阵列基板、显示面板和显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示面板领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。


背景技术：

2.在现有显示装置中，通过阵列基板向发光层进行供电，阵列基板中的部分导电层采用沉积的方式形成于无机膜层的无机孔内。无机孔的内壁面与阵列基板的衬底所在的表面之间形成夹角，由于无机孔内沉积形成的导电层比较薄，导电层在该夹角处以及无机孔内壁面容易发生断裂，从而导致导电层断电，显示面板显示不良。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，目的在于增加导电层在无机孔内与无机膜层的接触面积，降低了无机孔内导电层断裂的机率。
4.本技术第一方面的实施例提供了一种阵列基板，阵列基板包括衬底、无机膜层和导电层，无机膜层设置于衬底的一侧，无机膜层具有多个无机孔，无机孔包括第一开口和至少一个第二开口，在一无机孔中，第一开口与第二开口连通，且所述第二开口的开口大小小于第一开口的开口大小；所述无机膜层还包括定义所述第一开口的第一侧面和定义所述第二开口的第二侧面，所述第一侧面与所述衬底靠近所述无机膜层的表面所在的平面之间夹角为钝角，所述第二侧面与所述衬底靠近所述无机膜层的表面所在的平面之间夹角为钝角。
5.根据本技术第一方面的实施方式，对应与一个第一开口连通的第二开口有多个，与同一第一开口连通的多个第二开口绕该第一开口间隔设置。
6.根据本技术第一方面前述任一实施方式，与同一第一开口连通的多个第二开口绕该第一开口均匀间隔设置。
7.根据本技术第一方面前述任一实施方式，与同一第一开口连通的多个第二开口中，相邻两个第二开口之间的最小间隔距离大于或等于2μm。
8.根据本技术第一方面前述任一实施方式，第一开口沿垂直于阵列基板的厚度方向上的横截面为圆形。
9.根据本技术第一方面前述任一实施方式，第一开口的开口直径大于或等于2μm。
10.根据本技术第一方面前述任一实施方式，第二开口沿垂直于阵列基板的厚度方向上的横截面为矩形。
11.根据本技术第一方面前述任一实施方式，第二侧面包括第一表面、第二表面和第三表面，第一表面和第三表面相对设置，第二表面连接第一表面和第二表面，第一表面和第三表面分别连接第一侧面。
12.根据本技术第一方面前述任一实施方式，第一表面到第三表面的最大距离大于或等于1μm。
13.根据本技术第一方面前述任一实施方式，第二侧面为向远离第一开口的方向凸出
的曲面。
14.根据本技术第一方面前述任一实施方式，第二开口沿垂直于阵列基板的厚度方向上的横截面为弧形。
15.根据本技术第一方面前述任一实施方式，第二开口的最大弦长大于或等于1μm。
16.根据本技术第一方面前述任一实施方式，无机膜层包括第一无机层和第二无机层，第二无机层设置于第一无机层远离衬底的一侧；无机孔包括沿阵列基板的厚度方向相互连通的第三开口和第四开口，第三开口位于第一无机层，第四开口位于第二无机层。
17.根据本技术第一方面前述任一实施方式，无机膜层包括定义第三开口的第三侧面和定义第四开口的第四侧面，第三侧面与衬底靠近所述无机膜层的表面所在的平面之间的最大夹角为第一倾斜角，第四侧面与衬底靠近所述无机膜层的表面所在的平面之间的最大夹角为第二倾斜角；第一倾斜角小于第二倾斜角。
18.根据本技术第一方面前述任一实施方式，阵列基板还包括有机膜层，有机膜层设置于无机膜层远离衬底的一侧，导电层设置于有机膜层和无机膜层之间。
19.根据本技术第一方面前述任一实施方式，有机膜层填充无机孔并覆盖导电层。
20.根据本技术第一方面前述任一实施方式，导电层在无机膜层上的投影覆盖第一开口和第二开口。
21.根据本技术第一方面前述任一实施方式，信号线还包括相互连接的第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部在无机膜层上的投影覆盖第一开口和第二开口，第二延伸部绕无机孔设置。
22.本技术第二方面的实施例还提供了一种显示面板，包括上述第一方面任一实施例提供的阵列基板。
23.根据本技术第二方面前述任一实施方式，显示面板包括第一显示区、过渡显示区和第二显示区，其中，第一显示区、过渡显示区和第二显示区的像素发光单元密度依次降低，无机孔至少部分位于过渡显示区和/或第二显示区，位于第二显示区的像素发光单元通过信号线与位于过渡显示区的驱动电路电连接；第二显示区用于与感光组件对应设置。
24.本技术第三方面的实施例还提供了一种显示装置，包括上述第二方面提供的阵列基板。
25.在本技术实施例提供的阵列基板、显示面板和显示装置中，通过设置第一开口与第二开口连通，使得无机孔相较于第一开口具有更大的表面积，增加信号线在无机孔内与无机膜层的接触面积，同时对两个开口的大小进行设计，且侧面倾斜设置，沉积导电材料形成信号线的过程中，粒子惯性产生的作用力，使得导电材料容易向第二开口聚集，从而第二开口处导电材料厚度较大，不容易断线，从而有效降低导电层由于信号线断裂而导致的断电机率，提高阵列基板的稳定性。
附图说明
26.通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
27.图1是本技术第一方面实施例提供的阵列基板的无机孔的俯视图；
28.图2是本技术第一方面实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
29.图3是本技术第一方面实施例提供的阵列基板的另一无机孔的俯视图；
30.图4是本技术第一方面实施例提供的阵列基板的另一无机孔的俯视图；
31.图5是本技术第一方面实施例提供的另一阵列基板的剖面结构示意图；
32.图6是本技术第一方面实施例提供的另一阵列基板的剖面结构示意图；
33.图7是本技术第一方面实施例提供的另一阵列基板的剖面结构示意图。
34.附图标记说明：
35.1、衬底；
36.2、无机膜层；21、无机孔；211、第一开口；212、第二开口；213、第三开口；214、第四开口；22、第一无机层；221、第三侧面；23、第二无机层；231、第四侧面；24、第一侧面；25、第二侧面；251、第一表面；252、第二表面；253、第三表面；
37.3、导电层；31、信号线；311、第一延伸部；312、第二延伸部；
38.4、有机膜层。
39.具体施方式
40.下面将详细描述本技术的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本技术进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本技术，并不被配置为限定本技术。对于本领域技术人员来说，本技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本技术的示例来提供对本技术更好的理解。
41.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
42.应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
43.在现有显示装置中，通过阵列基板向发光层进行供电，阵列基板中的部分导电层采用沉积的方式形成于无机膜层的无机孔内。无机孔的内壁面与阵列基板的衬底所在的表面之间形成夹角，由于无机孔内沉积形成的导电层比较薄，导电层在该夹角处以及无机孔内壁面容易发生断裂，从而导致导电层部分区域断电，显示面板显示不良。特别是在无机膜层采用cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)成膜，无机膜层上的无机孔采用气体刻蚀形成的情况下，无机孔的内壁面与衬底所在的表面之间的夹角为锐角，更容易导致导电层在该夹角处容易断裂。
44.为解决上述问题，本技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，以下
将结合附图对阵列基板、显示面板和显示装置的各实施例进行说明。
45.请参阅图1和图2，本技术第一方面实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括衬底1、无机膜层2和导电层3，无机膜层2设置于衬底1的一侧，无机膜层2具有多个无机孔21，无机孔21包括第一开口211和至少一个第二开口212，在一无机孔21中第一开口211与第二开口212相连通，且第二开口212的大小小于第一开口211的开口大小；此外，无机膜层2还包括定义第一开口211的第一侧面24和定义第二开口212的第二侧面25，第一侧面24与衬底1靠近无机膜层2的表面所在的平面之间夹角为钝角第二侧面25与衬底1靠近无机膜层2的表面所在的平面之间夹角为钝角；导电层3包括多个信号线31，信号线31至少设置于无机孔21内，信号线31在无机膜层2的投影分别与第一开口211和第二开口212交叠。
46.其中，衬底1可以为硅基底，也可以采用柔性衬底，比如聚酰亚胺。无机膜层可采用化学气相沉积的方式制备，第一开口211和第二开口212可以一并通过气体刻蚀形成。第一开口211和第二开口212可以沿无机膜层2到衬底1的方向逐渐刻蚀形成，使得第一开口211和第二开口212分别沿阵列基板的厚度方向x开设。
47.第一侧面24和第二侧面25即为无机孔21的内侧壁。第一开口211沿垂直于厚度方向x的横截面可以呈圆形、方形或其他所需形状。为方便说明以下以第一开口211沿垂直于厚度方向x的横截面可以为圆形为例进行说明。无机孔的最大口径一定的情况下，与横截面为圆形的无机孔相比，本技术设置有第一开口211和第二开口212的无机孔21具有更大的表面积供信号线31延伸形成。而位于无机孔21处的信号线31可以通过沉积的方式形成，使得信号线31可以呈现为沿无机孔21的内侧壁和底壁延伸的膜层，即信号线31可以沿第一侧面24、第二侧面25倾斜设置。
48.本实施例中，通过在第一开口211的周向设置第二开口212，且第一开口211与第一开口211连通，使得无机孔21相较于第一开口211具有更大的表面积，增加信号线31在无机孔21内与无机膜层2的接触面积，同时，由于无机孔21本身内侧壁为倾斜状态，通过设有第二开口212，且第二开口212的开口大小小于第一开口211的开口大小，使得在沉积导电材料形成信号线31的过程中，导电材料容易向第二开口212聚集，从而第二开口212处导电材料厚度较大，不容易断线，且导电材料从第二开口212过渡到第一开口211，从而有效降低导电层3由于信号线31断裂而导致的断电机率，提高阵列基板的稳定性。
49.在相关技术中，阵列基板可应用于具有屏下摄像头(under display camera)的显示面板中，该显示面板包括第一显示区和第二显示区，以及设置于第一显示区和第二显示区之间的过渡显示区，第二显示区、过渡显示区和第一显示区可进行发光显示。第二显示区、过渡显示区和第一显示区的光线透过率依次降低，可以理解为第二显示区与第一显示区相比，能使更多外部光线从显示面板的出光侧穿过显示面板从显示面板的背光侧射出。
50.由于不同区域的像素密度不同，其刻蚀过程中，因图案密度的突变会导致曝光或者刻蚀不均，从而引起的电性差异问题，为保证各显示区的电性一致，位于过渡显示区或第二显示区的阵列基板中同样设置有多个无机孔，并在该部分无机无机孔设置有透明导电材料制成的导电层，位于无机孔的透明导电材料厚度较薄，大约在3000nm左右，使得透明导电材料在无机孔内容易发生走线断裂，形成暗点不良。此外，第一显示区也会存在有无机孔，只是相对第二显示区较少，但也会存在上述的问题。而本技术通过设置第二开口212与第一开口211连通，使得透明导电材料可以沿第一开口211和第二开口212设置，降低透明导电材
料在无机孔21内发生走线断裂的机率，减小或避免显示面板形成暗点。
51.请参阅图3，在一些实施例中，第一开口211与多个第二开口212连通，与同一第一开口211连通的多个第二开口212绕该第一开口211间隔设置。第二开口212越多，在无机孔21的信号线31与无机膜层2的接触面积越大，且导电材料分别沉积在多个第二开口212中，更有利于降低无机孔21内信号线31断电的机率。由于多个第二开口212绕第一开口211间隔设置，使得第一开口211的大小决定第二开口212的数量和尺寸，本领域技术人员可以根据实际需要以及现有工艺水平，设置第二开口212的数量和尺寸。
52.在一些实施例中，与同一第一开口211连通的多个第二开口212绕该第一开口211均匀间隔设置。显然，均匀设置的第二开口212有利于各个第二开口212间隔成形，并且使得无机孔21的形状匀称，降低无机孔21塌陷的机率。
53.可选的，与同一第一开口211连通的多个第二开口212中，相邻两个第二开口212之间的最小间隔距离s1大于或等于2μm。依据现有工艺水平，在第二开口212之间的最小间隔距离s1小于2μm的情况下，不容易稳定形成间隔设置的第二开口212，导致无机孔21成型一致性低。
54.在一些实施例中，第一开口211沿垂直于阵列基板的厚度方向x上的横截面为圆形。圆形的第一开口211，由于其内壁面为平滑的圆弧面，导电层3沉积成型时，更容易均匀的覆盖于第一开口211，有利于提高产品良率。另外，圆形的第一开口211，也更易加工成型，而且由于其内壁面为平滑的圆弧面，避免无机膜层2定义第一开口211的侧面的形状急剧变化，避免无机膜层2中的应力集中于形状急剧变化处导致的第一开口211变形。
55.可选的，第一开口211的开口直径d大于或等于2μm，且第一开口211的开口直径d小于等于3μm。第一开口211的开口直径d过大，将导致阵列基板中第一开口211的分布密度降低，第一开口211的开口直径d过小，在现有工艺条件下，较难稳定形成。
56.在一些实施例中，沿垂直于厚度方向x，第二开口212的横截面可以为矩形、圆弧形、多边形等多种形状，本领域技术人员可以根据实际需要自行设置。
57.在一些实施例中，第二开口212沿垂直于阵列基板的厚度方向x上的横截面为矩形，无机膜层2还包括定义第一开口211的第一侧面24和定义第二开口212的第二侧面25，第二侧面25包括第一表面251、第二表面252和第三表面253，第一表面251和第三表面253相对设置，第二表面252连接第一表面251和第三表面253，第一表面251和第三表面253分别连接第一侧面24。第一表面251和第二表面252可以相对垂直设置，第二表面252和第三表面253可以相对垂直设置，当然第二开口212的横截面也可以为圆角矩形，即第一表面251和第二表面252的连接处通过圆角进行连接，第二表面252和第三表面253的连接处通过圆角进行连接。与具有同样口径的第二开口212相比，横截面为矩形的第二开口212比横截面为圆弧形的第二开口212具有更大的接触面积供导电层3沉积。
58.可选的，第一表面251到第三表面253的最大距离s2大于或等于1μm。在第一开口211的开口直径d不变的情况下，第一表面251到第三表面253的最大距离s2越大，与该第一开口211连通的第二开口212的数量相应的会减少。第一表面251到第三表面253的最大距离s2越小，形成稳定第二开口212的难度越大。因此，现有的工艺水平下，第一表面251到第三表面253的最大距离s2大于或等于1μm能保证第二开口212能稳定成形。此外，对第一表面251到第三表面253的最大距离s2进行限定，使得沉积导电材料形成信号线的过程中，导电
材料更加容易向第二开口212聚集，且在第二开口212处导电材料堆积厚度大，更不容易断线。
59.请参阅图4，在一些实施例中，第二开口212沿垂直于阵列基板的厚度方向x上的横截面为弧形，无机膜层2还包括定义第二开口212的第二侧面25，第二侧面25为向远离第一开口211的轴线方向凸出的曲面。第二侧面25为平滑的曲面，导电层3沉积成型时，更容易覆盖于第二侧面25。
60.可选的，第二开口212的最大弦长l大于或等于1μm。最大弦长l大于或等于1μm。最大弦长l越大，与该第一开口211连通的第二开口212的数量相应的会减少。最大弦长l越小，形成稳定第二开口212的难度越大。因此，现有的工艺水平下，最大弦长l大于或等于1μm能保证第二开口212能稳定成形。此外，对第二开口212的最大弦长l进行限定，使得沉积导电材料形成信号线的过程中，导电材料更加容易向第二开口212聚集，且在第二开口212处导电材料堆积厚度大，更不容易断线。
61.请参阅图5，在一些实施例中，无机膜层2包括第一无机层22和第二无机层23，第二无机层23设置于第一无机层22远离衬底1的一侧；无机孔21包括沿阵列基板的厚度方向x相互连通的第三开口213和第四开口214，第三开口213位于第一无机层22，第四开口214位于第二无机层23。
62.第一无机层22和第二无机层23可以分层制备，对应的，第三开口213和第四开口214也可以采用不同参数刻蚀得到，从而可以获得具有不同三维形态的第三开口213和第四开口214。
63.请参阅图6，在一些实施例中，无机膜层2包括定义第三开口213的第三侧面221和定义第四开口214的第四侧面231，第三侧面221与衬底1靠近无机膜层2的表面所在的平面之间的最大夹角为第一倾斜角α，第四侧面231与衬底1靠近无机膜层2的表面所在的平面之间的最大夹角为第二倾斜角β；第一倾斜角α小于第二倾斜角β。第一倾斜角α小于第二倾斜角β，第四开口214沿垂直于厚度方向x的截面面积大于第三开口213沿垂直于厚度方向x的截面面积，第三侧面221和第四侧面231形成的坡度较缓，在一定程度上减小或避免导电层3出现断裂。本领域技术人员可以理解的是，第三侧面221和第四侧面231可以为曲面，那么第三侧面221中一点的第一倾斜角α为该点的切面与衬底1靠近无机膜层2的表面所在的平面之间的夹角，第四侧面231中任一点的第二倾斜角β为该点的切面与衬底1靠近无机膜层2的表面所在的平面之间的夹角。
64.请参阅图7，在一些实施例中，阵列基板还包括有机膜层4，有机膜层4设置于无机膜层2远离衬底1的一侧，导电层3设置于有机膜层4和无机膜层2之间。有机膜层4能够保护并平坦化无机膜层2和导电层3，从而方便在有机膜层4远离无机膜层2的一侧设置其他层结构。
65.在一些实施例中，有机膜层4填充无机孔21并覆盖导电层3。无机孔21内不一定被导电层3完全填充，设置有机膜层4填充无机孔21，使得导电层3远离无机膜层2的一侧平坦化。
66.在一些实施例中，导电层3在无机膜层2上的投影覆盖第一开口211和第二开口212。导电层3与定义第一开口211和第二开口212的侧面完全接触，将减小信号线31断电的机率。
67.在一些实施例中，信号线31还包括相互连接的第一延伸部311和第二延伸部312，第一延伸部311在无机膜层2上的投影覆盖第一开口211和第二开口212，第二延伸部312绕无机孔21设置。在实际制造中，难以保证沉积生成的导电层3刚好设置在无机孔21内。因此，为保证导电层3完全覆盖无机孔21，导电层3会延伸至无机孔21外，形成绕无机孔21的第二延伸部312，导电层3覆盖的区域更大，导电不良的概率进一步较低，利于提高产品良率。
68.第二方面，本技术实施例还提供一种显示面板，在本技术实施例提供的显示面板中，具有前述阵列基板的相关结构，可参见上述各实施例提供的阵列基板，具有前述阵列基板所有有益效果，如可以为液晶显示面板、有机发光显示面板、量子点显示面板、micro-led显示面板等，在此不再赘述。
69.优选地，显示面板包括第一显示区、过渡显示区和第二显示区，其中，第一显示区、过渡显示区和第二显示区的像素发光单元密度依次降低，无机孔至少部分位于过渡显示区和/或第二显示区，位于第二显示区的像素发光单元通过信号线与位于过渡显示区的驱动电路电连接；第二显示区用于与感光组件对应设置。
70.该感光组件可以为摄像头。驱动电路可以设置于阵列基板中，像素发光单元设置于阵列基板的一侧。
71.第三方面，本技术实施例还提供一种显示装置，在本技术实施例提供的显示装置中，具有前述阵列基板的相关结构，可参见上述各实施例提供的阵列基板，具有前述阵列基板所有有益效果，如可以为手机、平板电脑、车载显示装置以及智能可穿戴设备等，在此不再赘述。
72.依照本技术如上文的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本技术以及在本技术基础上的修改使用。本技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。