技术特征：
1.半导体器件的制造方法，其具有：供给改性气体，使未被掩蔽的衬底上的沉积膜改性而形成改性膜的改性工序；和包含至少同时供给被等离子体活化的除去气体、和保护膜形成气体的时刻而除去所述改性膜的改性膜除去工序。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其具有将所述改性工序和所述改性膜除去工序作为一个循环、并将所述一个循环重复进行规定次数的重复工序。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其具有将所述改性工序和所述改性膜除去工序重复规定次数的工序。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其具有将所述改性膜除去工序重复规定次数的工序。5.如权利要求1或3所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述除去气体的工序期间，将供给所述保护膜形成气体的工序执行规定次数。6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，提供在所述除去气体的供给后，开始供给所述保护膜形成气体的半导体器件的制造方法。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，提供在所述除去气体的供给开始的同时，开始供给所述保护膜形成气体的半导体器件的制造方法。8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，提供在所述除去气体的供给停止前，停止供给所述保护膜形成气体的半导体器件的制造方法。9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，提供在所述除去气体的供给停止的同时，停止供给所述保护膜形成气体的半导体器件的制造方法。10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其具有在所述改性膜除去工序之后供给后处理气体而将所述改性膜的表面的保护膜除去的保护膜除去工序。11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其具有将所述改性工序、所述改性膜除去工序和所述保护膜除去工序作为一个循环，并将所述一个循环重复进行规定次数的重复工序。12.衬底处理装置，其具有：处理室，其处理衬底；改性气体供给部，其向所述处理室供给改性气体；除去气体供给部，其向所述处理室供给被等离子体活化的除去气体；保护膜形成气体供给部，其向所述处理室供给保护膜形成气体；和控制部，其能够进行下述处理，即，从所述改性气体供给部供给所述改性气体，使未被掩蔽的衬底上的沉积膜改性而形成改性膜的处理、和包含至少同时地从所述除去气体供给部供给所述除去气体、和从所述保护膜形成气体供给部供给所述保护膜形成气体的时刻而除去所述改性膜的处理。13.计算机可读取的记录介质，其记录有利用计算机使衬底处理装置执行下述步骤的程序：供给改性气体，使未被掩蔽的衬底上的沉积膜改性而形成改性膜的步骤；和包含至少同时供给被等离子体活化的除去气体、和保护膜形成气体的时刻而除去所述改性膜的步骤。
技术总结
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置和记录介质。提供减小等离子体指向性的影响、能够实现各向同性蚀刻的技术。半导体器件的制造方法具有：供给改性气体，使未设置图案的衬底上的沉积膜改性而形成改性膜的改性工序；和包含至少同时供给被等离子体活化的除去气体、和保护膜形成气体的时刻而除去改性膜的改性膜除去工序。的改性膜除去工序。的改性膜除去工序。
技术研发人员：大桥直史
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：2022.07.26
技术公布日：2023/3/2