1.一种基于hemt的太赫兹相控阵无栅调控开关，包括衬底、形成于所述衬底上的缓冲层，其特征在于，所述太赫兹相控阵无栅调控开关还包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于hemt的太赫兹相控阵无栅调控开关，其特征在于，所述衬底的材料为si、sic、蓝宝石、inp或gaas，所述缓冲层的材料为gan、algan、gaas、algaas或ingaas。
3.根据权利要求1所述的一种基于hemt的太赫兹相控阵无栅调控开关，其特征在于，所述二维电子气台面层的材料体系为gaas/algaas异质结构、ingaas/algaas异质结构、ingaas/inalas异质结构、gan/algan异质结构或ingan/algan异质结构。
4.根据权利要求1所述的一种基于hemt的太赫兹相控阵无栅调控开关，其特征在于，所述第一台面层为矩形台面层，其长度为5μm-20μm，宽度10μm-200μm。
5.根据权利要求1所述的一种基于hemt的太赫兹相控阵无栅调控开关，其特征在于，所述第二台面层为直线结构的台面层或蛇形结构的台面层。
6.根据权利要求1所述的一种基于hemt的太赫兹相控阵无栅调控开关，其特征在于，所述阵列共计m个，其中1＜m≤4096。
7.根据权利要求1所述的一种基于hemt的太赫兹相控阵无栅调控开关，其特征在于，所述金属复合导电层的材料为ni/au、cr/au、ti/au、ni/cu或ti/ag，其中ni、cr、ti的厚度为3nm-50nm，au、cu、ag的厚度为50nm-200nm。
8.根据权利要求1所述的一种基于hemt的太赫兹相控阵无栅调控开关，其特征在于，所述天线为碟形天线，其材料为ni/au、cr/au、ti/au、ni/cu、ti/ag或ti/al/ni/au，其中，ni、cr、ti的厚度为3nm-50nm，au、al、cu、ag的厚度为50nm-500nm。
9.根据权利要求1所述的一种基于hemt的太赫兹相控阵无栅调控开关，其特征在于，所述天线的长宽尺寸在7.5μm-750μm之间，且所述天线与金属复合导电层在横向上的交叠区至少为2μm。
10.根据权利要求1所述的一种基于hemt的太赫兹相控阵无栅调控开关，其特征在于，所述欧姆电极的材料为ti/al/ni/au或au/ge/ni/au。