技术特征：
1.一种封装结构，包括：一重分布结构，位于一基板上方；一半导体晶粒，位于该重分布结构上方并电耦接到该基板；以及一底部填充材料，位于该基板上方并密封该重分布结构和该半导体晶粒，其中该底部填充材料包括与该半导体晶粒的一角落重叠并延伸到该基板中的一延伸部分。2.如权利要求1所述的封装结构，其中在一平面图中，该延伸部分包括位于该重分布结构的一区域之外的一部分。3.如权利要求1所述的封装结构，其中：在一平面图中，该延伸部分包括位于该半导体晶粒的一区域内的一第一侧壁以及与该第一侧壁相对并位于该半导体晶粒的该区域之外的一第二侧壁，且该延伸部分的该第一侧壁与该半导体晶粒的该角落之间的一最小距离大于或等于该延伸部分的该第二侧壁与该半导体晶粒的该角落之间的一最小距离。4.如权利要求1所述的封装结构，其中在一平面图中，从该重分布结构的一几何中心到该半导体晶粒的该角落的一方向被定义为一第一方向，且该第一方向与该延伸部分的一纵向的一夹角小于约15度。5.如权利要求1所述的封装结构，其中该延伸部分的一侧壁包括一弧形表面。6.一种封装结构，包括：多个接合元件，位于一基板上方；一重分布结构，位于该些接合元件上方；一半导体晶粒，位于该重分布结构上方；以及一底部填充材料，包括：一第一部分，围绕该些接合元件；以及一第二部分，嵌入该基板中，其中在一平面图中，该半导体晶粒的一角落局限在该第二部分的一区域内。7.如权利要求6所述的封装结构，其中在该平面图中，该第二部分完全局限在该重分布结构的一区域内。8.如权利要求6所述的封装结构，其中在该平面图中，从该重分布结构的一几何中心延伸到该半导体晶粒的该角落的一第一方向基本上平行于该第二部分的一对称轴。9.如权利要求6所述的封装结构，还包括：一封装，位于该重分布结构上方，且该底部填充材料，包括：一第三部分，嵌入该基板中，其中在该平面图中，该封装的一角落局限在该第三部分的一区域内。10.一种形成封装结构的方法，包括：将一半导体晶粒接合到一重分布结构的一第一表面；将该重分布结构的一第二表面接合到一基板，其中该基板包括与该半导体晶粒的一角落重叠的一第一沟槽；以及用一底部填充材料密封该半导体晶粒和该重分布结构，其中该基板的该第一沟槽填充有该底部填充材料。
技术总结
提供一种封装结构。封装结构包括位于基板上方的重分布结构、位于重分布结构上方并电耦接到基板的半导体晶粒、以及位于基板上方并密封重分布结构和半导体晶粒的底部填充材料。底部填充材料包括与半导体晶粒的角落重叠并延伸到基板中的延伸部分。伸到基板中的延伸部分。伸到基板中的延伸部分。
技术研发人员：赖柏辰 游明志 廖莉菱 汪金华 林柏尧 郑心圃
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.08.08
技术公布日：2023/1/2