技术特征：
1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：活性层，其具备至少1个阱层；p型半导体层，其位于上述活性层的一侧；以及电子阻挡层叠体，其位于上述活性层与上述p型半导体层之间，上述电子阻挡层叠体具有：第1电子阻挡层；以及第2电子阻挡层，其位于比上述第1电子阻挡层靠上述p型半导体层侧的位置，并且al组成比小于上述第1电子阻挡层的al组成比，在将上述活性层中的上述阱层的总数设为n，将上述第1电子阻挡层的膜厚设为膜厚d[nm]，将上述第2电子阻挡层的al组成比设为al组成比x[％]时，上述第1电子阻挡层的上述膜厚d满足0.1n+0.9≤d≤0.2n+2.0的关系，并且上述第2电子阻挡层的上述al组成比x满足10n+40≤x≤10n+60的关系。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，上述活性层具有多个上述阱层，在将上述多个阱层之中的形成于离上述p型半导体层最远的位置的阱层设为最远阱层时，上述最远阱层的膜厚与上述多个阱层之中的上述最远阱层以外的阱层各自的膜厚相比大1nm以上，并且上述最远阱层的al组成比与上述多个阱层之中的上述最远阱层以外的阱层各自的al组成比相比大2％以上。3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，其中，上述阱层的上述总数n为3，上述第1电子阻挡层的上述膜厚d为1.7nm以上、2.1nm以下。4.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光元件，其中，上述第2电子阻挡层的上述al组成比x为65％以上、75％以下。5.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，其中，上述阱层的上述总数n为1，上述第1电子阻挡层的上述膜厚d为1.3nm以上、1.8nm以下。6.根据权利要求5所述的氮化物半导体发光元件，其中，上述第2电子阻挡层的上述al组成比x为55％以上、65％以下。7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，上述第1电子阻挡层的al组成比为80％以上，上述第2电子阻挡层的膜厚为10nm以上、30nm以下。
技术总结
提供能够提高发光输出的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件具备：活性层，其具备至少1个阱层；p型半导体层，其位于活性层的一侧；以及电子阻挡层叠体，其位于活性层与p型半导体层之间。电子阻挡层叠体具有：第1电子阻挡层；以及第2电子阻挡层，其位于比第1电子阻挡层靠p型半导体层侧的位置，并且Al组成比小于第1电子阻挡层的Al组成比。在将活性层中的阱层的总数设为N，第1电子阻挡层的膜厚设为膜厚d[nm]，第2电子阻挡层的Al组成比设为Al组成比x[％]时，第1电子阻挡层的膜厚d满足0.1N+0.9≤d≤0.2N+2.0的关系，且第2电子阻挡层的Al组成比x满足10N+40≤x≤10N+60的关系。Al组成比x满足10N+40≤x≤10N+60的关系。Al组成比x满足10N+40≤x≤10N+60的关系。
技术研发人员：松仓勇介 希利尔
受保护的技术使用者：日机装株式会社
技术研发日：2022.07.05
技术公布日：2023/1/11