显示面板及其阵列基板的制作方法

文档序号:32158282发布日期:2022-11-12 01:04阅读:40来源:国知局
显示面板及其阵列基板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及其阵列基板。


背景技术:

2.显示面板由tft(thin film transistor,薄膜晶体管)阵列及驱动tft阵列的驱动电路模块组成,驱动电路模块输出的信号通过扇出线传导至tft阵列;但由于扇出区(fan-out area)空间有限,使得不同扇出线的长度不一致,因此容易导致扇出线的阻抗不均匀,相应传输的驱动信号存在差异,最终导致显示面板显示不均。现有设计采用对扇出线绕线设计的方式使各扇出线之间的长度一致,但这种方法需增加绕线区域,不利于窄边框显示面板的设计与开发。因此,需提供一个新的设计方案,在不影响窄边框显示面板的设计与开发的情况下,解决扇出线的阻抗不均匀的问题。


技术实现要素:

3.本技术主要解决的技术问题是提供一种显示面板及其阵列基板,解决现有技术中扇出线阻抗不均匀导致显示面板显示不均的问题。
4.为了解决上述技术问题,本技术提供的第一个技术方案为:提供一种阵列基板,包括:
5.衬底,衬底具有显示区和非显示区;显示区内设置有多条数据信号线,非显示区内设置有驱动电路和多条扇出线,多条数据信号线一一对应地通过多条扇出线连接至驱动电路;其中,至少两条扇出线上设置有多个形状和大小均相同的缺口结构,以使每条扇出线之间的阻抗均匀。
6.其中,缺口结构为通槽、半连通槽、盲槽、通孔或盲孔。
7.其中,在扇出线的延伸方向上,扇出线上设置有多个缺口结构。
8.其中,至少两条扇出线上的缺口结构的数量相等。
9.其中,在平行于衬底且垂直于扇出线的延伸方向上,扇出线的至少一侧设置有缺口结构。
10.其中,在平行于衬底且垂直于扇出线的延伸方向上,扇出线两侧的缺口结构至少部分相对设置;缺口结构的宽度不大于扇出线的最大宽度的三分之一。
11.其中,在平行于衬底且垂直于扇出线的延伸方向上,缺口结构贯穿扇出线,且在垂直于衬底的方向上,缺口结构的高度小于扇出线的高度。
12.其中,在平行于衬底的方向上,扇出线的中间设置有至少一个缺口结构。
13.其中,在垂直于衬底的方向上,扇出线设置有至少两个缺口结构。
14.本技术提供的第二个技术方案为:提供一种显示面板,包括第一基板和第二基板,第一基板为上述的阵列基板;第二基板与第一基板相对设置。
15.本技术的有益效果:区别于现有技术,本技术提供了一种显示面板及其阵列基板,阵列基板包括衬底,衬底具有显示区和非显示区;显示区内设置有多条数据信号线,非显示
区内设置有驱动电路和多条扇出线,多条数据信号线一一对应地通过多条扇出线连接至驱动电路;至少一条扇出线上设置有至少一个缺口结构,以使每条扇出线之间的阻抗均匀;在垂直于衬底的方向上,扇出线具有缺口结构处的横截面积小于扇出线的最大横截面积。通过在扇出线上设置缺口结构,以减小扇出线在垂直于衬底的方向上的横截面积,从而增大扇出线的阻抗,使得长短不一的各扇出线之间的阻抗保持一致,进而在不增加绕线区域的情况下,改善显示面板显示不均的问题,同时,有利于显示面板窄边框的设计。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出任何创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
17.图1为本技术提供的显示面板一实施例的结构示意图;
18.图2是本技术提供的阵列基板一实施例的结构示意图;
19.图3是本技术提供的扇出线第一实施例的结构示意图;
20.图4是图3中a-a的剖面立体结构示意图;
21.图5是本技术提供的扇出线第二实施例的结构示意图;
22.图6是本技术提供的扇出线第三实施例的结构示意图;
23.图7是本技术提供的扇出线第四实施例的结构示意图;
24.图8是本技术提供的扇出线第五实施例的结构示意图;
25.图9是本技术提供的扇出线第六实施例的结构示意图;
26.图10是本技术提供的扇出线第七实施例的结构示意图;
27.图11是本技术提供的扇出线第八实施例的结构示意图;
28.图12是本技术提供的扇出线第九实施例的结构示意图;
29.图13是本技术提供的扇出线第十实施例的结构示意图;
30.图14是本技术提供的扇出线第十一实施例的结构示意图。
31.附图标号说明:
32.第一基板-1、衬底-10、显示区-11、数据信号线-111、非显示区-12、驱动电路-121、扇出线-122、缺口结构-1220、第二基板-2、液晶层-3、显示面板-100。
具体实施方式
33.下面结合说明书附图,对本技术实施例的方案进行详细说明。
34.以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节,以便透彻理解本技术。
35.下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
36.本技术中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗
示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本技术的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。此外,术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
37.在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
38.请参阅图1,图1为本技术提供的显示面板一实施例的结构示意图。
39.显示面板100包括相对设置的第一基板1和第二基板2,第一基板1和第二基板2中的一个为阵列基板,另一个为彩膜基板或封装基板。当第一基板1和第二基板2中的一个为封装基板时,显示面板100为发光二极管;当第一基板1和第二基板2中的一个为彩膜基板时,显示面板100可以为发光二极管,也可以为液晶显示面板100,此处不作过多限制,根据实际需求设计。下面主要以液晶显示面板100为例进行说明。
40.在本实施例中,显示面板100为液晶显示面板100,第一基板1为阵列基板,第二基板2为彩膜基板。第一基板1和第二基板2夹持位于第一基板1和第二基板2的间隔空间中的液晶层3。液晶层3在显示面板100中起到一种类似光阀的作用,可以控制透射光的明暗,从而取得信息显示的效果。
41.第一基板1包括衬底10、像素电极(图未示)和薄膜晶体管层(图未示)。第一基板1还可以包括其他功能层,此处不做限制。衬底10可以是硬性膜材,也可以是柔性膜材。衬底10为硬性膜材时,可以是玻璃等;当衬底10为柔性膜材时,可以是pi胶材。
42.第二基板2包括滤光层(图未示)和黑矩阵层(图未示),还可以包括其他功能层,此处不作限制。
43.请参阅图1和图2,图2是本技术提供的阵列基板一实施例的结构示意图。
44.衬底10具有显示区11和包围显示区11的非显示区12。显示区11内设置有多条相互平行的数据信号线111,非显示区12内设置有驱动电路121和多条扇出线122,多条数据信号线111一一对应地通过多条扇出线122连接至驱动电路121。显示区11内还可以设置像素电极和扫描信号线等结构,此处不做限制。非显示区12内还可以设置测试电路和扫描电路等结构,此处不作过多限制。驱动电路121用于驱动显示面板100,以实现显示功能。
45.扇出线122的一端连接驱动电路121,另一端连接数据信号线111,用于将驱动电路121的驱动信号传输至数据信号线111,以实现显示面板100的显示功能。多条扇出线122相互间隔设置,中间的扇出线122的长度最短,离中间的扇出线122的距离越远的扇出线122的长度越长,最外侧的扇出线122的长度最长。采用相同材质制成的扇出线122,扇出线122长度越长,阻抗越大,可以在扇出线122上设置缺口结构1220,减小扇出线122在垂直于衬底10
的方向上的横截面积,来增大较短扇出线122的阻抗,以使得长短不一的扇出线122的阻抗分布均匀,进而改善因扇出线122的阻抗不均匀,相应传输的驱动信号存在差异,导致显示面板100显示不均的现象。
46.至少两条扇出线122上设置有多个形状和大小均相同的缺口结构1220,以使每条扇出线122之间的阻抗均匀。也就是说,最少有两条扇出线122上设置有缺口结构1220或全部扇出线122上设置有缺口结构1220,且所有缺口结构1220的形状和大小均相同。缺口结构1220的形状和大小均相同,可以简化缺口结构1220的制备工艺。
47.至少两条扇出线122上的缺口结构1220的数量相等。最短的扇出线122呈直线设置,只有一条,最短的扇出线122两侧设置的其余扇出线122以最短的扇出线122为中心对称轴对称设置。也就是说,除最短的扇出线122,其余的扇出线122都是成对出现,成对出现的扇出线122的长度相同,阻抗相同,且成对出现的扇出线122上设置的缺口结构1220的数量也一样。
48.在扇出线122的延伸方向上,扇出线122上设置有多个缺口结构1220。也就是说,一条扇出线122在其延伸方向上可以设置有多个形状和大小均相同的缺口结构1220,通过调节扇出线122的缺口结构1220的数量,来改变扇出线122的阻抗。每个缺口结构1220的形状和大小均相同,可以看作一个等效电阻,通过预先计算每条扇出线122之间的阻抗差值,从而确定每条扇出线122应该设置的缺口结构1220的数量,长度越短的扇出线122,设置的缺口结构1220越多。
49.缺口结构1220为通槽、半连通槽、盲槽、通孔和盲孔中的任意一种。缺口结构1220也可以为其他不规则的形状,此处不作过多限定。缺口结构1220可以通过物理气相沉积、蚀刻和化学气相沉积等方法得到,也可以通过其他方法得到,此处不作过多限制。
50.下面对扇出线122的结构进行具体的描述,需要说明的是,下面对方向的描述中,规定平行于衬底10且垂直于扇出线122的延伸方向为x方向,平行于扇出线122的延伸方向为z方向,垂直于衬底10的方向为y方向,x方向、y方向和z方向之间相互垂直,扇出线122的横截面积是指扇出线122在y方向上的横截面积。
51.在平行于衬底10且平行于扇出线122的延伸方向上,扇出线122的至少一侧设置有缺口结构1220。也就是说,在z方向上,可以在扇出线122的任意一侧设置缺口结构1220,也可以在扇出线122的两侧均设置缺口结构1220。在z方向上,在扇出线122的一侧或两侧设置缺口结构1220时,可以在扇出线122上的y方向上设置多个缺口结构1220,其中,缺口结构1220的高度均小于扇出线122的最大高度,缺口结构1220的宽度小于扇出线122的最大宽度,防止缺口结构1220的高度和/或宽度太大,使扇出线122断线,影响扇出线122对驱动信号的传输。
52.在z方向上,在扇出线122的两侧均设置缺口结构1220时,在平行于衬底10且垂直于扇出线122的延伸方向上,扇出线122两侧的缺口结构1220至少部分相对设置;缺口结构1220的宽度不大于扇出线122的最大宽度的三分之一。当在x方向上,扇出线122两侧设置的缺口结构1220部分相对设置或完全相对设置时,缺口结构1220的宽度不大于扇出线122的最大宽度的三分之一,防止扇出线122断线;扇出线122两侧设置的缺口结构1220不相对设置时,缺口结构1220的宽度小于扇出线122的最大宽度即可。在x方向上,扇出线122上设置的缺口结构1220越多,该处的扇出线122的横截面积越小,阻抗越大。
53.在x方向上,缺口结构1220可以贯穿扇出线122,且缺口结构1220的高度小于扇出线122的高度。也就是说,在平行于衬底10的方向上,缺口结构1220连通扇出线122的两个表面或三个表面。当在x方向上,缺口结构1220连通扇出线122的两个表面时,缺口结构1220为通孔,仅连通扇出线122相对设置且垂直于衬底10的两个表面,缺口结构1220的高度小于扇出线122的高度。当在x方向上,缺口结构1220连通扇出线122的三个表面时,缺口结构1220可以分别连通扇出线122三个相互垂直的表面,也可以分别连通扇出线122相对设置且垂直于衬底10的两个表面,以及连通与扇出线122这两个表面均垂直的另外一个表面。缺口结构1220的高度小于扇出线122的高度,防止缺口结构1220的高度过大,使扇出线122断线。
54.在平行于衬底10的方向上,在扇出线122的中间可以设置有至少一个缺口结构1220。在扇出线122的中间设置有一个缺口结构1220时,缺口结构1220可以设置于扇出线122远离衬底10的一表面或设置于扇出线122靠近衬底10的一表面,也可以设置于扇出线122的中部,还可以在垂直于衬底10的方向上,贯穿扇出线122。其中,缺口结构1220设置于扇出线122的中部时,缺口结构1220被密封在扇出线122内。在y方向上,扇出线122上设置有至少一个缺口结构1220。在y向上,扇出线122上设置有一个缺口结构1220时,缺口结构1220仅设置于扇出线122远离衬底10的一表面或仅设置于扇出线122靠近衬底10的一表面或仅设置于扇出线122的中部,或仅在y方向上,贯穿扇出线122。
55.在y方向上,扇出线122设置有至少两个缺口结构1220时,至少部分缺口结构1220在衬底10上的投影至少部分相对设置或不相对设置,也就是说,在y方向上,所有的缺口结构1220均部分相对设置或完全相对设置或均不相对设置;或者部分缺口结构1220部分相对设置或全部相对设置,以及部分缺口结构1220不相对设置。在垂直于衬底10的某一平面方向上扇出线122的缺口结构1220越多,该处扇出线122的横截面积越小,能更有效地增加该处扇出线122的阻抗,同时也可以减少在扇出线122延伸方向上的缺口结构1220的数量。
56.请参阅图2至图4,图3是本技术提供的扇出线第一实施例的结构示意图,图4是图3中a-a的剖面立体结构示意图。
57.在本实施例中,在每条扇出线122上均设置有缺口结构1220,且仅在扇出线122沿z方向的右侧设置有缺口结构1220。扇出线122的长度越短,扇出线122上的缺口结构1220越多。所有的缺口结构1220的形状和大小均相同。缺口结构1220为半连通槽,分别连通扇出线122远离衬底10的一侧的表面和扇出线122垂直于衬底10一侧的表面。应当可以理解,缺口结构1220也可以其他不规则的形状,此处不作过多限制。通过在扇出线122的一侧设置缺口结构1220,在不影响窄边框显示面板100的设计与开发的情况下,可以减小扇出线122的横截面积,增大扇出线122的阻抗,从而使各扇出线122之间的阻抗均匀,进而在不增加绕线区域的情况下,改善显示面板100显示不均的问题,同时,有利于显示面板100窄边框的设计,另外,缺口结构1220的形状和大小均相同,可以简化缺口结构1220的制备工艺。
58.请参阅图2和图5,图5是本技术提供的扇出线第二实施例的结构示意图。
59.本技术提供的扇出线122第二实施例与本技术提供的扇出线122第一实施例的结构基板相同,不同之处在于:缺口结构1220为半连通槽,分别连通扇出线122靠近衬底10的一侧的表面和扇出线122垂直于衬底10一侧的表面。
60.在本实施例中,缺口结构1220为半连通槽,分别连通扇出线122靠近衬底10的一侧的表面和扇出线122垂直于衬底10一侧的表面。先对绝缘层进行蚀刻,使绝缘层有凸起结
构,再在绝缘层远离衬底10的一侧制备扇出线122,凸起结构嵌入扇出线122内形成扇出线122的缺口结构1220。缺口结构1220也可以通过其他方法制得,此处不作过多限制。缺口结构1220也可以为其他形状,此处不作过多限制。通过在扇出线122的一侧设置形状和大小均相同的缺口结构1220,不仅可以使各扇出线122之间的阻抗均匀,还可以简化缺口结构1220的制备工艺。
61.请参阅图2和图6,图6是本技术提供的扇出线第三实施例的结构示意图。
62.本技术提供的扇出线122第三实施例与本技术提供的扇出线122第一实施例的结构基板相同,不同之处在于:在垂直于衬底10的方向上,缺口结构1220贯穿扇出线122。
63.在本实施例中,缺口结构1220为通槽,分别连通扇出线122靠近衬底10的一侧的表面、扇出线122远离衬底10的一侧的表面以及扇出线122垂直于衬底10一侧的表面。也就是说,在y方向上,缺口结构1220贯穿扇出线122,本实施例比本技术扇出线122第一实施中的缺口结构1220的高度更大;同时,缺口结构1220的宽度必须小于扇出线122未设置缺口结构1220处的宽度,防止缺口结构1220的宽度过大,使扇出线122断线,影响该扇出线122上对驱动信号的传输。在缺口结构1220的形状和大小均相同的情况下,缺口结构1220的高度越大,设置有该缺口结构1220处的扇出线122的横截面积越小,能更有效的增大该处扇出线122的阻抗,从而可以减小扇出线122上缺口结构1220的数量,简化缺口结构1220的制备工艺。
64.请参阅图2和图7,图7是本技术提供的扇出线第四实施例的结构示意图。
65.本技术提供的扇出线122第四实施例与本技术提供的扇出线122第一实施例的结构基板相同,不同之处在于:缺口结构1220设置于扇出线122垂直于衬底10的侧面上,且缺口结构1220仅连通扇出线122垂直于衬底10的一侧面。
66.在本实施例中,在z方向上,扇出线122的一侧设置有缺口结构1220,缺口结构1220为盲槽,缺口结构1220设置于扇出线122垂直于衬底10的侧面上,且缺口结构1220仅连通扇出线122垂直于衬底10的一侧面。在制备缺口结构1220时,可以先制备一层金属层,在金属层上蚀刻缺口结构1220,再在缺口结构1220处填充绝缘材料,然后在这层金属层靠近缺口结构1220的这一侧制备另一层金属层,金属层为扇出线122,即,得到具有该缺口结构1220的扇出线122。缺口结构1220也可以通过其他方法制的,此处不作过多限制。在本实施例中,在y方向上,缺口结构1220设置有一个。在其他可选实施例中,在y方向上,缺口结构1220可以间隔设置多个。缺口结构1220也可以为其他形状。与本技术提供扇出线122的第一实施例相比,本实施例同样可以减小扇出线122的横截面积,增加其阻抗,使得各扇出线122之间的阻抗分布均匀。
67.在其他可选实施中,在z方向上,仅在扇出线122的一侧设置有缺口结构1220时,部分扇出线122的左侧设置有缺口结构1220,部分扇出线122的右侧设置有缺口结构1220。
68.请参阅图2和图8,图8是本技术提供的扇出线第五实施例的结构示意图。
69.本技术提供的扇出线122第五实施例与本技术提供的扇出线122第三实施例的结构基板相同,不同之处在于:在z方向上,在扇出线122的两侧均设置有缺口结构1220,且缺口结构1220的宽度不大于扇出线122的最大宽度的三分之一。
70.在本实施例中,在z方向上,每条扇出线122两侧设置的缺口结构1220相对设置,且缺口结构1220的宽度不大于扇出线122的最大宽度的三分之一。缺口结构1220为通槽,分别连通扇出线122远离衬底10的一侧的表面、扇出线122靠近衬底10一侧的表面和扇出线122
垂直于衬底10的一侧面。在其他可选实施例中,在z方向上,扇出线122两侧设置的缺口结构1220可以部分相对设置或不相对设置。缺口结构1220也可以为其他形状。与本技术提供的扇出线122第三实施例相比,在缺口结构1220的形状和大小相同的情况下,在垂直于衬底10的某一平面方向上扇出线122的缺口结构1220越多,该处扇出线122的横截面积越小,能更有效地增加该处扇出线122的阻抗,同时也可以减少在扇出线122延伸方向上的缺口结构1220的数量。
71.请参阅图2和图9,图9是本技术提供的扇出线第六实施例的结构示意图。
72.本技术提供的扇出线122第六实施例与本技术提供的扇出线122第四实施例的结构基板相同,不同之处在于:在x方向上,缺口结构1220分别连通扇出线122相对设置且垂直于衬底10的两个表面,以及连通扇出线122远离衬底10的表面。
73.在本实施例中,在x方向上,缺口结构1220分别连通扇出线122相对设置且垂直于衬底10的两个表面,以及连通扇出线122远离衬底10的表面。缺口结构1220为通槽,通槽在平行于衬底10方向上的截面为平行四边形,在其他可选实施例中,缺口结构1220也可以为其他形状。与本技术提供扇出线122的第四实施例相比,在缺口结构1220的长度和高度均相同的情况下,缺口结构1220的宽度越宽,扇出线122的横截面积越小,能更有效地增加扇出线122的阻抗。
74.请参阅图2和图10,图10是本技术提供的扇出线第七实施例的结构示意图。
75.本技术提供的扇出线122第七实施例与本技术提供的扇出线122第六实施例的结构基板相同,不同之处在于:在x方向上,缺口结构1220连通扇出线122相对设置且垂直于衬底10的两个表面。
76.在本实施例中,在x方向上,缺口结构1220连通扇出线122相对设置且垂直于衬底10的两个表面,缺口结构1220为通孔。与本技术提供扇出线122的第六实施例相比,本实施例同样可以减小扇出线122的横截面积,增加其阻抗,使得各扇出线122之间的阻抗分布均匀。
77.请参阅图2和图11,图11是本技术提供的扇出线第八实施例的结构示意图。
78.本技术提供的扇出线122第八实施例与本技术提供的扇出线122第一实施例的结构基板相同,不同之处在于:在x方向上,在扇出线122的中间设置有一个缺口结构1220,且缺口结构1220设置于扇出线122远离衬底10的一表面。
79.在本实施例中,在x方向上,在扇出线122的中间设置有一个缺口结构1220。缺口结构1220为盲槽,设置于扇出线122远离衬底10的一表面。在其他可选实施例中,缺口结构1220为盲槽,可以设置于扇出线122靠近衬底10的一表面。与本技术提供扇出线122的第一实施例相比,本实施例同样可以减小扇出线122的横截面积,增加其阻抗,使得各扇出线122之间的阻抗分布均匀。
80.请参阅图2和图12,图12是本技术提供的扇出线第九实施例的结构示意图。
81.本技术提供的扇出线122第九实施例与本技术提供的扇出线122第一实施例的结构基板相同,不同之处在于:在x方向上,在扇出线122的中间设置有一个缺口结构1220,且缺口结构1220在垂直于衬底10的方向上贯穿扇出线122。
82.在本实施例中,缺口结构1220在垂直于衬底10的方向上贯穿扇出线122,即缺口结构1220连通扇出线122远离衬底10的一表面和扇出线122靠近衬底10的一表面。缺口结构
1220为通孔,通孔在平行于衬底10的方向上的截面为矩形,在x方向上,缺口结构1220的宽度小于扇出线122的最大宽度。与本技术提供的扇出线122第一实施例相比,在缺口结构1220的长度和宽度相同的情况下,缺口结构1220的高度更大,设置有该缺口结构1220处的扇出线122的横截面积越小,能更有效的增大该处扇出线122的阻抗,从而可以减小扇出线122上缺口结构1220的数量,简化缺口结构1220的制备工艺。
83.请参阅图2和图13,图13是本技术提供的扇出线第十实施例的结构示意图。
84.本技术提供的扇出线122第十实施例与本技术提供的扇出线122第一实施例的结构基板相同,不同之处在于:在x方向上,在扇出线122的中间设置有两个缺口结构1220,且两个缺口结构1220均设置于扇出线122远离衬底10的表面。
85.在本实施例中,在x方向上,在扇出线122的中间设置有两个缺口结构1220,缺口结构1220为盲槽,两个缺口结构1220均设置于扇出线122远离衬底10的表面。在x方向上,两个缺口结构1220完全相对设置。在垂直于衬底10的某一平面内,设置的缺口结构1220越多,该处的扇出线122的横截面积越小,能更有效的增大该处扇出线122的阻抗。
86.请参阅图2和图14,图14是本技术提供的扇出线第十一实施例的结构示意图。
87.本技术提供的扇出线122第十一实施例与本技术提供的扇出线122第十实施例的结构基板相同,不同之处在于:在x方向上,在扇出线122的中间设置有两个缺口结构1220,一个缺口结构1220设置于扇出线122远离衬底10的表面,另一个缺口结构1220设置于扇出线122靠近衬底10的表面。
88.在本实施例中,在x方向上,在扇出线122的中间设置有两个缺口结构1220,缺口结构1220为盲槽,一个缺口结构1220设置于扇出线122远离衬底10的表面,另一个缺口结构1220设置于扇出线122靠近衬底10的表面。在y方向上,两个缺口结构1220不相对设置,在x方向上,两个缺口结构1220也不相对设置。在垂直于衬底10的某一平面内,设置的缺口结构1220越多,该处的扇出线122的横截面积越小,能更有效的增大该处扇出线122的阻抗。
89.本技术提供了一种阵列基板,阵列基板包括衬底10,衬底10具有显示区11和非显示区12;显示区11内设置有多条数据信号线111,非显示区12内设置有驱动电路121和多条扇出线122,多条数据信号线111一一对应地通过多条扇出线122连接至驱动电路121;至少一条扇出线122上设置有至少一个缺口结构1220,以使每条扇出线122之间的阻抗均匀;在垂直于衬底10的方向上,扇出线122具有缺口结构1220处的横截面积小于扇出线122的最大横截面积。通过在扇出线122上设置缺口结构1220,以减小扇出线122在垂直于衬底10的方向上的横截面积,从而增大扇出线122的阻抗,使得长短不一的各扇出线122之间的阻抗保持一致,进而在不增加绕线区域的情况下,改善显示面板100显示不均的问题,同时,有利于显示面板100窄边框的设计。
90.以上仅为本技术的实施方式,并非因此限制本技术的专利保护范围,凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本技术的专利保护范围内。
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