显示器件及显示终端的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示器件及显示终端。


背景技术：

2.在制作有机发光二极管器件时，有机发光二极管器件的发光层通常是采用蒸镀的方式形成，在蒸镀过程种，相邻的发光单元容易出现搭接，发光单元的搭接会形成并联支路，并联支路会造成漏电，漏电将导致相邻像素发生偷亮，相邻像素的偷亮会引起色偏。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术提供一种能够消除相邻像素之间的横向电流，从而能够避免相邻像素偷亮，以进一步消除因偷亮造成的色偏的显示器件。
4.为解决上述问题，本技术提供的技术方案如下：
5.一方面，本技术提供一种显示器件，所述显示器件包括：
6.一基底；
7.一阳极层，形成在所述基底上；所述阳极层包括多个阳极；
8.一发光功能层，形成在所述阳极层之上；所述发光功能层包括依次层叠设置的一空穴传输层、一发光层及一电子传输层，所述发光层包括多个发光单元，一个所述发光单元对应一个所述阳极；相邻的两个所述发光单元搭接以形成一搭接部；
9.一辅助阴极层，形成在所述空穴传输层和所述电子传输层之间；部分所述辅助阴极层与所述搭接部接触；
10.一阴极，形成在所述电子传输层上且与所述辅助阴极层电连接。
11.在本技术一可选实施例中，所述辅助阴极层包括多个第一辅助阴极部及多个第二辅助阴极部，所述第一辅助阴极部与所述第二辅助阴极部连接，所述第一辅助阴极部及所述第二辅助阴极部分别与与之对应的与所述搭接部接触。
12.在本技术一可选实施例中，所述第一辅助阴极部及所述第二辅助阴极部形成在所述空穴传输层上，所述搭接部分别形成在所述第一辅助阴极部及所述第二辅助阴极部上。
13.在本技术一可选实施例中，所述发光功能层还包括腔长调节层，所述腔长调节层形成在所述空穴传输层上，所述发光层形成在所述腔长调节层上；所述腔长调节层包括多个腔长调节部，一个所述发光单元形成在一个所述腔长调节部上，所述第一辅助阴极部及所述第二辅助阴极部分别位于与之对应的相邻的两个所述腔长调节部之间。
14.在本技术一可选实施例中，所述搭接部形成在所述空穴传输层上，所述第一辅助阴极部及所述第二辅助阴极部形成在分别与之对应的所述搭接部上。
15.在本技术一可选实施例中，所述发光功能层还包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层形成在所述发光层上且覆盖所述第一辅助阴极部及所述第二辅助阴极部，所述电子传输层形成在所述空穴阻挡层上。
16.在本技术一可选实施例中，所述发光功能层还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层
形成在所述空穴传输层上，所述发光层形成在所述电子阻挡层上，所述第一辅助阴极部及所述第二辅助阴极部形成在所述电子阻挡层与所述搭接部之间。
17.在本技术一可选实施例中，所述显示器件包括显示区及边框区，所述发光单元及所述阳极位于所述显示区内，部分所述阴极及部分所述像素定义层位于所述边框区内；
18.所述辅助阴极层还包括与所述第一辅助阴极部连接的一第三辅助阴极部，部分所述第三辅助阴极部形成在临近所述边框区的所述发光层或临近所述边框区的所述空穴传输层上，所述第三辅助阴极部与所述阴极电连接；
19.所述显示器件还包括像素定义层，所述像素定义层形成在所述基底上且包覆所述阳极层；所述像素定义层包括多个像素开口，所述空穴传输层形成在所述像素定义层上及所述像素开口内，一个所述发光单元形成在一个所述像素开口内；
20.部分所述第三辅助阴极部还形成在位于所述边框区内的所述像素定义层上且与所述阴极电连接。
21.在本技术一可选实施例中，所述第一辅助阴极部、所述第二辅助阴极部及第三辅助阴极部同层设置且材质相同。
22.第二方面，本技术还提供一种显示终端，包括本体部及如上所述的显示器件，所述显示器件固定在所述本体部上。
23.本技术提供的显示器件及显示终端，在所述空穴传输层及所述电子传输层之间形成一与所述阴极电连接的辅助阴极层，并使得部分所述辅助阴极层与发光层的相邻发光单元之间的搭接部相接触。由于所述辅助阴极层与所述阴极电连接，从而所述辅助阴极层中具有富余的电子，当其中一个发光单元中的载流子向相邻的发光单元迁移时，经过所述辅助阴极层的载流子中的空穴会被所述辅助阴极层中的电子中和，从而迁移到相邻的发光单元中的电子也无法与空穴发生碰撞而发光，可以消除相邻像素之间的横向电流，从而能够避免相邻像素偷亮，以进一步消除因偷亮造成的色偏。
附图说明
24.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
25.图1为本技术第一实施例提供的一种显示器件的剖视图。
26.图2为本技术第二实施例提供的一种显示器件的剖视图。
27.图3为本技术第三实施例提供的一种显示器件的发光功能层与辅助阴极层的简单示意图。
28.图4为本技术第四实施例提供的一种显示器件的发光功能层与辅助阴极层的简单示意图。
29.图5为本技术第五实施例提供的一种显示器件的发光功能层与辅助阴极层的简单示意图。
具体实施方式
30.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
31.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体地限定。
32.本技术可以在不同实施中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
33.以下将结合具体实施例及附图对本技术提供的显示器件及显示终端进行详细描述。
34.请参阅图1，本技术第一实施例提供一种显示器件100，所述显示器件100包括一基底10、一阳极层20、一发光功能层40、一辅助阴极层50、一阴极层60及一平坦层70，所述阳极层20形成在所述基底10上，所述发光功能层40形成在所述阳极层20之上，所述阴极60形成在所述发光功能层40上，所述辅助阴极层50形成在所述发光功能层40内，所述平坦层70形成在所述阴极60上。
35.其中，所述基底10内具有驱动电路，所述驱动电路与所述阳极层20电连接，以为所述阳极层20提供阳极电压。在其他实施例中，所述驱动电路还可以为所述阴极60提供阴极电压，以使得所述阳极层和所述阴极之间具有电压差，以驱动所述发光功能层40发光。当然，在其他实施例中，还可以通过连接其他的外部电路来为所述阴极60提供阴极电压。
36.其中，所述阳极层20包括多个阳极，例如第一阳极21、第二阳极22及第三阳极23。
37.在本技术一可选实施例中，所述显示器件100还包括像素定义层30，所述像素定义层30形成在所述基底10上且包覆所述阳极层20。所述像素定义层30包括多个像素开口，例如第一像素开口31、第二像素开口32及第三像素开口33，部分所述第一阳极21从所述第一像素开口31内裸露出来，部分所述第二阳极22从所述第二像素开口32内裸露出来，部分所述第三阳极23从所述第三像素开口33内裸露出来。
38.其中，所述发光功能层40形成在所述像素定义层30上及多个所述像素开口内。所述发光功能层40包括依次层叠设置的一空穴传输层41、一发光层42及一电子传输层43，所述空穴传输层41形成在所述像素定义层30之上及多个所述像素开口内。其中，所述辅助阴极层50形成在所述空穴传输层41与所述电子传输层43之间且与所述发光层42相接触。
39.在其他实施例中，所述发光功能层40还包括空穴注入层(图未示)和电子注入层(图未示)。所述空穴注入层形成在所述像素定义层30之上及多个所述像素开口内，所述空穴传输层41形成在所述空穴注入层内。所述电子注入层形成在所述电子传输层43上且位于所述电子传输层43与所述阴极60之间。
40.其中，所述发光层42包括多个发光单元，例如第一发光单元421、第二发光单元422及第三发光单元423。一个所述发光单元对应一个所述阳极，具体地，所述第一发光单元421对应所述第一阳极21，所述第二发光单元422对应所述第二阳极22，所述第三发光单元423对应所述第三阳极23；相邻的两个所述发光单元搭接以形成一搭接部，在本实施例中，部分所述辅助阴极层50与所述搭接部接触。
41.具体地，所述第一发光单元421与所述第二发光单元422搭接形成第一搭接部424，所述第二发光单元422与所述第三发光单元423搭接形成第二搭接部425。
42.其中，所述辅助阴极层50包括多个第一辅助阴极部52及多个第二辅助阴极部53，所述第一辅助阴极部52与所述第二辅助阴极部53连接，所述第一辅助阴极部52及所述第二辅助阴极部53分别与与之对应的与所述搭接部接触。具体地，所述第一辅助阴极部52与所述第一搭接部424接触，所述第二辅助阴极部53与所述第二搭接部425接触。
43.在本实施例中，所述第一搭接部424及所述第二搭接部425形成在所述空穴传输层41上(即所述发光单元形成在所述空穴传输层41上)，所述第一辅助阴极部52及所述第二辅助阴极部53分别形成在所述第一搭接部424及所述第二搭接部425上，所述电子传输层43包覆所述第一辅助阴极部52及所述第二辅助阴极部53。
44.其中，所述显示器件100还包括显示区101及边框区102，所述发光单元及所述阳极位于所述显示区101内，部分所述阴极60及部分所述像素定义层30位于所述边框区102内，另一部分所述阴极60及另一部分所述像素定义层30位于所述显示区101内。
45.其中，所述辅助阴极层50还包括与所述第一辅助阴极部52连接的一第三辅助阴极部51，部分所述第三辅助阴极部51形成在临近所述边框区102的所述发光层42上，另一部分所述第三辅助阴极部51还形成在位于所述边框区102内的所述像素定义层30上且与所述阴极60电连接。
46.其中，所述第一辅助阴极部52、所述第二辅助阴极部53及第三辅助阴极部51同层设置且材质相同。
47.请参阅图2，本技术第二实施例提供一种显示器件200，所述显示器件200与所述显示器件100的结构相似，其区别在于：所述显示器件200的所述第一辅助阴极部52及所述第二辅助阴极部53形成在所述空穴传输层41上，所述第一搭接部424及所述第二搭接部425分别形成在所述第一辅助阴极部52及所述第二辅助阴极部53上，所述第三辅助阴极部51形成在临近所述边框区102的所述空穴传输层41上且与所述第一发光单元421接触。
48.请参阅图3，图3为本技术第三实施例提供的一种显示器件300的发光功能层与辅助阴极层的简单示意图。所述显示器件300与所述显示器件200的结构相似，其区别在于，所述显示器件300的发光功能层40还包括腔长调节层44，所述腔长调节层44形成在所述空穴传输层41上，所述发光层42形成在所述腔长调节层44上；所述腔长调节层44包括多个腔长调节部(例如：第一腔长调节部441、第二腔长调节部442及第三腔长调节部443)，一个所述发光单元形成在一个所述腔长调节部上(例如：所述第一发光单元421形成在所述第一腔长调节部441上，所述第二发光单元422形成在所述第二腔长调节部442上，所述第三发光单元423形成在所述第三腔长调节部443上)，所述第一辅助阴极部52及所述第二辅助阴极部53分别位于与之对应的相邻的两个所述腔长调节部之间(例如：所述第一辅助阴极部52位于所述第一腔长调节部441及所述第二腔长调节部442之间的间隙内，所述第二辅助阴极部53
位于所述第二腔长调节部442及所述第三腔长调节部443之间的间隙内)。
49.请参阅图4，图4为本技术第四实施例提供的一种显示器件400的发光功能层与辅助阴极层的简单示意图。所述显示器件400与所述显示器件100的结构相似，其区别在于，所述显示器件400的发光功能层40还包括空穴阻挡层45，所述空穴阻挡层45形成在所述发光层42上且覆盖所述第一辅助阴极部52及所述第二辅助阴极部53，所述电子传输层43形成在所述空穴阻挡层45上。
50.请参阅图5，图5为本技术第五实施例提供的一种显示器件500的发光功能层与辅助阴极层的简单示意图。所述显示器件500与所述显示器件100的结构相似，其区别在于，所述显示器件500的发光功能层40还包括电子阻挡层46，所述电子阻挡层46形成在所述空穴传输层41上，所述发光层42形成在所述电子阻挡层46上，所述第一辅助阴极部52及所述第二辅助阴极部53形成在所述电子阻挡层46与所述搭接部之间，具体地，所述第一辅助阴极部52形成在所述电子阻挡层46与所述第一搭接部424之间，所述第二辅助阴极部53形成在所述电子阻挡层46与所述第二搭接部425之间。
51.本技术还提供一种显示终端(图未示)，所述显示终端包括本体部(图未示)及如上所述的显示器件100/200/300/400/500，所述显示器件100/200/300/400/500固定在所述本体部上。其中，所述显示终端可以是手机、电脑、显示屏等。
52.本技术提供的显示器件及显示终端，在所述空穴传输层及所述电子传输层之间形成一与所述阴极电连接的辅助阴极层，并使得部分所述辅助阴极层与发光层的相邻发光单元之间的搭接部相接触。由于所述辅助阴极层与所述阴极电连接，从而所述辅助阴极层中具有富余的电子，当其中一个发光单元中的载流子向相邻的发光单元迁移时，经过所述辅助阴极层的载流子中的空穴会被所述辅助阴极层中的电子中和，从而迁移到相邻的发光单元中的电子也无法与空穴发生碰撞而发光，可以消除相邻像素之间的横向电流，从而能够避免相邻像素偷亮，以进一步消除因偷亮造成的色偏。
53.综上所述，虽然本技术已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本技术，本领域的普通技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本技术的保护范围以权利要求界定的范围为准。