技术特征：
1.一种形成半导体装置的方法，其包括：在材料上形成至少一个特征，所述至少一个特征具有大于约10:1的纵横比且包括与在其上形成所述至少一个特征的所述材料不同的材料；在低于或等于约275℃的温度下且在没有等离子体的情况下，使所述至少一个特征与硅前体和氮前体接触以在所述至少一个特征上形成硅单层和氮单层；及将所述硅单层和所述氮单层暴露于等离子体以在所述至少一个特征上形成氮化硅，所述氮化硅沿其长度具有基本上均匀的厚度。2.根据权利要求1所述的方法，其中在材料上形成至少一个特征包括从包括硫属化物材料、有机材料、碳的同素异形体、反应性金属及其组合的材料形成所述至少一个特征。3.根据权利要求1所述的方法，其中在低于或等于约275℃的温度下使所述至少一个特征与硅前体和氮前体接触包括在低于或等于约250℃的温度下使所述至少一个特征与所述硅前体和所述氮前体接触。4.根据权利要求1所述的方法，其中在低于或等于约275℃的温度下使所述至少一个特征与硅前体和氮前体接触包括在从约200℃至约250℃的温度下使所述至少一个特征与所述硅前体和所述氮前体接触。5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述硅单层和所述氮单层暴露于等离子体以在所述至少一个特征上形成氮化硅包括在将所述氮化硅形成为达所述氮化硅的总厚度的至少约50％的厚度之后，将所述硅单层和所述氮单层暴露于所述等离子体。6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述硅单层和所述氮单层暴露于等离子体以在所述至少一个特征上形成氮化硅包括在将所述氮化硅形成为达所述氮化硅的总厚度的从约80％到约90％的厚度之后，将所述硅单层和所述氮单层暴露于所述等离子体。7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述硅单层和所述氮单层暴露于等离子体以在所述至少一个特征上形成氮化硅包括在将所述硅单层和所述氮单层暴露于所述等离子体之前，将所述硅单层和氮单层形成为期望的厚度。8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述硅单层和所述氮单层暴露于等离子体以在所述至少一个特征上形成氮化硅包括通过原子层沉积形成所述氮化硅的至少一部分。9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述硅单层和所述氮单层暴露于等离子体以在所述至少一个特征上形成氮化硅包括形成沿其整个长度直接接触所述至少一个特征的所述氮化硅。10.一种形成半导体装置的方法，其包括：在材料上形成至少一个特征，所述至少一个特征具有大于约10:1的纵横比，且包括与在其上形成所述至少一个特征的所述材料不同的材料；在低于或等于约275℃的温度下且在没有等离子体的情况下，通过原子层沉积在所述至少一个特征上形成氮化硅，所述氮化硅直接接触所述至少一个特征且所述氮化硅沿其长度具有基本上均匀的厚度；和在将所述氮化硅形成为期望的厚度之后，将所述氮化硅暴露于等离子体。11.根据权利要求10所述的方法，其中通过原子层沉积在所述至少一个特征上形成氮化硅包括使硅前体和氮前体与所述至少一个特征接触，所述硅前体包括溴化硅烷、碘化硅烷、硅烯化合物或其组合。
12.根据权利要求10所述的方法，其中通过原子层沉积在所述至少一个特征上形成氮化硅包括使氮前体和包括四碘化硅、四溴化硅、n,n
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二-叔丁基-1,3-二氮杂-2-硅杂环戊-4-烯-2-亚基或其组合的硅前体与所述至少一个特征接触。13.根据权利要求10所述的方法，其中在所述至少一个特征上形成氮化硅包括形成具有从约到约的厚度的所述氮化硅。14.一种半导体结构，其包括：衬底上的至少一个特征，所述至少一个特征具有大于约10:1的纵横比；及所述至少一个特征上的氮化硅，所述氮化硅展现大于约85％的阶梯覆盖率。15.根据权利要求14所述的半导体结构，其中所述至少一个特征包括所述衬底上的硫属化物材料、碳材料或反应性金属中的至少一种。16.根据权利要求14所述的半导体结构，其中所述氮化硅展现大于约90％的阶梯覆盖率。17.根据权利要求14所述的半导体结构，其中所述至少一个特征具有约12:1的纵横比。18.根据权利要求14所述的半导体结构，其中所述至少一个特征具有约15:1的纵横比。19.根据权利要求14所述的半导体结构，其中所述氮化硅直接接触所述至少一个特征的侧壁。20.一种硅前体，其包括硅烯化合物，所述硅烯化合物包括n,n
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二-叔丁基-1,3-二氮杂-2-硅杂环戊-4-烯-2-亚基。
技术总结
本发明提供形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体。在低于或等于约275℃的温度下通过原子层沉积在衬底上形成氮化硅。将所述已形成的氮化硅暴露于等离子体。所述氮化硅可形成为氮化硅的一部分或氮化硅的至少一个其它部分。氮化硅的所述部分及氮化硅的所述至少一个其它部分可暴露于等离子体处理。本发明还揭示形成半导体结构的方法、半导体结构及硅前体。体。体。
技术研发人员：苏密特
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2017.08.14
技术公布日：2022/12/8