流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置的制作方法

本发明涉及流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。更详细地，本发明涉及能够应用于为制造半导体元件而进行的基板清洗工艺的流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。

背景技术：

1、半导体元件制造工艺可以在半导体元件制造设备中连续地执行，并且可以分为前工艺和后工艺。半导体制造设备可以设置在定义为fab(fabrication plant，制造工厂)的空间，以制造半导体元件。

2、前工艺是指在晶片(wafer)上形成电路图案以完成芯片(chip)的工艺。前工艺可以包括在晶片上形成薄膜的沉积工艺(deposition process)、利用光掩模(photo mask)将光刻胶(photo resist)转印到薄膜上的曝光工艺(photo lithography process)、利用化学物质或反应性气体来选择性地去除不需要的部分以在晶片上形成期望的电路图案的蚀刻工艺(etching process)、去除蚀刻后残留的光刻胶的灰化工艺(ashing process)、向与电路图案连接的部分注入离子以使其具有电子元件特性的离子注入工艺(ionimplantation process)、去除晶片上的污染源的清洗工艺(cleaning process)等。

3、后工艺是指对通过前工艺完成的产品的性能进行评价的工艺。后工艺可以包括检查晶片上的各个芯片是否工作以筛选优良品和不良品的一次检查工艺、通过切片(dicing)、贴片(die bonding)、焊线(wire bonding)、成型(molding)、标记(marking)等对各个芯片进行切割和分离以使其具有产品的形状的封装工艺(package process)、通过电特性检查、老化(burn in)检查等来对产品的特性和可靠性进行最终检查的最终检查工艺等。

技术实现思路

1、清洗工艺可以通过依次执行用药液(chemical)去除基板上的杂质的工艺、用纯水(例如，去离子水(diw：de-ionized water))清洗药液的工艺、对基板进行干燥的工艺等来执行。

2、在对基板进行干燥的工艺的情况下，可以向其中布置有基板的容器(vessel)的内部供应超临界流体以处理基板。然而，用于向容器供应超临界流体的管道由多个曲管(bentpipe)构成。因此，由于曲管而在管道内发生超临界流体的流动不均匀，并且在容器内的喷出部中发生流动不均匀。

3、此外，由于这种现象，涂布在容器内的基板上的显影液因不均匀的流场而不均匀地干燥，并且因此产生聚集性微粒(particle)。

4、本发明要解决的技术问题是提供设置在管道内以稳定内部气流的流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。

5、本发明的技术问题不限于上述技术问题，本领域的技术人员可以通过下面的记载清楚地理解未提及的其它技术问题。

6、用于解决上述技术问题的本发明的基板处理装置的一方面(aspect)包括：壳体；支承单元，设置在所述壳体的内部，并且在基板的两侧支承所述基板；加热部件，设置于所述壳体的侧壁，并且用于产生用于处理所述基板的热量；流体供应单元，用于向所述壳体的内部供应用于处理所述基板的流体，并且包括上部流体供应部、下部流体供应部和供应管道，所述上部流体供应部用于向所述基板的上部供应所述流体，所述下部流体供应部用于向所述基板的下部供应所述流体，所述供应管道与所述上部流体供应部和所述下部流体供应部中的至少一个流体供应部连接；以及流动阻力产生单元，设置于所述供应管道，并且对通过所述供应管道的所述流体产生流动阻力，其中，所述流动阻力产生单元设置在所述供应管道所包括的曲管与所述上部流体供应部或所述下部流体供应部之间。

7、所述流动阻力产生单元可以对通过所述曲管并流向所述上部流体供应部或所述下部流体供应部的流体产生流动阻力。

8、在所述曲管为多个的情况下，所述流动阻力产生单元可以设置在相邻于所述上部流体供应部或所述下部流体供应部的曲管与所述上部流体供应部或所述下部流体供应部之间。

9、所述流动阻力产生单元可以限制所述流体的流量从而对所述流体产生流动阻力。

10、所述流动阻力产生单元可以设置为多个。

11、所述流动阻力产生单元可以分别设置在所述曲管的前后。

12、所述流动阻力产生单元可以包括：主体；以及内部孔，形成在所述主体的内部，其中，所述内部孔的宽度可变。

13、所述内部孔可以包括瓶颈区间。

14、所述内部孔的宽度可以朝向中央减小，并且可以朝向两端增大。

15、所述流动阻力产生单元可以设置为孔口(orifice)型结构、多管型结构和缓冲罐型结构中的任一种结构。

16、所述流动阻力产生单元在设置为孔口型结构的情况下可以具有包括瓶颈区间的内部孔。

17、所述流动阻力产生单元在设置为多管型结构的情况下可以形成为在分支之后重新结合。

18、所述流动阻力产生单元在设置为缓冲罐型结构的情况下可以具有宽度大于所述供应管道的内部孔。

19、所述流动阻力产生单元可以包括：主体；内部孔，形成在所述主体的内部；以及翼部件，从所述主体的内表面突出形成，其中，所述翼部件使所述流体旋转。

20、所述翼部件可以沿着所述主体的内表面的周向从所述主体的一端延伸到所述主体的另一端。

21、所述翼部件可以设置为多个，以及多个所述翼部件可以在所述主体的内表面上间隔开设置，并且可以设置在彼此不同的高度。

22、所述基板处理装置还可以包括：翼部件，形成在所述供应管道的内部、所述上部流体供应部的内部和所述下部流体供应部的内部中的至少一处，并且用于使所述流体旋转。

23、所述流体可以是超临界流体。

24、用于解决上述技术问题的本发明的基板处理装置的另一方面包括：壳体；支承单元，设置在所述壳体的内部，并且在基板的两侧支承所述基板；加热部件，设置于所述壳体的侧壁，并且用于产生用于处理所述基板的热量；流体供应单元，用于向所述壳体的内部供应用于处理所述基板的流体，并且包括上部流体供应部、下部流体供应部和供应管道，所述上部流体供应部用于向所述基板的上部供应所述流体，所述下部流体供应部用于向所述基板的下部供应所述流体，所述供应管道与所述上部流体供应部和所述下部流体供应部中的至少一个流体供应部连接；以及流动阻力产生单元，设置于所述供应管道，并且对通过所述供应管道的所述流体产生流动阻力，其中，所述流动阻力产生单元设置在所述供应管道所包括的曲管与所述上部流体供应部或所述下部流体供应部之间，并且对通过所述曲管并流向所述上部流体供应部或所述下部流体供应部的流体产生流动阻力，以及所述流动阻力产生单元设置为孔口(orifice)型结构、多管型结构和缓冲罐型结构中的任一种结构，且在设置为孔口型结构的情况下具有包括瓶颈区间的内部孔，在设置为多管型结构的情况下形成为在分支之后重新结合，以及在设置为缓冲罐型结构的情况下具有宽度大于所述供应管道的内部孔。

25、用于解决上述技术问题的本发明的流动阻力产生单元的一方面包括：主体；以及内部孔，形成在所述主体的内部，其中，所述流动阻力产生单元设置于为了处理基板而向布置有所述基板的壳体的内部供应流体的供应管道，并且设置在所述供应管道所包括的曲管与为了向所述基板的上部和下部输送所述流体而设置于所述壳体的流体供应部之间，并且对通过所述曲管并流向所述流体供应部的流体产生流动阻力，以及所述流动阻力产生单元通过所述内部孔的宽度变化来限制所述流体的流量从而对所述流体产生流动阻力。

26、其他实施例的具体事项包括在详细的说明及附图中。