支撑单元以及包括该支撑单元的烘烤装置和基板处理装置的制作方法

1.本发明的实施例涉及一种支撑单元以及包括该支撑单元的烘烤装置和基板处理装置。


背景技术：

2.通常，为了制造半导体装置，进行清洗、蒸镀、光刻、蚀刻、离子注入等各种工艺。为形成图案而执行的光刻工艺在实现半导体器件的高集成度中起着重要作用。
3.执行光刻工艺以在半导体基板上形成光致抗蚀剂图案。光刻工艺包括在基板上形成光致抗蚀剂膜的涂覆工艺、从光致抗蚀剂膜形成光致抗蚀剂图案的曝光工艺、以及在曝光工艺中去除被光照射的区域或其相反区域的显影工艺，并且在每个工艺之前和之后执行加热和冷却基板的烘烤工艺。
4.烘烤工艺为如下的工艺：在将基板放置在加热板上之后，将基板加热到工艺温度或更高温度。在基板上形成膜之后进行的烘烤工艺中，将涂覆在基板上的光致抗蚀剂膜等加热并挥发，以将膜厚调整到设定的厚度。此时，即使在基板的加热完成并从加热板上取下之后，基板仍持续保持在高温状态，因此需要进行冷却控制。因此，在烘烤工艺中，将从加热板取下的基板传送至冷却板并进行冷却。
5.图1是示意性地示出现有的冷却单元的图。参考图1，冷却单元1包括冷却板2和设置在冷却板2上以支撑基板w的支撑销3。支撑销3从冷却板2的上表面向上方突起设置，以在基板w的下表面与冷却板2的上表面之间形成气隙。在这种情况下，支撑销3的突起高度设置为不会对基板产生挤压效应(squeeze effect)的高度。
6.然而，由于支撑销3产生的气隙，存在基板的冷却效率降低的问题。


技术实现要素：

7.【要解决的问题】
8.本发明的实施例的目的在于提供一种能够提高基板的冷却性能或加热性能的支撑单元以及包括该支撑单元的烘烤装置和基板处理装置。
9.根据本发明的实施例的目的不限于此，并且本领域技术人员将通过以下描述清楚地理解其他未提及的目的。
10.【解决问题的方案】
11.本发明的一个实施例公开了一种用于支撑基板的支撑单元。
12.支撑单元包括：支撑板，其上放置基板；以及支撑突起，其设置在所述支撑板上并将所述基板与所述支撑板间隔开，所述支撑板包括从所述支撑板的上表面突起的第一突起部，所述第一突起部设置在设置有所述支撑突起的支撑区域中。
13.所述第一突起部的上表面可以设置为平坦的。
14.所述支撑突起可以设置在所述第一突起部的上表面上。
15.所述第一突起部可以定位成与所述支撑突起相邻。
16.所述第一突起部可以设置成以环形围绕所述支撑突起。
17.所述第一突起部的上表面可以位于低于所述支撑突起的上表面的位置。
18.所述第一突起部的高度可以高于所述支撑突起的高度。
19.所述支撑板可以包括第二突起部，所述第二突起部从所述支撑板的上表面突起并且设置在除了设置有所述支撑突起的所述支撑区域之外的区域中。
20.所述第一突起部和所述第二突起部的高度可以设置为相同。
21.所述第二突起部可以设置在所述支撑板的边缘区域中。
22.所述第一突起部可以包括多个第一突起部，并且所述第二突起部可以设置在所述多个第一突起部之间。
23.所述支撑突起可以设置为多个，并且所述第一突起部的数量可以设置为与支撑突起的数量相对应。
24.所述支撑板可以包括形成在所述支撑板的边缘区域中的凹口，并且所述支撑板可以包括第三突起部，所述第三突起部从所述支撑板的上表面突起并设置在与所述凹口相邻的位置处。
25.所述支撑板包括从所述支撑板的边缘向内侧延伸的狭缝形引导槽，所述支撑板包括第四突起部，所述第四突起部从所述支撑板的上表面突起，并且设置在与所述引导槽相邻的位置处。
26.本实施例公开了一种烘烤装置。
27.烘烤装置包括：加热单元，其用于对基板进行加热；冷却单元，用于冷却在所述加热单元中加热的基板；传送单元，其在所述加热单元和所述冷却单元之间传送所述基板；以及支撑单元，其设置在所述加热单元、所述冷却单元和所述传送单元中的至少一个以支撑所述基板，所述支撑单元包括：支撑板，其上放置基板；支撑突起，其设置在所述支撑板上并将所述基板与所述支撑板间隔开；以及突起部，其从所述支撑板的上表面突起，并且所述突起部包括第一突起部，所述第一突起部设置在设置有所述支撑突起的支撑区域中。
28.所述第一突起部的上表面可以设置为平坦的，并且所述支撑突起可以设置在所述第一突起部的上表面上。
29.所述支撑突起可以设置在支撑板的上表面上，并且所述第一突起部可以设置为以环形围绕所述支撑突起。
30.本实施例公开了一种用于处理基板的装置。
31.基板处理装置，包括：烘烤单元，其用于对基板进行热处理工艺；液体处理单元，其向基板供应液体以执行工艺；以及传送机械手，其用于在所述烘烤单元和所述液体处理单元之间传送基板，所述烘烤单元包括：外壳；加热单元，其位于所述外壳内并对基板进行加热；冷却单元，其位于所述外壳内并冷却在所述加热单元中加热的基板；以及传送单元，其位于所述外壳内，并且在所述加热单元和所述冷却单元之间传送基板，所述传送单元包括：支撑板，其上放置基板；以及第一支撑突起，其设置在所述支撑板上并将所述基板与所述支撑板间隔开，所述支撑板包括从所述支撑板的上表面突起的第一突起部，并且所述第一突起部设置在设置有所述第一支撑突起的支撑区域中。
32.所述冷却单元包括：用于冷却所述基板的冷却板；设置在所述冷却板的内部的冷却构件；第二支撑突起，其设置在所述冷却板上并将所述基板与所述冷却板间隔开，所述冷
却板包括从所述冷却板的上表面突起的第二突起部，并且所述第二突起部可以设置在设置有所述第二支撑突起的支撑区域中。
33.第一突起部的上表面和第二突起部的上表面可以设置为平坦的，并且所述第一支撑突起和所述第二支撑突起可以分别设置在所述第一突起部的上表面和所述第二突起部的上表面上。
34.【发明效果】
35.根据本发明的实施例，可以提供一种能够提高基板的冷却性能或加热性能的支撑单元、包括该支撑单元的烘烤装置以及基板处理装置。
36.本发明的效果不限于上述效果，本发明所属领域的普通技术人员通过本说明书和附图将清楚地理解未提及的效果。
附图说明
37.图1是示意性地示出现有的支撑单元的图。
38.图2是示意性地示出根据本发明的实施例的基板处理装置的图。
39.图3是从a-a方向观察图2的基板处理装置的图。
40.图4是从b-b方向观察图2的基板处理装置的图。
41.图5是示出图2的涂覆部机械手部的手部的示例的图。
42.图6是根据本发明实施例的烘烤单元的平面图。
43.图7是图6的烘烤单元的剖视图。
44.图8是示意性地示出本发明的实施例的支撑单元的图。
45.图9是示意性地示出本发明的另一实施方式的支撑单元的图。
46.图10和图11是示意性地示出应用于根据本发明实施例的传送单元的传送板上的突起的平面图。
47.图12至图14是示出一种在传送基板的同时进行冷却的烘烤单元的图。
具体实施方式
48.下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明，以使本领域普通技术人员能够容易地实施本发明。然而，本发明可以以几种不同的形式实现并且不限于这里描述的实施例。此外，在详细描述本发明的优选实施例时，如果确定相关公知功能或对配置的详细描述可能不必要地使本发明的主旨模糊，则将省略其详细描述。此外，在所有附图中，相同的附图标记用于具有相似功能和功能的部分。
49.除非另有说明，“包括”某个组件是指可以进一步包括其他组件，而不是排除其他组件。具体而言，应当理解，诸如“包括”或“具有”等术语旨在指定说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、组件、部件或它们的组合的存在，而不排除存在或添加一个或多个其他特征或数量、步骤、操作、组件、部件或它们的组合的可能性。
50.除非上下文另有明确规定，否则单数表述包括复数表述。此外，为了更清楚的描述，附图中的元件的形状和尺寸可能被夸大。
51.可以使用诸如第一、第二等术语来描述各种组件，但是所述组件不应受上述术语的限制。上述术语可用于将一个组件与另一组件区分开来。例如，在不脱离本发明的范围的
情况下，第一组件可以被称为第二组件，同样地，第二组件也可以被称为第一组件。
52.当一个组件被描述为“连接”或“联接”到另一组件时，应理解为可以直接连接或联接到该另一组件，但在它们之间也可能存在其他组件。另一方面，当一个组件被描述为“直接连接”或“直接联接”到另一组件时，应理解为中间不存在其他组件。描述组件之间关系的其他表述，如“在..之间”和“直接在..之间”或“与...相邻”和“与...直接相邻”等，也应类似地进行解释。
53.除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。诸如常用词典中定义的术语应被解释为具有与相关技术的上下文一致的含义，并且除非在本技术中明确定义，否则不应被解释为理想或过于形式化的含义。
54.控制器可以控制基板处理装置。控制器可以控制处理室的组件以根据如上所述的设定工艺来处理基板。此外，控制器包括：处理控制器，该处理控制器包括控制基板处理装置的微处理器(计算机)；包括键盘和显示器等的用户界面，操作者通过该键盘进行命令输入操作等以管理基板处理装置，并且该显示器用于可视化和显示基板处理装置的操作状态；存储有处理配方(即，用于在处理控制器的控制下执行在基板处理设备中执行的处理的控制程序、或者用于根据各种数据和处理条件由每个组成单元执行处理的程序)的存储单元。此外，用户界面和存储单元可以连接到过程控制器。处理配方可以存储在存储单元中的存储介质中，该存储介质可以是硬盘、诸如cd-rom或dvd等可移动磁盘，或者闪存等半导体存储器。
55.上面的详细描述是对本发明的说明。此外，以上内容表述和描述了本发明的优选实施例，并且本发明可以在各种其他组合、修改和环境中使用。即，在本文所公开的本发明的概念的范围内、与书面公开内容等同的范围内和/或在本领域的技术或知识的范围内，改变或修改是可能的。书面实施例描述了实施本发明的技术思想的最佳状态，并且本发明的具体应用领域和通途所需的各种变化是可能的。因此，本发明的详细描述并非旨在将本发明限制于所公开的实施例。此外，所附权利要求应被解释为包括其他实施例。
56.本实施例的装置可以用于对半导体晶片或平板显示面板等基板进行光刻工艺。特别地，本实施例的设备可以与曝光装置连接，以对基板进行涂覆工艺和显影工艺。以下，以使用晶片作为基板的情况为例进行说明。
57.图2至图4是示意性地示出本发明的实施例的基板处理装置的图。图2是从上方观察图2的基板处理装置的图，图3是从a-a方向观察图2的基板处理装置的图，图4是从b-b方向观察图2的基板处理装置的图。
58.参照图2至图4，基板处理装置1包括装载口100、转位模块200、缓冲模块300、涂覆显影模块400、接口模块700和清洗模块800。装载口100、转位模块200、缓冲模块300、涂覆显影模块400和接口模块700在一个方向上依次排列成一排。清洗模块800可以设置在接口模块700中。与此相反，清洗模块800可以设置在诸如接口模块700后端的曝光装置所连接的位置或者接口模块700的侧部等各种位置。
59.以下，将布置装载口100、转位模块200、缓冲模块300、涂覆显影模块400和接口模块700的方向称为第一方向12。从上部观察时，垂直于第一方向12的方向称为第二方向14，分别垂直于第一方向12和第二方向14的方向称为第三方向16。
60.基板w在被容纳在盒20中的状态下移动。盒20具有可与外部密封的结构。例如，作为盒20，可以使用在前面具有门的前开式晶圆传送盒(foup)。
61.在下文中，将描述装载口100、转位模块200、缓冲模块300、涂覆显影模块400、接口模块700以及清洗模块800。
62.装载口100具有载置台120，在该载置台120上放置收容有基板w的盒20。载置台120设置为多个，载置台120沿第二方向14排列成一列。在图2中，已经示出和描述了设置四个载置台120，但是本发明不限于此，并且可以根据占用空间或需要设置各种数量。
63.转位模块200在放置在装载口100的载置台120上的盒20与缓冲模块300之间传送基板w。转位模块200包括框架210、转位机械手220和导轨230。框架210通常被设置为具有空的内部的长方体形状。框架210设置在装载口100和缓冲模块300之间。转位模块200的框架210可以设置在比稍后将描述的缓冲模块300的框架310低的高度处。转位机械手220和导轨230设置在框架210中。转位机械手220具有能够进行4轴驱动的结构，以使直接操作基板w的手部221能够在第一方向12、第二方向14、第三方向16上移动和旋转。转位机械手220包括手部221、臂部222、支撑台223和基座224。手部221固定设置在臂部222上。臂部222设置成可伸缩结构和可旋转结构。支撑台223在其长度上沿第三方向16布置。臂部222结合到支撑台223以能够沿着支撑台223移动。支撑台223固定地结合到基座224。导轨230设置成其长度方向沿着第二方向14布置。基座224结合至导轨230，以能够沿导轨230线性移动。此外，虽然未图示，但框架210还设有用于打开和关闭盒20的门的开门器。
64.缓冲模块300包括框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机械手360。框架310被设置成内部为空的长方体形状，并且设置在转位模块200和涂覆显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350以及第一缓冲机械手360位于框架310中。冷却室350、第二缓冲部330和第一缓冲部320从底部沿第三方向16依次布置。第一缓冲器320位于与后述的涂覆显影模块400的涂覆模块401对应的高度，第二缓冲器330和冷却室350设置在与后述的涂覆显影模块400的显影模块402对应的高度。第一缓冲机械手360被定位成在第二方向14上与第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲器320间隔开预定距离。
65.第一缓冲器320和第二缓冲器330分别临时存储多个基板w。第二缓冲器330具有外壳331和多个支撑台332。支撑台332设置在外壳331中并且被设置为在第三方向16上彼此间隔开。在每个支撑台332上放置一个基板w。外壳331在设置有转位机械手220的方向和在设置有第一缓冲机械手360的方向上具有开口(未示出)，以使转位机械手220和第一缓冲机械手360能够将基板w搬入到支撑台332上或从支撑台332搬出。第一缓冲器320具有与第二缓冲器330基本相似的结构。然而，第一缓冲器320的外壳321在设置有第一缓冲机械手360的方向和设置有位于涂覆模块401中的涂覆部机械手432的方向上具有开口。设置在第一缓冲器320中的支撑台322的数量和设置在第二缓冲器330中的支撑台332的数量可以相同或不同。根据示例，设置在第二缓冲器330中的支撑台332的数量可以大于设置在第一缓冲器320中的支撑台322的数量。第一缓冲机械手360在第一缓冲器320和第二缓冲器330之间传送基板w。第一缓冲机械手360包括手部361、臂部362和支撑台363。手部361固定设置在臂部362上。臂部362设置为具有可伸缩结构，以使手部361能够沿第二方向14移动。臂部362结合到支撑台363，以使支撑台363能够沿第三方向16线性移动。支撑台363具有从对应于第二缓冲
器330的位置延伸到对应于第一缓冲器320的位置的长度。与其相比，支撑台363可以在上方向或下方向上设置得更长。第一缓冲机械手360可以设置成手部361仅沿第二方向14和第三方向16双轴驱动。
66.冷却室350分别冷却基板w。冷却室350包括外壳351和冷却板352。冷却板352具有放置基板w的上表面和用于冷却基板w的冷却装置353。作为冷却装置353，可以使用诸如通过冷却水进行冷却或使用热电元件进行冷却等各种方式。此外，用于将基板w定位在冷却板352上的升降销组件可以设置在冷却室350中。外壳351在设置有转位机械手220和设置有显影单元机械手的方向上具有开口，以使设置在转位机械手220和显影模块402中的显影单元机械手能够将基板w搬入到冷却板352上或从冷却板352搬出。此外，冷却室350可以设置有用于打开和关闭上述开口的门。
67.涂覆模块401包括在对基板w涂覆光致抗蚀剂等感光液的工艺、以及在抗蚀剂涂覆工艺前后对基板w进行加热、冷却等热处理的工艺。涂覆模块401包括液体处理室410、烘烤单元500和传送室430。液体处理室410、烘烤单元500和传送室430沿第二方向14依次布置。液体处理室410可以设置为用于对基板w执行抗蚀剂涂覆工艺的抗蚀剂涂覆室410。抗蚀剂涂覆室410设置为多个，并且在第一方向12和第三方向16上分别设置为多个。烘烤单元500在第一方向12和第三方向16上分别设置为多个。
68.传送室430在第一方向12上与第一缓冲模块300的第一缓冲器320平行地定位。涂覆部机械手432和导轨433定位在传送室430中。传送室430具有大致矩形形状。涂覆部机械手432在烘烤单元420、抗蚀剂涂覆室410和第一缓冲模块300的第一缓冲器320之间传送基板w。导轨433布置成其长度方向与第一方向12平行。导轨433引导涂覆部机械手432沿第一方向12直线移动。
69.涂覆部机械手432具有手部434、臂部435、支撑台436和基座437。手部434固定设置在臂部435上。臂部435设置成可伸缩结构，以使手部434能够在水平方向上移动。支撑台436被设置为使得其长度方向沿着第三方向16设置。臂部435结合到支撑台436以使支撑台436能够沿着在第三方向16线性移动。支撑台436固定结合到基座437，并且基座437结合到导轨433以能够沿着导轨433移动。
70.图5是示出涂覆部机械手部的手部的示例的图。参考图5，手部434包括基部4342和突起部4344。基部4342可以设置成圆周的一部分弯曲的圆环形状。基座4342的内径大于基板w的直径。突起4344从基部4342向其内侧延伸。突起4344可以设置为多个。根据示例，突起4344可以以相等的间隔设置为四个。突起4344支撑基板w的边缘区域。
71.抗蚀剂涂覆室410都具有相同的结构。然而，在每个抗蚀剂涂覆室410中使用的光致抗蚀剂的类型可以彼此不同。作为示例，可以使用化学增幅抗蚀剂(chemical amplification resist)作为光致抗蚀剂。抗蚀剂涂覆室410将光致抗蚀剂涂覆在基板w上。抗蚀剂涂覆室410具有外壳411、支撑板412和喷嘴413。外壳411具有顶部开口的杯形形状。支撑板412位于外壳411内并支撑基板w。支撑板412可旋转地设置。喷嘴413将光致抗蚀剂供应到放置在支撑板412上的基板w上。喷嘴413可以具有圆管形状，并且可以将光致抗蚀剂供应到基板w的中心。可选地，喷嘴413可以具有对应于基板w的直径的长度，并且喷嘴413的排出口可以设置为狭缝。此外，还可以在抗蚀剂涂覆室410中设置喷嘴414，该喷嘴414用于供给去离子水等清洗液来清洗基板w的涂覆有光致抗蚀剂的表面。
72.参照图2至图4，显影模块402包括：通过供给显影剂除去部分光致抗蚀剂以在基板w上形成图案的显影工艺；以及在显影处理前后对基板w进行加热、冷却等的热处理工艺。显影模块402包括液体处理室460、烘烤单元500和传送室480。液体处理室460、烘烤单元500和传送室480沿第二方向14依次布置。液体处理室460可以用作显影室。显影室460和烘烤单元500被定位成在第二方向14上彼此间隔开，传送室480介于它们之间。显影室460设置为多个，并且在第一方向12和第三方向16上分别设置为多个。
73.传送室480在第一方向12上与第一缓冲模块300的第二缓冲器330并排定位。显影单元机械手482和导轨483定位在传送室480中。传送室480具有大致矩形形状。显影单元机械手482在烘烤单元470、显影室460以及第一缓冲模块300的第二缓冲器330和冷却室350之间传送基板w。导轨483被配置为其长度方向与第一方向12平行。导轨483引导显影单元机械手482沿第一方向12直线移动。显影单元机械手482具有手部484、臂部485、支撑台486和基座487。手部484固定设置在臂部485上。臂部485设置成可伸缩结构，以使手部484能够在水平方向上移动。支撑台486设置为其长度方向沿着第三方向16布置。臂部485结合到支撑台486以使能够支撑台486沿着第三方向16线性移动。支撑台486固定地联接到基座487。基座487连接到导轨483，以便能够沿着导轨483移动。
74.显影室460都具有相同的结构。然而，在每个显影室460中使用的显影剂的类型可以彼此不同。显影室460从基板w上的光致抗蚀剂中去除被光照射的区域。此时，保护膜中的光照射区域也一同被去除。根据选择性使用的光致抗蚀剂的类型，可以从光致抗蚀剂和钝化层的区域中仅去除未被光照射的区域。
75.显影室460具有外壳461、支撑板462和喷嘴463。外壳461具有顶部开口的杯形形状。支撑板462位于外壳461内并支撑基板w。支撑板462可旋转地设置。喷嘴463将显影剂供给到放置在支撑板462上的基板w上。喷嘴463具有圆管形状，并且可以将显影剂供应到基板w的中心。可选地，喷嘴463可以具有与基板w的直径对应的长度，并且喷嘴463的排出口可以设置为狭缝。此外，在显影室460中还可以设置喷嘴464，该喷嘴464用于供给去离子水等清洗液，对追加供给显影剂的基板w的表面进行清洗。
76.如上所述，在涂覆显影模块400中，涂覆模块401和显影模块402被设置为彼此分离。此外，当从上方观察时，涂覆模块401和显影模块402可以具有相同的腔室布置。
77.接口模块700传送基板w。接口模块700包括框架710、第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740。第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740位于框架710内。第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此隔开预定距离并且彼此堆叠。第一缓冲器720设置为高于第二缓冲器730。
78.接口机械手740定位成在第二方向14上与第一缓冲器720和第二缓冲器730间隔开。接口机械手740在第一缓冲器720、第二缓冲器730和曝光装置900之间传送基板w。
79.第一缓冲器720在经工艺执行后的基板w被移动到曝光装置900之前暂时储存这些基板。此外，第二缓冲器730在曝光装置900中完成工艺后的基板w被移动之前暂时储存这些基板。第一缓冲器720具有外壳721和多个支撑台722。支撑台722设置在外壳721内并且被设置为沿着第三方向16彼此间隔开。在每个支撑台722上分别放置一个基板w。外壳721在设置有接口机械740的方向和设置有预处理机械手632的方向上具有开口，以使接口机械手740和预处理机械手632能够将基板w搬入到支撑台722上或从支撑台722搬出。第二缓冲器730
具有与第一缓冲器720类似的结构。如上所述，可以在接口模块中仅提供缓冲器和机械手，而不提供用于对晶片执行预定工艺的腔室。
80.图6和图7是示出烘烤装置的图。
81.参照图6和图7，烘烤装置500对基板w进行加热。例如，烘烤装置500可以执行加热工艺(例如，在涂覆光致抗蚀剂之前将基板w加热到预定温度以从基板w的表面去除有机物或水分的前烘(prebake)工艺、或者在基板w上涂覆光致抗蚀剂后进行的软烘(soft bake)工艺等)，也可以执行在每个加热工艺之后对基板w进行冷却的冷却工艺等。
82.烘烤装置500可包括外壳510、冷却单元530、加热单元550和传送单元570。
83.外壳510提供了在其内部执行烘烤工艺的空间。外壳510设置为长方体形状。外壳510包括第一侧壁511、第二侧壁513和出入口512。第一侧壁511设置在外壳510的一侧。第二侧壁512与第一侧壁511相对设置。基板w进出的出入口512形成在外壳510的侧壁上。例如，出入口512可以形成在第一侧壁511上。出入口512提供基板w移动通过的通道。出入口512可以保持开口的状态。可选地，可以设置门(未示出)来打开和关闭出入口512。冷却单元530、加热单元550和传送单元570设置在外壳510内。冷却单元530和加热单元550沿第二方向14并排设置。根据示例，冷却单元530可以比加热单元550更靠近传送室430。
84.冷却单元530冷却经热处理的基板w。冷却单元530包括支撑单元。支撑单元支撑外壳510内的基板w。支撑单元包括支撑板531和设置在支撑板531上的支撑突起532。基板w放置在支撑板531上。支撑板531支撑基板w。支撑板531设置为与基板w相同的尺寸。当从顶部看时，支撑板531可以具有大致圆形形状。支撑板531设置有冷却构件5311。根据示例，冷却构件5311形成在支撑板531的内部，并且可以设置为冷却流体流过的流路。支撑板531由具有良好导热性的金属材料制成。例如，支撑板531可以由铝(al)材料或阳极氧化铝(al-anodizing)材料制成。然而，本发明不限于此，并且可以由利于热传递的材料制成。支撑板531和冷却构件5311可以用作用于冷却基板w的冷却板。即，支撑板531冷却由支撑板531支撑的基板w。支撑板531设置有支撑突起531。支撑突起531可以设置为多个。多个支撑突起531设置在支撑板531上以彼此间隔开。支撑突起532将基板w与支撑板531间隔开。支撑突起532与基板w的底表面接触以支撑基板w。通过支撑突起532在基板w和支撑板531之间形成气隙(air gap)。
85.图8是示意性地表示本发明的一个实施例的支撑单元的图。图9是示意性地表示本发明的另一实施例的支撑单元的图。参照图8和图9，支撑板531包括突起部。突起部从支撑板531的上表面突起。突起部朝向由支撑板531支撑的基板w的方向突起。突起部沿减小基板w和支撑板531之间的气隙的方向突起。突起部设置为与支撑板531相同的材料。例如，支撑板531和突起部由铝或阳极氧化铝制成。然而，本发明不限于此，突起部和支撑板531可以由有利于热传递的材料形成。此外，支撑板531和突起部可以由不同的材料制成。支撑板531的上表面和基板w隔开第一间隔距离。突起部与基板w以小于第一间隔距离的第二间隔距离间隔开。
86.突起部包括第一突起部533。第一突起部533设置在设置有支撑突起532的支撑区域中。第一突起部533设置在支撑突起532的周边部。根据本发明的实施例，第一突起部533的上表面设置为平坦的，并且支撑突起532设置在第一突起部533的上表面上(参见图8)。在这种情况下，第一突起部533的高度可以设置为高于支撑突起532的高度。例如，当基板w的
底表面与支撑板531的上表面的间隔距离为150μm时，第一突起部533的高度设置为100μm，支撑突起532的高度设置为50μm。在这种情况下，基板w和第一突起部533之间的距离减小，从而在最小化挤压效应的同时提高冷却效率。
87.根据本发明的另一实施例，第一突起部533设置在与支撑突起532相邻的位置处。参照图9，第一突起部533被设置为以环状围绕支撑突起532。当从顶部看时，第一突起部533设置为环形。第一突起部533包括形成在第一突起部533的上表面上的凹槽，并且支撑突起532设置在凹槽中。第一突起部533的上表面位于比支撑突起532的上表面低的位置处。
88.第一突起部533设置为多个。多个第一突起部533的数量设置为与支撑突起532的数量相对应。
89.突起部包括第二突起部534。第二突起部534从支撑板531的上表面突起。第二突起部534设置在除了设置有支撑突起532的支撑区域之外的区域中。第二突起部534设置在与第一突起部533相同的高度处。第二突起部534可以设置为多个。第二突起部534设置在避免由于安置在支撑板531上的基板w的翘曲而与基板w接触的位置处。例如，第二突起部534的位置可以设置在由于基板w的拉伸翘曲而不与第二突起部534接触的位置处。此外，设置第二突起部534的位置设置在由于基板w的压缩翘曲而不与第二突起部534接触的位置处。此外，第二突起部534由于基板w的拉伸和压缩变形而位于不与第二突起部534接触的位置处。例如，当基板w向下翘曲成突出时，第二突起部534可以设置在支撑板531的边缘区域中。第二突起部534可以设置在多个第一突起部533之间，此时，也可以根据基板w的翘曲而设置在不与基板w接触的位置。
90.当从上方看时，第一突起部533的面积可以设置为不同于第二突起部534的面积。例如，第二突起部534的面积可以设置为大于第一突起部533的面积。然而，本发明不限于此，第二突起部534的面积可以设置为小于第一突起部533的面积，或者第一突起部533和第二突起部533可以具有相同的面积。第一突起部533和第二突起部534可以设置成不同的形状。然而，本发明不限于此，并且可以根据设置每个突起的位置设置为各种形状。
91.第一突起部533与基板w之间的间隔距离d3被设置为小于支撑板531的上表面与基板w之间的间隔距离d1。第二突起部534与基板w之间的间隔距离d3被设置为小于支撑板531的上表面与基板w之间的间隔距离d1。在这种情况下，第一突起部533和基板w之间的间隔距离d3可以与第二突起部534和基板w之间的间隔距离d3相同。即，第一突起部533的高度d2设置为与第二突起部534的高度d4相同。
92.回到图1，支撑销3的突起高度设置为不会对基板w产生挤压效应的高度。例如，支撑销3的突起高度可以设置为约150μm。在这种情况下，由于基板w与冷却板2的间隔距离，从冷却板2向基板w的热传递变得困难，从而基板w的冷却性能降低。当支撑销3的高度形成为低于150μm以提高冷却性能时，基板w由于挤压效应而损坏。
93.然而，根据本发明的实施例，通过设置用于减小基板w和支撑板531之间的气隙的突起，提高了支撑板531冷却基板w的冷却效率。此外，通过在支撑突起532的周边设置突起部，可以防止由于基板w的翘曲而导致的接触问题。
94.返回参照图6和图7，加热单元550将基板w加热到设定温度。加热单元550被设置为用于将基板w加热到高于室温的温度的装置。加热单元550在处于或低于常压的减压气氛中对基板w进行加热处理。加热单元550可以对基板w执行烘烤工艺。加热单元550可在对基板w
进行加热的同时供应气体以提高光致抗蚀剂对基板w的粘附率。根据示例，气体可以是六甲基乙硅烷气体。加热单元550可以包括腔室551、支撑单元552、排气单元(未示出)、气体供应单元(未示出)和升降单元。
95.腔室551可以包括上腔室5511、下腔室5512和密封构件(未示出)。上腔室5512可以具有下部开口的圆柱形。下腔室5512可以具有顶部开口的圆柱形。下腔室5512可以设置在上腔室5511下方。上腔室5511和下腔室5512可以彼此组合以形成内部空间。此外，可以在上腔室5511和下腔室5512之间设置密封构件。密封件位于上腔室5511和下腔室5512之间。当上腔室5511和下腔室5512彼此接触时，密封构件使内部空间与外部密封。密封构件可以设置成环形。密封构件可以固定地结合到下腔室5512的上端。
96.加热单元550包括支撑单元552。支撑单元552支撑腔室551的内部空间中的基板w。此外，支撑单元552可以对基板w进行加热。支撑单元552包括支撑板5521、支撑突起5523、升降销5524和引导件5525。
97.支撑板5521设置为圆板状。支撑板5521的上表面可以具有比基板w更大的直径。支撑板5521的上表面可以用作放置基板w的安置表面。此外，可以在支撑板5521上设置加热器5522。加热器5522可以对基板w进行加热。此外，加热器5522可以设置为多个。设置为多个的加热器5522以将基板w按区域加热到不同温度。例如，设置为多个的加热器5522中的一部分加热器可以将基板w的中心区域加热到第一温度，并且设置为多个的加热器5522中的另一部分加热器可以将基板w的中间区域和边缘区域加热到第二温度。第一温度和第二温度可以为彼此不同的温度。
98.支撑板5521上设有支撑突起5523。支撑突起5523可以支撑基板w的底表面。支撑突起5523可以防止基板w直接接触支撑板5521。支撑突起5523将基板w与支撑板5521间隔开。
99.支撑板5521包括突起部。加热单元550的突起部和支撑板5521的结构可以类似于冷却单元530的支撑板531和支撑突起532的突起部的结构。因此，可以类似地适用与冷却单元530的支撑板531和支撑突起532的突起部相关联的描述。
100.突起部从支撑板5521的上表面突起。突起部朝向由支撑板5521支撑的基板w的方向突起。突起部沿减小基板w与支撑板5521之间的气隙的方向突起。突起部由与支撑板5521相同的材料制成。突起部和支撑板5521可以由利于热传递的材料制成。此外，支撑板5521和突起部可以由不同的材料制成。
101.突起部包括第一突起部5321a。第一突起部5521a设置在设置有支撑突起5523的支撑区域中。第一突起部5521a设置在支撑突起5523的周边。根据本发明的实施例，第一突起部5521a的上表面设置为平坦的，并且支撑突起5523设置在第一突起部5521a的上表面上(参见图8)。根据本发明的另一实施例，第一突起部5521a设置在与支撑突起5523相邻的位置处。参照图9，第一突起部5521a被设置成以环形围绕支撑突起5523。第一突起部5521a的上表面位于比支撑突起5523的上表面低的位置处。第一突起部5521a设置为多个。多个第一突起部5521a的数量与支撑突起5523的数量相对应。通过在设置有支撑突起5523的支撑区域中设置第一突起部5521a，可以提高基板w的加热效率。
102.突起部包括第二突起部5521b。第二突起部5521b从支撑板5521的上表面突起。第二突起部5521b设置在除了设置有支撑突起5523的支撑区域之外的区域中。第二突起部5521b设置在与第一突起部5521a相同的高度处。第二突起部5521b可以设置为多个。第二突
起部5521b设置在避免由于安置在支撑板5523上的基板w的翘曲而与基板w接触的位置处。第一突起部5521a和基板w之间的间隔距离以及第二突起部5521b和基板w之间的间隔距离被设置成小于支撑板5521的上表面和基板w之间的间隔距离。由此，可以提高基板w的加热效率。
103.升降销5524可以使基板w在上下方向上移动。升降销5524可以设置为多个。升降销5524可以在将基板w搬入内部空间或从内部空间搬出时使基板w在上下方向上移动。
104.引导件5525引导基板w，使得基板w被放置在安置表面上的正确位置。引导件5525被设置为具有围绕安置表面的圆环形状。引导件5525的直径大于基板w。引导件5525的内表面随着靠近支撑板5521的中心轴线而具有向下倾斜的形状。因此，跨越引导件5525的内表面的基板w跨越倾斜表面而移动到正确位置。此外，引导件5525可以防止少量气流流入到基板w和安置表面之间。
105.加热单元550包括升降单元553。升降单元553可以使上腔室5511和下腔室5512中的任何一个移动。例如，升降单元553可以使上腔室5511在上下方向上移动。升降单元553可以将上腔室5511移动到打开位置或关闭位置。打开位置是上腔室5511和下腔室5512彼此隔开并且内部空间打开的位置。关闭位置是内部空间由于上腔室5511和下腔室5512而与外部密封的位置。
106.传送单元570设置在外壳510内。传送单元570在加热单元550和冷却单元530之间传送基板w。传送单元570包括传送板571。传送板571在传送基板w时支撑基板w。传送板571可称为支撑板571。
107.传送板571被设置成大致圆板状，并且具有与基板w的直径对应的直径。传送板571的边缘形成有凹口573。凹口573可以具有与形成在上述涂覆部机械手432的手部434上的突起4344相对应的形状。另外，凹口573设置为与形成在手部434上的突起4344对应的数量，并且形成在与突起4344对应的位置处。当在手部434和支撑板571沿上下方向对齐的位置改变手部434和传送板571的上下位置时，在手部434和传送板571之间传送基板w。传送板571设置在导轨574上，并可通过致动器575沿导轨574移动。传送板571上设有多个狭缝状的引导槽576。引导槽576从传送板571的端部延伸至支撑板571的内部。引导槽576的长度方向沿着第二方向14设置，引导槽576沿着第一方向12彼此间隔开。当在传送板571和加热单元550之间进行基板w的交接时，引导槽576防止传送板571和升降销5524相互干扰。
108.传送板571设有支撑突起577。支撑突起577设置在传送板571上。支撑突起577可以支撑基板w的底表面。支撑突起577可以防止基板w直接接触传送板571。支撑突起557将基板w与传送板571间隔开。
109.图10和图11是示意性地示出应用于根据本发明实施例的传送单元的传送板上的突起部的平面图。
110.如图10和11所示，传送板571包括突起部572。传送单元570的突起部572和传送板571的结构可以具有与冷却单元530的支撑板531和支撑突起532的突起部的结构相似的结构。因此，可以类似地适用与冷却单元530的支撑板531和支撑突起532的突起部相关联的描述。
111.突起部572包括第一突起部5721。与冷却单元530的第一突起部533类似，第一突起部5721可以设置在设置有支撑突起577的支撑区域中。突起部572包括第二突起部5722。类
似于冷却单元530的第二突起部534，第二突起部5722可以设置在除了设置有支撑突起577的支撑区域之外的区域中。根据基板w的弯曲变形，第二突起部5722可以设置在与基板w不发生接触问题的位置处。
112.突起部572包括第三突起部5723。第二突起部5723从传送板571的上表面突出，并设置于与凹口573相邻的位置。第三突起部5723设置在凹口573的边缘。突起部572包括第四突起部5724。第四突起部5724从传送板571的上表面突起，并且设置在靠近引导槽576的位置。第四突起部5724被设置为具有与引导槽576的狭缝形状对应的形状并且设置在引导槽576的边缘处。
113.在上文中，作为示例示出和描述了，烘烤单元500包括冷却单元530、加热单元550和传送单元570，传送单元570仅在冷却单元530与加热单元550之间搬送基板w，并且基板w的冷却在冷却单元530中进行。然而，本发明不限于此，本实施例的主要特征也可应用于传送单元570在传送期间冷却由加热单元550加热处理的基板w的烘烤单元。参照图12至图14，烘烤单元500包括加热单元550和传送单元570。传送单元570可以包括传送板571和将传送板571进行传送的传送单元580。作为示例，传送板571可以在内部设置有冷却通道。可以将冷却水供应到冷却通道以冷却基板w和传送板571。传送单元580在外壳510内将传送板571进行传送。传送板581可以由传送单元580移动到待机位置和冷却位置。待机位置可以是靠近出入口的位置，冷却位置可以是对应于加热单元550的支撑板551的上部的位置。传送板571的结构除了在传送板571中设置冷却通道以在传送过程中冷却基板w之外，具有与根据上述图10的传送板571的结构相同的结构。也就是说，图12至图14的传送板571可以选择性地包括第一至第四突起部5741、5742、5743和5744中的任何一个。
114.上述多个突起部可以选择性地设置在支撑板上。即，可以在冷却单元530和加热单元550的支撑板上仅设置第一突起部。或者，可以在冷却单元530和加热单元550的支撑板上仅设置第二突起部。或者，第一突起部和第二突起部都可以设置在冷却单元530和加热单元550的支撑板上。第一突起部至第四突起部中的任何一个或多个可以选择性地设置在传送单元570的传送板上。或者，第一突起部至第四突起部可以全部设置在传送单元570的传送板上。
115.上述多个突起可以仅设置在冷却单元530中。或者，多个突起可以仅设置在加热单元550中。或者，多个突起可以仅设置在传送单元570中。或者，多个突起可以设置在冷却单元530、加热单元550和传送单元570中的两个单元中。或者，多个突起可以设置在冷却单元530、加热单元550和传送单元570中的全部单元中。
116.上面的详细描述是对本发明的说明。此外，以上描述显示和描述了本发明的优选实施例，并且本发明可以在各种其他组合、修改和环境中使用。即，在本文所公开的本发明的概念的范围内、与书面公开内容等同的范围内和/或在本领域的技术或知识的范围内，改变或修改是可能的。书面实施例描述了实施本发明的技术思想的最佳状态，并且本发明的具体应用领域和用途所需的各种变化是可能的。因此，本发明的详细描述并非旨在将本发明限制于所公开的实施例。此外，所附权利要求应被解释为包括其他实施方式。
117.【附图标记说明】
118.100：装载口
119.200：转位模块
120.300：缓冲模块
121.400：涂覆显影模块
122.500：烘烤单元
123.510：外壳
124.530：冷却单元
125.550：加热单元
126.570：传送单元。