底110。
66.示例性地，图2和图3可以分别为同一第一像素单元中的两个第一颜色子像素210对应的显示面板200的剖面结构示意图。衬底110、薄膜晶体管层120和像素平坦层130的厚度方向上的两侧表面可以均与水平面平行，倾斜部140的第一表面与水平面平行，此时第一对称面为竖直面。倾斜部140的第二表面相对于第一表面倾斜设置，第一倾斜部141的第二表面与水平面之间所夹的锐角等于第二倾斜部142的第二表面与水平面之间所夹的锐角，第一倾斜部141的第二表面与第二倾斜部142的第二表面的倾斜方向不同。
67.由此，通过设置上述的第一倾斜部141和第二倾斜部142，第一像素单元的第一颜色子像素210和第二颜色子像素220与衬底110之间的夹角的大小相同且倾斜方向不同，从而可以有效提高发光器件第一颜色色域，同时可以使显示面板200不同方向具有相似的色彩偏移水平，进而可以保证显示面板200的显示效果。
68.在一种实施方式中，多个像素单元还包括至少一个第二像素单元，第二像素单元包括两个第一颜色子像素210，第二像素单元的两个第一颜色子像素210对应的倾斜部140分别为第三倾斜部和第四倾斜部，其中，第三倾斜部的第二表面与第四倾斜部的第二表面关于第二对称面对称，第二对称面垂直于衬底110，且第二对称面与第一对称面不平行。
69.示例性地，第二对称面可以垂直于第一对称面。可以在水平面上建立xy坐标系，在第一倾斜部141的第二表面与x轴正方向之间的夹角为10
°
的情况下，第二倾斜部142的第二表面与x轴负方向之间的夹角为10
°
，第三倾斜部和第四倾斜部中的其中一个的第二表面与y轴正方向之间的夹角为10
°
，第三倾斜部和第四倾斜部中的另一个的第二表面与y轴负方向之间的夹角为10
°
。第一倾斜部141的第二表面与第二倾斜部142的第二表面可以关于过y轴的竖直面(即第一对称面)对称，第三倾斜部的第二表面与第四倾斜部的第二表面可以关于过x轴的竖直面(即第二对称面)对称。
70.由此，通过设置上述的第三倾斜部140和第四倾斜部140，第二像素单元的第一颜色子像素210和第二颜色子像素220与衬底110之间的夹角的大小相同且倾斜方向不同，从而同样可以提高发光器件第一颜色色域，同时可以保证显示面板200不同方向具有相似的色彩偏移水平，提升显示面板200的显示效果。
71.在一种实施方式中，至少一个第一像素单元与至少一个第二像素单元相邻，第一
对称面垂直于第二对称面。这样，至少相邻两个像素单元内的四个第一颜色子像素210可以具有不同方向的倾角，可以进一步保证显示面板200不同方向具有相似的色偏水平，从而进一步提升显示面板200的显示效果。
72.在一种实施方式中，第一颜色子像素210为绿色子像素，第二颜色子像素220为蓝色子像素、第三颜色子像素230为红色子像素。由于在显示面板200显示白光的情况下绿光光源亮度占比超过50％，同时绿光为较难接近bt.2020标准的光源。通过使绿色子像素与倾斜部140相对，可以有效提升色域，使绿光色坐标接近bt.2020标准。
73.示例性地，表一为高色域常规显示面板(阵列基板未设置倾斜部)与高色域倾斜角10
°
的显示面板200(倾斜部140的第二表面与第一表面之间的角度为10
°
)的仿真结果。其中，“高色域”可以理解为cie x接近0.170的色域，可以通过调节微腔实现。结合表一的仿真结果，与高色域常规显示面板200相比，高色域倾斜角10
°
的显示面板200的绿色器件的色域(@cie 1931，@bt.2020，@b cie＝0.138，0.046，r cie＝0.703，0.297)提升了约1％。另外，可以采用窄光谱的绿光光源和深红光源，这样可以进一步使绿光色坐标接近bt.2020色域标准，例如可达到97％以上。
74.表一
[0075] ciex,ciey色域高色域常规条件0.185,0.76192.4％高色域倾斜角10度0.174,0.76493.5％
[0076]
图6和图7中的每个点表示视角变化5
°
。从图6中的仿真结果可以明显看出，高色域倾斜角10度的显示面板200的绿光色偏轨迹明显变小，同时从图7中的仿真结果可以明显看出，现有结构(即非高色域)倾斜角10度的显示面板200绿光色偏轨迹明显变小。因此，通过使绿色子像素与倾斜部140相对，能够有效提高发光器件绿光色域，并可实现更小的色彩偏移，另外，倾斜部140的设置可应用于高色域器件结构中，且可以改善曲面屏边缘发绿问题。
[0077]
在一种实施方式中，如图1-图5所示，各子像素包括第一电极211、有机发光层212和第二电极213，第一电极211设置在像素平坦层130的背离衬底110的一侧表面或倾斜部140的第二表面，有机发光层212设置在第一电极211的背离衬底110的一侧表面，第二电极213设置在有机发光层212的背离衬底110的一侧表面。例如，第一电极211可以为阳极，第二电极213可以为阴极。由此，有机发光层212在第一电极211和第二电极213的电场作用下发光，使显示面板200能够显示图像。
[0078]
根据本技术第三方面实施例的显示装置，包括根据本技术上述第二方面任一实施方式的显示面板200。
[0079]
根据本技术实施例的显示装置，通过采用上述的显示面板200，可以提升色域，减小色彩偏移，从而提升显示装置的显示效果。
[0080]
根据本技术第四方面实施例的阵列基板100的制备方法，结合图1-图5和图8，包括：
[0081]
形成衬底110；
[0082]
在衬底110的一侧表面上形成薄膜晶体管层120；
[0083]
在薄膜晶体管层120的背离衬底110的一侧表面上形成像素平坦层130；
[0084]
形成至少一个倾斜部140，倾斜部140在背离衬底110方向上的两侧表面分别为第
一表面和第二表面，第一表面与像素平坦层130的背离衬底110的一侧表面贴合，第二表面相对于第一表面倾斜设置。
[0085]
示例性地，阵列基板100可以用于有机发光器件的制备，有机发光器件可以设置于第二表面上。有机发光器件可以包括阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的有机发光层212，阳极可以全反射、阴极可以半反射，在全反射的阳极和半反射的阴极之间形成微腔。在设置倾斜部140后，微腔相对于衬底110倾斜设置，微腔发生变化，此时微腔效应变弱，光谱蓝移，呈现更窄的光谱，微腔增强绿色波长可以相应变化，使得绿光色坐标改变，呈现更高的色域。
[0086]
根据本技术实施例的阵列基板100的制备方法，可以在像素平坦层130上形成至少一个倾斜部140，能够在提升色域的同时减小色彩偏移，从而使显示面板200具有更好的显示效果。另外，由于薄膜晶体管层120走线在像素平坦层130下方，像素平坦层130可能并不完全平坦，倾斜部140的设置可以作为缓冲层，使得沉积第一电极211例如阳极后第一电极211更为平坦，从而可以有效改善大视角色偏现象，同时有利于coe(color-filter on encapsulation，彩膜技术)的应用。
[0087]
在一种实施方式中，参照图1和图2，形成至少一个倾斜部140，包括：
[0088]
对像素平坦层130的背离衬底110的一侧表面进行蒸镀；
[0089]
通过控制网筛开口的尺寸改变镀膜层在不同区域的厚度，以使镀膜层形成第二表面相对于第一表面倾斜设置的倾斜部140。
[0090]
示例性地，倾斜部140的材料可以为可蒸镀小分子或聚合物材料，例如可以为氟化锂(lif)或聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)。制备时，可通过网筛控制蒸镀到不同区域的厚度，形成倾斜部140的倾斜角。在倾斜部140厚度较厚区域，控制网筛开口大或全开口；在倾斜部140厚度较小区域，控制网筛开口小或不开口，从而可以通过蒸镀工艺制备倾斜部140。
[0091]
在另一种实施方式中，参照图1-图2并结合图8，形成至少一个倾斜部140，包括：
[0092]
在像素平坦层130的背离衬底110的一侧表面形成间隔设置的两个隔离件300；
[0093]
在两个隔离件300之间设置熔融材料；
[0094]
倾斜衬底110，以改变熔融材料在不同区域的厚度，使熔融材料固化后形成第二表面相对于第一表面倾斜设置的倾斜部140。
[0095]
示例性地，隔离件300的材料可以为光刻胶，可以采用与制备像素定义层相同的方法制备隔离件300。在形成隔离件300后，可以通过倾斜衬底110，使像素平坦层130与衬底110一并倾斜，然后采用喷墨打印后固化的方法形成倾斜部140，此时倾斜部140的材料可以为可溶解的材料，例如可以为聚乙二醇(peg)，溶剂为二甲基亚砜(dmso)，当然也可以为其他材料。或者，在形成隔离件300后，采用常规光刻工艺形成倾斜部140，此时倾斜部140的材料可以为光刻胶。在光刻工艺中，同样采用倾斜衬底110的方法使光刻胶流动，形成倾斜角，以在光刻胶固化后形成倾斜部140。
[0096]
上述实施例的阵列基板100、显示面板200、显示装置和阵列基板100的制备方法的其他构成可以采用于本领域普通技术人员现在和未来知悉的各种技术方案，这里不再详细描述。
[0097]
在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0098]
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。
[0099]
在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0100]
在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0101]
上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
[0102]
以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。