技术特征：
1.一种基板处理方法，一边将在形成有图案的表面附着有液体的基板容纳于处理容器的处理空间，一边使用超临界状态的处理流体使所述基板干燥，其特征在于，具备：升压工序，向所述处理空间供给从流体供给部输送的所述处理流体，将所述处理空间升压至成为超临界状态的第一压力；恒压工序，向通过所述升压工序升压到所述第一压力的所述处理空间供给所述处理流体，并且从所述处理空间排出所述处理流体，从而一边将所述处理空间维持在所述第一压力，一边使所述处理流体以第一流量向所述处理空间流通；减压工序，接着所述恒压工序，从所述处理空间排出所述处理流体，将所述处理空间减压；以及扩散工序，在所述升压工序与所述恒压工序之间或者所述恒压工序的初始阶段，一边将所述处理空间维持为所述第一压力，一边将所述处理空间内的所述处理流体的流量抑制为比所述第一流量低的第二流量，从而使所述液体和所述处理流体在所述处理空间中相互扩散。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述扩散工序中，所述处理空间内的所述处理流体的流量维持为所述第二流量。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述扩散工序中，反复进行将所述处理空间内的所述处理流体的流量在所述第一流量与所述第二流量之间切换的流量切换动作。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述扩散工序中，从所述流体供给部输送的所述处理流体全部经由从所述处理容器分离设置的旁通配管排出，从而所述第二流量为零。5.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述扩散工序中，从所述流体供给部输送的所述处理流体的一部分送入所述处理空间，另一方面，剩余部分经由从所述处理容器分离设置的旁通配管排出，并且从所述处理空间排出所述处理流体，从而所述第二流量为比零高且比所述第一流量低的值。6.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述扩散工序的执行时间在30秒以上且45秒以下的范围内。7.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理流体是二氧化碳。8.一种基板处理装置，其一边将在形成有图案的表面附着有液体的基板容纳于处理容器的处理空间，一边使用超临界状态的处理流体使所述基板干燥，其特征在于，具备：流体供给部，其向容纳有所述基板的所述处理空间供给超临界处理用的处理流体；流体排出部，其从容纳有所述基板的所述处理空间排出所述处理流体；流体流通调整部，其调整从所述流体供给部向所述处理空间的所述处理流体的供给以及从所述处理空间向所述流体排出部的所述处理流体的排出；以及控制部，所述控制部通过控制所述流体流通调整部执行如下动作：升压动作，通过向所述处理空间的所述处理流体的供给，使所述处理空间升压到成为超临界状态的第一压力；
恒压动作，通过向升压到所述第一压力的所述处理空间供给所述处理流体以及从所述处理空间排出所述处理流体，一边将所述处理空间维持为所述第一压力，一边使所述处理流体以第一流量向所述处理空间流通；减压动作，接着所述恒压动作，从所述处理空间排出所述处理流体，由此将所述处理空间减压；以及扩散动作，在所述升压动作与所述恒压动作之间或者所述恒压动作的初始阶段，一边将所述处理空间维持为所述第一压力，一边将所述处理空间内的所述处理流体的流量抑制为比所述第一流量低的第二流量，从而使所述液体和所述处理流体在所述处理空间中相互扩散。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，具备旁通配管，该旁通配管从所述处理容器分离设置，将从所述流体供给部供给的所述处理流体直接输送至所述流体排出部，在所述扩散动作中，所述控制部使从所述流体供给部供给的所述处理流体的全部或一部分经由所述旁通配管输送至所述流体排出部，调整所述处理空间内的所述处理流体的流量。
技术总结
本发明提供基板处理方法以及基板处理装置，涉及在处理容器的处理空间内使用处理流体干燥基板的基板处理技术，能够一边有效地抑制形成于基板的表面的图案的坍塌，一边使基板良好地干燥。本发明是在处理容器内依次执行升压工序、恒压工序以及减压工序的基板处理技术，在升压工序与恒压工序之间或者恒压工序的初始阶段，一边将处理空间维持为第一压力一边将处理空间内的处理流体的流量抑制为比第一流量低的第二流量。由此促进处理空间内的处理流体与液体的相互扩散。然后，在进行该扩散后，通过从处理空间排出处理流体，执行基板干燥。执行基板干燥。执行基板干燥。
技术研发人员：王智达 安藤幸嗣 墨周武 守屋千晶 上原大贵
受保护的技术使用者：株式会社斯库林集团
技术研发日：2022.08.11
技术公布日：2023/3/2