技术特征：
1.一种外延沉积工艺腔室，包含：腔室主体；第一透射构件，设置在所述腔室主体内；第二透射构件，设置在所述腔室主体内；基板支撑件，设置在所述第一透射构件和所述第二透射构件之间；第一多个加热灯，设置在所述第一透射构件上方，其中所述第一透射构件设置在所述第一多个加热灯和所述基板支撑件之间；和辐射源组件，其中所述辐射源组件包含：盖板；源头，指在所述基板支撑件处；透镜，经配置以将来自所述源头的一个或多个辐射束聚焦成束；和安装支架，耦接到所述腔室主体并且经配置以保持所述源头和透镜保持器二者，所述透镜保持器经配置以保持所述透镜和所述安装支架。2.如权利要求1所述的工艺腔室，进一步包含：第二多个加热灯，设置在所述第二透射构件下方，其中所述第二透射构件设置在所述基板支撑件和所述第二多个加热灯之间；底座环，设置在所述第一透射构件和所述第二透射构件之间；反射器，设置在所述第一多个加热灯上方；运动组件，耦接到所述基板支撑件的轴；多个升降杆，穿过所述基板支撑件设置；工艺气体入口，设置在所述底座环中；和气体出口，在所述底座环的与所述工艺气体入口相对侧上设置在所述底座环中。3.如权利要求1所述的工艺腔室，其中所述束具有在2mm和10mm之间的直径，并且所述源头经定位以引导所述束在距离所述盖板的中心位置90mm和130mm的半径之间的所述基板支撑件的环形区域处，以局部地加热基板的冷区域。4.如权利要求3所述的工艺腔室，其中所述辐射源组件是激光源。5.如权利要求3所述的工艺腔室，其中所述辐射源组件包括垂直腔面发射激光器。6.一种工艺腔室，包含：第一透射构件；第二透射构件；基板支撑件，设置在所述第一透射构件和所述第二透射构件之间；运动组件，耦接到所述基板支撑件的轴；第一多个加热灯，设置在所述第一透射构件上方，其中所述第一透射构件设置在所述第一多个加热灯和所述基板支撑件之间；和第一辐射源组件，其中所述第一辐射源组件包含：盖板，设置在所述第一多个加热灯上方，其中所述第一多个加热灯设置在所述第一透射构件和所述盖板之间；源头；和安装支架，用于将所述源头耦接到所述盖板，其中光学保持器耦接到所述安装支架并
且所述光学保持器保持一个或多个光学元件；和控制器，经配置以：检测所述基板支撑件的基板的旋转方位；当所述基板的所述旋转方位到达第一目标方位时，引起激发来自所述第一辐射源组件的辐射束；和当所述基板的所述旋转方位到达第二目标方位时，停止来自所述第一辐射源组件的所述辐射束的激发。7.如权利要求6所述的工艺腔室，其中所述光学元件包含透镜，并且所述光学保持器是透镜保持器。8.如权利要求7所述的工艺腔室，其中所述透镜是非球面透镜。9.如权利要求6所述的工艺腔室，其中所述第一辐射源组件进一步包含笼板和两个保持环，所述两个保持环经配置以将纤维连接器固定到所述第一辐射源组件。10.如权利要求9所述的工艺腔室，其中所述光学保持器进一步包含透镜固定环，所述透镜固定环用于固定透镜。11.如权利要求6所述的工艺腔室，其中所述辐射束以不垂直于所述基板支撑件的顶表面的角度设置。12.一种工艺腔室，包含：第一透射构件；第二透射构件；基板支撑件，设置在所述第一透射构件和所述第二透射构件之间；第一多个加热灯，设置在所述第一透射构件上方，其中所述第一透射构件设置在所述第一多个加热灯和所述基板支撑件之间；盖，设置在所述第一多个加热灯上方；第一辐射源组件，设置在所述盖上，其中支架用于支撑所述第一辐射源组件的部件，并且其中所述第一辐射源组件包含：光学保持器，用于保持透镜，其中所述光学保持器耦接到所述支架；和笼板，设置在所述支架上，用于固定纤维连接器，其中高能量辐射源经由纤维而连接到所述纤维连接器；和控制器，经配置以：检测基板的旋转方位；当所述基板的所述旋转方位到达第一目标方位时，引起激发来自所述第一辐射源组件的辐射束；和当所述基板的所述旋转方位到达第二目标方位时，停止所述第一辐射源组件的激发。13.如权利要求12所述的工艺腔室，其中所述透镜是非球面透镜。14.如权利要求12所述的工艺腔室，其中所述第一辐射源组件从激光二极管发射激光，并且来自所述第一辐射源组件的所述一个或多个辐射束具有约2mm至约10mm的直径。15.如权利要求12所述的工艺腔室，其中所述第一透射构件和所述第二透射构件包含光学透明材料。16.如权利要求15所述的工艺腔室，其中所述光学透明材料是石英。
17.如权利要求12所述的工艺腔室，其中所述辐射束被引导在从约90mm至约130mm的所述基板支撑件的环形区域处。18.如权利要求12所述的工艺腔室，其中所述基板支撑件进一步包含设置在所述基板支撑件上的标记。19.如权利要求12所述的工艺腔室，其中所述基板支撑件进一步包含旋转编码器。20.如权利要求12所述的工艺腔室，其中所述工艺腔室包含叉流气体注射器。
技术总结
本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。这又改善了沉积均匀性。这又改善了沉积均匀性。
技术研发人员：舒伯特
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2016.10.07
技术公布日：2022/10/18