技术特征：
1.一种显示装置，包括：器件基板上的第一隔离绝缘层；所述器件基板上的第一开关薄膜晶体管，所述第一开关薄膜晶体管包括位于所述器件基板与所述第一隔离绝缘层之间的第一半导体图案；所述第一隔离绝缘层上的第二开关薄膜晶体管，所述第二开关薄膜晶体管包括由与所述第一半导体图案不同的材料制成的第二半导体图案；所述第一隔离绝缘层上的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括由与所述第二半导体图案相同的材料制成的驱动半导体图案；所述器件基板与所述第一隔离绝缘层之间的第一遮光图案，所述第一遮光图案与所述第二半导体图案重叠；以及所述器件基板和所述驱动半导体图案之间的第二遮光图案，其中，所述第二遮光图案包括导电材料，并且其中，所述第二遮光图案与所述驱动半导体图案之间的距离小于所述第一遮光图案与所述第二半导体图案之间的距离。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体图案包括硅，并且所述第二半导体图案和所述驱动半导体图案包括氧化物半导体。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一遮光图案包括与所述第二遮光图案不同的材料。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一遮光图案包括与所述第一开关薄膜晶体管的栅电极相同的材料。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括位于所述第二遮光图案与所述驱动半导体图案之间的第二隔离绝缘层，其中，所述第二隔离绝缘层在所述第一隔离绝缘层与所述第二半导体图案之间延伸。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二隔离绝缘层具有比所述第一隔离绝缘层薄的厚度。7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二隔离绝缘层包括与所述第一隔离绝缘层相同的材料。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一隔离绝缘层和所述第二隔离绝缘层中的每一个为由氧化硅制成的无机绝缘层。9.一种显示装置，包括：器件基板上的第一开关薄膜晶体管，所述第一开关薄膜晶体管包括第一半导体图案、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；所述器件基板上的第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层在所述第一半导体图案与所述第一栅电极之间延伸；所述第一栅极绝缘层上的第一隔离绝缘层，所述第一隔离绝缘层在所述第一栅电极与所述第一源电极之间以及所述第一栅电极与所述第一漏电极之间延伸；所述第一隔离绝缘层上的第二开关薄膜晶体管，所述第二开关薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；所述第一栅极绝缘层与所述第一隔离绝缘层之间的第一遮光图案，所述第一遮光图案
与所述第二半导体图案重叠；与所述第一开关薄膜晶体管和所述第二开关薄膜晶体管间隔开的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括驱动半导体图案、驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极；所述第一隔离绝缘层与所述驱动半导体图案之间的第二遮光图案，所述第二遮光图案包括导电材料；所述第二遮光图案与所述驱动半导体图案之间的第二隔离绝缘层，所述第二隔离绝缘层在所述第一隔离绝缘层与所述第二半导体图案之间延伸；以及所述驱动半导体图案与所述驱动栅电极之间的第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层在所述第二半导体图案与所述第二栅电极之间延伸，其中，所述第二遮光图案与所述驱动半导体图案之间的第一电容大于所述驱动半导体图案与所述驱动栅电极之间的第二电容。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二半导体图案与所述第二栅电极之间的电容与所述第二电容相同。11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二遮光图案被电连接至所述驱动源电极。12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一遮光图案被电连接至所述第二栅电极。13.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括与所述第一开关薄膜晶体管、所述第二开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管间隔开的存储电容器，其中，所述存储电容器包括堆叠在所述第一隔离绝缘层上的电容器下电极和电容器上电极。14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述电容器下电极包括与所述第二遮光图案相同的材料，其中，所述电容器上电极包括与所述驱动栅电极相同的材料，并且其中，所述第二隔离绝缘层和所述第二栅极绝缘层在所述电容器下电极与所述电容器上电极之间延伸。15.一种显示装置，包括：器件基板上的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的遮光图案；所述遮光图案上的第二绝缘层；包括设置在所述第二绝缘层上的驱动半导体图案、驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极的驱动薄膜晶体管；以及电连接至所述驱动薄膜晶体管的驱动漏电极的发光器件，其中，所述遮光图案与所述驱动半导体图案之间的距离小于所述器件基板与所述遮光图案之间的距离。16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括位于所述驱动薄膜晶体管的驱动半导体图案和驱动栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述驱动半导体图案设置在所述遮光图案与所述驱动栅电极之间，并且其中，所述第二绝缘层的厚度小于所述栅极绝缘层的厚度。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述遮光图案包括用于与氢稳定耦合的材料。18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述遮光图案包括钛(ti)。19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述驱动栅电极具有第一驱动栅极和第二驱动栅极的堆叠结构，并且其中，所述第一驱动栅极包括与所述遮光图案相同的材料。20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二驱动栅极具有比所述第一驱动栅极低的电阻。21.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述驱动源电极被电连接至所述遮光图案。22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述驱动半导体图案包括掺杂有导电杂质的源极区和漏极区。
技术总结
本公开涉及具有氧化物半导体的显示装置。特别是，所述显示装置可以包括设置在器件基板上的至少一个开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管可以包括由氧化物半导体制成的驱动半导体图案。遮光图案可以设置在器件基板与驱动半导体图案之间。遮光图案可以靠近驱动半导体图案设置。因此，在所述显示装置中，可以减小根据施加到驱动薄膜晶体管的驱动栅电极的电压的电流变化值，而无需改变开关薄膜晶体管的特性。因此，在所述显示装置中，可以防止出现低灰度斑点。止出现低灰度斑点。止出现低灰度斑点。
技术研发人员：李政烨 曹基述 郑德永 金张大 金玟澈
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：2022.08.11
技术公布日：2023/3/2