一种显示模组及其制备方法与流程

1.本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种显示模组及其制备方法。


背景技术：

2.随着显示面板技术的不断发展，有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示器件，由于其具有全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快、可柔性显示等优点，已成为极具竞争力和发展前景的下一代显示结构。micro-oled显示器产品作为一种常用的有机发光二极管显示器件，被广泛应用。请结合图1所示，在制备micro-oled显示器产品的相关技术中，在阵列基板10’之上形成阳极(未示出)后，有一道横向拉平(lateral height coverage，lhc)工艺，以在相邻阳极之间设置无机层(比如氧化硅层)，减小阳极表面与相邻阳极之间的间隔区的断差。lhc工艺中，为保证阳极金属表面与相邻阳极之间的间隔区的无机层的高度持平。lhc工艺中具体会在设有阳极的阵列基板10’之上设置无机材料层，对无机材料层进行刻蚀以将无机材料层减薄至与阳极表面相对齐平。该工艺中所设置的无机材料层同时还会包覆阵列基板边缘区域(可以理解为非显示区)。然而，对无机材料层进行刻蚀时主要以显示区的具体结构为基准进行刻蚀。这就会导致非显示层上留有一层残留无机材料层31’。后续在设置像素限定层时，该无机材料层31’上方叠加一层像素限定层延伸至非显示区的无机层40’，使得后续在形成阴极环的设置槽340’时，设置槽340’的深度较大，加上阴极环材料50’的爬坡能力不高，从而在形成阴极环时在设置槽340的槽口上方容易产生阴极环断裂(比如断口501’)的情况。


技术实现要素：

3.根据本发明实施例的第一方面，提供一种显示模组，具有显示区及位于所述显示区外围的非显示区，包括：
4.阵列基板；
5.第一无机层，设于所述阵列基板之上，包括位于所述非显示区的第一无机部；
6.第二无机层，设于所述第一无机层背离所述阵列基板的一侧，包括位于所述第一无机部之上的第二无机部；
7.第一设置槽，设于非显示区且环绕所述显示区的部分区域，所述第一设置槽贯穿所述第一无机部和第二无机部；其中，所述第一设置槽呈敞口状，且在自所述阵列基板朝向所述第二无机层的方向上，所述第一设置槽的槽壁呈倾斜状或所述第一设置槽的槽壁呈台阶状；
8.电极线层，至少部分设于所述第一设置槽中。
9.在一些实施例中，所述第一设置槽的槽壁呈倾斜状的，所述第一设置槽的槽壁的坡度角为20
°
～60
°
。
10.在一些实施例中，所述第一设置槽的槽壁呈台阶状的，所述第一设置槽的槽壁包括靠近所述阵列基板的第一槽壁、背离所述阵列基板的第二槽壁及连接于二者之间的第三
槽壁，所述第三槽壁形成一台阶。
11.在一些实施例中，所述显示模组包括多个第一电极，多个所述第一电极设于所述阵列基板之上的显示区，并且多个所述第一电极呈阵列排布；所述第一无机层还包括设于所述显示区的相邻两第一电极之间的第三无机部，所述第二无机层还包括设于所述第三无机部之上的像素限定层。
12.在一些实施例中，所述显示区设有与多个所述第一电极对应的多个第二设置槽，所述第二设置槽贯穿所述像素限定层。
13.在一些实施例中，所述非显示区设有位于所述第一无机层和所述阵列基板之间的第一电极材料层，所述第一电极材料层与所述电极线层共同用于形成电极环。
14.根据本发明实施例的第二方面，提供一种显示模组的制备方法，包括：
15.提供阵列基板；
16.在所述阵列基板上设置第一无机材料层，并对所述第一无机材料层进行减薄形成位于非显示区的第一无机部；
17.在所述第一无机层之上设置第二无机层；所述第二无机层包括位于所述第一无机部之上的第二无机部；
18.开设第一设置槽；所述第一设置槽设于非显示区且环绕所述显示区的部分区域，所述第一设置槽贯穿所述第一无机部和第二无机部；其中，所述第一设置槽呈敞口状，且在自所述阵列基板朝向所述第二无机层的方向上，所述第一设置槽的槽壁呈倾斜状或所述第一设置槽的槽壁呈台阶状；
19.在所述第一设置槽中设置电极线层。
20.在一些实施例中，所述第一设置槽的槽壁呈倾斜状的，所述第一设置槽的槽壁的坡度角为20
°
～60
°
。
21.在一些实施例中，在开设第一设置槽之前，所述方法包括：
22.在所述第二无机层之上设置位于非显示区的第一刻蚀胶层；
23.在所述第一刻蚀胶层中形成第一刻蚀开槽；
24.所述开设第一设置槽包括：
25.在所述第一刻蚀开槽处进行刻蚀形成所述第一设置槽。
26.在一些实施例中，采用干法刻蚀的方式形成所述第一设置槽。
27.在一些实施例中，所述第一设置槽的槽壁呈倾斜状的，干刻的刻蚀剂为四氟化碳和氧气的混合气体；
28.所述在所述第一刻蚀开槽处进行刻蚀形成所述第一设置槽包括：
29.采用具有预设比例的四氟化碳和氧气，对所述第一刻蚀开槽处的第二无机部和第一无机部刻蚀第一预设时长，形成所述第一设置槽。
30.在一些实施例中，所述第一设置槽的槽壁呈台阶状的，所述在所述第一刻蚀开槽处进行刻蚀形成所述第一设置槽包括：
31.对所述第一刻蚀开槽所对应的第二无机部和第一无机部刻蚀形成贯穿所述第二无机部和第一无机部的第一槽部；
32.对所述第一刻蚀胶层的第一刻蚀开槽进行横向刻蚀，形成第二刻蚀开槽，所述第一刻蚀开槽在自所述阵列基板朝向所述第二无机层的方向上的正投影位于所述第二刻蚀
开槽在自所述阵列基板朝向所述第二无机层的方向上的正投影内；
33.对所述第二刻蚀开槽处所对应的第二无机部和第一无机部进行刻蚀第二预设时长，形成所述第一设置槽。
34.在一些实施例中，在所述阵列基板上设置第一无机层之前，所述方法包括：
35.在所述阵列基板之上设置多个第一电极，多个所述第一电极设于所述阵列基板之上的显示区，并且多个所述第一电极呈阵列排布；
36.在所述阵列基板上设置第一无机材料层，并对所述第一无机材料层进行减薄形成位于所述非显示区的第一无机部，还包括：
37.在所述显示区的相邻两第一电极之间形成第三无机部，所述第一无机部和所述第三无机部形成第一无机层。
38.在一些实施例中，在所述第一无机层之上设置第二无机层包括：
39.在所述第一无机部、所述第三无机部及多个所述第一电极的表面形成第二无机层；
40.在开设第一设置槽之后，在所述第一设置槽中设置电极线层之前，所述方法还包括：
41.在第二无机层上设置位于所述显示区的第二刻蚀胶层；
42.在所述第二刻蚀胶层中形成与多个所述第一电极一一对应的多个第二刻蚀开槽；
43.在所述第二刻蚀开槽处对所述第二无机层进行刻蚀形成多个与所述第一电极一一对应的多个第二设置槽。
44.本技术提供的上述显示模组及其制备方法，通过将所述第一设置槽的槽壁呈倾斜状或所述第一设置槽的槽壁呈台阶状，在第一设置槽中设置电极线层时，形成电极线层的材料在第一设置槽的上方连续性更好，有利于减小或避免电极线层在第一设置槽的上方出现断裂的风险，从而提高所形成电极(比如阴极环线)连接线的质量。
45.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
46.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
47.图1为相关技术中显示模组的部分结构剖视示意图；
48.图2为根据本发明实施例示出的显示模组的俯视图示意图；
49.图3为根据本发明实施例示出的显示模组的部分显示区的放大示意图；
50.图4为根据本发明实施例示出的显示模组的部分非显示区的放大示意图；
51.图5为根据本发明实施例示出的一种显示模组的非显示区的部分剖视图，其中图5可以为图4a处的剖视图；
52.图6为根据本发明实施例示出的另一种显示模组的非显示区的部分剖视图；
53.图7为根据本发明实施例示出的一种显示模组的方法流程图；
54.图8为根据本发明实施例示出的横向拉平工艺方法图；
55.图9为根据本发明实施例示出的横向拉平工艺后的显示区的部分剖视图；
56.图10为根据本发明实施例示出的横向拉平工艺后的显示区和非显示区的在微透镜下的对比图；
57.图11为根据本发明实施例示出的刻蚀剂的混合比例与第一设置槽的槽壁的坡度之间的关系图；
58.图12为根据本发明实施例示出的同一刻蚀剂时刻蚀时长与第一设置槽的槽壁的坡度之间的关系图；
59.图13为根据本发明实施例示出的一种显示模组的第一设置槽的槽壁具有一坡度角的微透镜示意图；
60.图14为根据本发明实施例示出的一种显示模组的第一设置槽的槽壁具有另一坡度角的微透镜示意图；
61.图15为根据本发明实施例示出的另一种显示模组的微透镜示意图。
具体实施方式
62.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
63.在本技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。除非另作定义，本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”表示两个或两个以上。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”和/或“下”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。在本技术说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
64.本技术提供一种显示模组及其制备方法。所述显示模组具有显示区及位于所述显示区外围的非显示区，包括阵列基板、第一无机层、第二无机层、第一设置槽及电极线。第一无机层设于所述阵列基板之上，包括位于所述非显示区的第一无机部；第二无机层设于所述第一无机层背离所述阵列基板的一侧，包括位于所述第一无机部之上的第二无机部；第一设置槽设于非显示区且环绕所述显示区的部分区域，所述第一设置槽贯穿所述第一无机部和第二无机部；其中，所述第一设置槽呈敞口状，且在自所述阵列基板朝向所述第二无机层的方向上，所述第一设置槽的槽壁呈倾斜状或所述第一设置槽的槽壁呈台阶状；电极线至少部分设于所述第一设置槽中。所述显示模组，通过将所述第一设置槽的槽壁呈倾斜状或所述第一设置槽的槽壁呈台阶状；便于在第一设置槽中设置电极线时，形成电极线的材料在第一设置槽的上方连续性更好，有利于减小或避免电极线在第一设置槽的上方出现断裂的风险。
65.本技术所说的显示模组可用于制备成显示面板，比如micro-oled显示器件的显示面板，可应用于手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、等具有显示功能的产品或部件中。
66.下面结合附图2至图15对本技术所提供的显示模组及其制备方法进行详细描述。
67.请参照图2，并在必要时结合图3至图5所示，本技术提供一种显示模组100。所述显示模组100具有显示区s1及位于显示区s1外围的非显示区s2。该显示模组包括阵列基板10、第一无机层30、第二无机层40、第一设置槽340及电极线层50。第一无机层30设于所述阵列基板10之上，包括位于所述非显示区s2的第一无机部31。第二无机层40设于所述第一无机层30背离所述阵列基板10的一侧，包括位于所述第一无机部31之上的第二无机部42。第一设置槽340设于非显示区s2且环绕所述显示区s1的部分区域，所述第一设置槽340贯穿所述第一无机部31和第二无机部42；其中，所述第一设置槽340呈敞口状，且在自所述阵列基板10朝向所述第二无机层40的方向上，所述第一设置槽340的槽壁341呈倾斜状或所述第一设置槽340的槽壁341呈台阶状。电极线层50至少部分设于所述第一设置槽340中。
68.这里所说的阵列基板可以理解为已形成有阵列排布的薄膜晶体管的基板结构。
69.需要说明的是，这里图5中仅示意出第一设置槽340的一部分区域，实际上第一设置槽340还具有与槽壁341相对的另一槽壁。该槽壁与槽壁341可以大致呈对称结构。图5中电极线层50较高的顶面可用于与显示器件的阴极层相连。
70.第一无机层的材料可以是氧化硅(siox)。第一设置槽340可以采用干法刻蚀的方式形成。
71.在一些实施例中，发明人(们)经过大量试验得出，呈倾斜状的所述第一设置槽340的槽壁341，槽壁341的坡度角β为20
°
～60
°
时，后续设置电极线层50时，电极线层50的材料连续性能够较好地保证。优选地，槽壁341的坡度角β为20
°
～50
°
。
72.在一些实施例中，所述显示模组包括多个第一电极21。多个所述第一电极21设于所述阵列基板10之上的显示区s1，并且多个所述第一电极21呈阵列排布。所述第一无机层30还包括设于所述显示区s1的相邻两第一电极21之间的第三无机部32。所述第二无机层40还包括设于所述第三无机部32之上的像素限定层。
73.这里所说的第一电极21可以理解为发光层中的阳极。
74.该第三无机部32背离阵列基板10的表面与第一电极21背离阵列基板10的表面齐平或者大致齐平。
75.该第三无机部32可以为通过lhc工艺形成。相应地，上述第一无机部31可以理解为lhc工艺过程中，未被刻蚀掉的无机材料层部分。
76.在一些实施例中，所述显示区s1设有与多个所述第一电极21对应的多个第二设置槽，所述第二设置槽贯穿所述像素限定层。
77.该第二设置槽可用于后续设置有机发光材料层及相应的第二电极。设置该第二设置槽可在第一设置槽形成之后形成。这里所说的第二电极可以理解为发光层中的阴极。
78.这里第二设置槽可以采用干法刻蚀的方式形成。刻蚀剂可以采用四氟化碳，也可以采用混合有四氟化碳和少量氧气的混合其他。该第二设置槽的槽壁接近竖直状。该第二设置槽的槽壁的坡度角可以大致为80
°
～90
°
79.在一些实施例中，所述非显示区s2设有位于所述第一无机层30和所述阵列基板10之间的第一电极材料层，所述第一电极材料层与所述电极线层50共同用于形成电极环。这
里所说的电极环可以理解为阴极环，用于连接阴极(第二电极)的电连接线结构。
80.请参照图6所示，本技术另提供一种显示模组，该图6为所提供的另一种显示模组的非显示区域的部分剖视图。该显示模组与上述显示模组100的结构类似，相同或相似之处可参照上述相关描述，此处不予以赘述。此处主要针对不同之处进行描述。与上述的显示模组100不同的是，该实施例中，所述第一设置槽340的槽壁341呈台阶状的。比如图6所示，所述第一设置槽340的槽壁341包括靠近所述阵列基板10的第一槽壁3411、背离所述阵列基板10的第二槽壁3412及连接于二者之间的第三槽壁3413，所述第三槽壁3413形成一台阶。
81.这里的第一槽壁3411、第二槽壁3412大致沿自阵列基板10朝向第二无机层40的方向上延伸。第三槽壁3413所形成的台阶大致呈横向延伸，比如可以为垂直于第一槽壁3411延伸方向。
82.需要说明的是，这里的台阶状可以包括一个或多个台阶。第一槽壁、第二槽壁可以略有倾斜，第二槽壁也可略有倾斜。本技术对此不做限定，可根据具体情况进行设置。
83.请参照图7所示，本技术提供一种显示模组的制备方法，该制备方法可用于制备上述显示模组100。该制备方法可包括如下步骤s101至步骤s109：
84.在步骤s101中，提供阵列基板10，
85.在步骤s103中，在所述阵列基板10上设置第一无机材料层，并对所述第一无机材料层进行减薄形成位于非显示区s2的第一无机部31；
86.在步骤s105中，在所述第一无机层30之上设置第二无机层40；所述第二无机层40包括位于所述第一无机部31之上的第二无机部42；
87.在步骤s107中，开设第一设置槽340；所述第一设置槽340设于非显示区s2且环绕所述显示区s1的部分区域，所述第一设置槽340贯穿所述第一无机部31和第二无机部42；其中，所述第一设置槽340呈敞口状，且在自所述阵列基板10朝向所述第二无机层40的方向上，所述第一设置槽340的槽壁341呈倾斜状；
88.在步骤s109中，在所述第一设置槽340中设置电极线层50。
89.在一些实施例中，发明人(们)经过大量试验得出，呈倾斜状的所述第一设置槽340的槽壁341，槽壁341的坡度角β为20
°
～60
°
时，后续设置电极线层50时，电极线层50的材料连续性能够较好地保证。优选地，槽壁341的坡度角β为20
°
～50
°
。
90.比如图13和图14所示，图13所示的结构中，槽壁341的坡度角β1大致为20
°
。图14所示的结构中，槽壁341的坡度角β2大致为45
°
。
91.在一些实施例中，步骤s107之前，所述方法包括：
92.在所述第二无机层40之上设置位于非显示区s2的第一刻蚀胶层，
93.在所述第一刻蚀胶层中形成第一刻蚀开槽。
94.相应地，步骤s107可通过如下步骤s1071实现：
95.在步骤s1071中，在所述第一刻蚀开槽处进行刻蚀形成所述第一设置槽340。
96.在一些实施例中，采用干法刻蚀的方式形成所述第一设置槽340。
97.在一些实施例中，干刻的刻蚀剂为四氟化碳和氧气的混合气体。具体刻蚀时，还可在混合气体中加入氦气等惰性气体，以保证刻蚀环境的压强。
98.步骤s1071具体可通过如下步骤实现：
99.采用具有预设比例的四氟化碳和氧气，对所述第一刻蚀开槽处的第二无机部42和
第一无机部31刻蚀第一预设时长，形成所述第一设置槽340。
100.需要说明的是，第一设置槽340的槽壁341的坡度角与四氟化碳和氧气的比例以及刻蚀时长相关，开设第一设置槽340时，可以根据具体情况确定四氟化碳和氧气的预设比例，以及刻蚀时长。
101.请参照图11所示，发明人(们)通过研究发现，在一些实施例中，刻蚀剂中四氟化碳的占比与槽壁341的坡度角呈正相关。刻蚀剂中四氟化碳的比例越大，槽壁341的坡度角越大。
102.请参照图12所示，发明人(们)通过研究发现，在一些实施例中，对于相同的刻蚀剂，刻蚀时长与槽壁341的坡度角呈负相关。刻蚀时长越长，槽壁341的坡度角越小。
103.还需要说明的是，这里形成第一设置槽340可采用刻蚀信号抓取系统(end point detection，epd)，通过获取结构的光谱信号来确定和控制刻蚀的结束动作。主要通过对比第一设置槽340底部与其附近层叠的第一无机部31、第二无机部42的光谱来确定第一设置槽340槽底的第一无机部31是否刻蚀干净。
104.在一些实施例中，步骤s103之前，所述方法包括如下步骤：
105.在所述阵列基板10之上设置多个第一电极21，多个所述第一电极21设于所述阵列基板10之上的显示区s1，并且多个所述第一电极21呈阵列排布。
106.相应地，步骤s103在所述阵列基板10上设置第一无机材料层，并对所述第一无机材料层进行减薄形成位于所述非显示区s2的第一无机部31的同时，还可以在所述显示区s1的相邻两第一电极21之间形成第三无机部32，所述第一无机部31和所述第三无机部32形成第一无机层30。
107.在一些实施例中，在所述第一无机层30之上设置第二无机层40包括：
108.在所述第一无机部31、所述第三无机部32及多个所述第一电极21的表面形成第二无机层40。即第二无机层40覆盖显示区和非显示区。
109.相应地，在步骤s107之后，在所述步骤s109之前，所述方法还包括：
110.在第二无机层40上设置位于所述显示区s1的第二刻蚀胶层；
111.在所述第二刻蚀胶层中形成与多个所述第一电极21一一对应的多个第二刻蚀开槽；
112.在所述第二刻蚀开槽处对所述第二无机层40进行刻蚀形成多个与所述第一电极21一一对应的多个第二设置槽。
113.这里第二设置槽可以同样采用干法刻蚀的方式形成。刻蚀剂可以采用四氟化碳，也可以采用混合有四氟化碳和少量氧气的混合其他。该第二设置槽的槽壁接近竖直状。该第二设置槽的槽壁的坡度角可以大致为80
°
～90
°
。
114.本技术另提供一种显示模组的制备方法，该制备方法可用于制备如图6所示的显示模组。该制备方法与上述图7所示的制备方法大致相关，相同或相似之处可参照上述相关描述。这里主要针对不同之处进行描述。与上述显示模组的制备方法不同的是，这里步骤s107所开设的第一设置槽340，其槽壁341呈台阶状。
115.相应地，步骤s107所采用的方法也不相同。这里步骤s1071具体可通过如下步骤s171至步骤s175实现：
116.在步骤s171中，对所述第一刻蚀开槽所对应的第二无机部42和第一无机部31刻蚀
形成贯穿所述第二无机部42和第一无机部31的第一槽部。
117.需要说明的是，这里形成第一槽部可采用刻蚀信号抓取系统(end point detection，epd)，通过获取结构的光谱信号来确定和控制刻蚀的结束动作。主要通过对比第一槽部底部与其附近层叠的第一无机部31、第二无机部42的光谱来确定第一设置槽340槽底的第一无机部31是否刻蚀干净。
118.在步骤s173中，对所述第一刻蚀胶层的第一刻蚀开槽进行横向刻蚀，形成第二刻蚀开槽，所述第一刻蚀开槽在自所述阵列基板10朝向所述第二无机层40的方向上的正投影位于所述第二刻蚀开槽在自所述阵列基板10朝向所述第二无机层40的方向上的正投影内。
119.这里可以采用氧气所述第一刻蚀胶层的第一刻蚀开槽进行横向刻蚀。
120.需要说明的是，这里第一刻蚀胶层的厚度可大于第二刻蚀胶层的厚度，以保证采用氧气对第一刻蚀胶层的第一刻蚀开槽进行横向刻蚀的同时，刻蚀掉第一刻蚀胶层背离阵列基板10一侧的部分厚度的胶层后，第一刻蚀胶层仍具有一定的厚度。
121.在步骤s175中，对所述第二刻蚀开槽处所对应的第二无机部42和第一无机部31进行刻蚀第二预设时长，形成所述第一设置槽340。
122.这里可以通过选择不同的第二预设时长，形成不同的第一设置槽340。第二预设时长越大，所形成的第一设置槽340的第三槽壁3413越靠近基板。反之，第二预设时长越短，所形成的第一设置槽340的第三槽壁3413越远离基板。在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”、“若干”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
123.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
124.应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。