一种半导体处理设备的制作方法

1.本技术涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种半导体处理设备。


背景技术：

2.气相外延是指含外延层材料的物质以气相形式流向衬底，并在衬底上发生化学反应生长出和衬底晶向相同的外延层的工艺。
3.在工艺反应开始前，晶圆从传输腔室通过机械手取出然后放入反应腔室中，工艺完成后，再将晶圆返回至传输腔室中。由于工艺(外延生长)时间较长，特别是碳化硅(相比硅)外延生长的温度更高，且生长时间更长，单片碳化硅晶圆的外延生长时间长达90分钟以上，使得外延生长的产能大大降低。


技术实现要素：

4.针对上述技术问题，本技术提供一种半导体处理设备，可以改善相关技术中设备产能较低的问题。
5.为解决上述技术问题，本技术实施例提供一种半导体处理设备，包括：至少两个在竖直方向上依次堆叠设置的工艺腔室、与所述工艺腔室一一对应连接的多个传输通道，通过所述传输通道与所述工艺腔室连接的传输腔室，以及设置于所述传输腔室的底部并可进行升降的传输机构，所述传输机构用于通过所述传输通道在所述传输腔室与所述工艺腔室之间进行晶圆传输。
6.可选的，所述传输腔室上设置有取片窗口；
7.所述传输机构通过所述取片窗口进行所述传输腔室与外部之间的晶圆传输。
8.可选的，所述传输机构包括升降机构，以及与所述升降机构连接的机械手；
9.所述升降机构用于带动所述机械手上升或下降至目标高度，其中，所述目标高度包括所述取片窗口的高度以及对应各所述传输通道的高度；
10.所述机械手用于在水平面内做旋转运动，并且当旋转至所述取片窗口的一侧时，从所述取片窗口取放晶圆，以及当旋转至对应所述传输通道的一侧时，沿所述传输通道做直线运动，并从对应的工艺腔室中取放晶圆。
11.可选的，所述升降机构包括：
12.筒形固定座，所述筒形固定座连接于所述传输腔室的底面；
13.驱动部，设置于所述筒形固定座的内部；
14.升降台，底端连接于所述驱动部，顶端贯穿所述传输腔室的底板并延伸至所述传输腔室内，并且与所述机械手连接；
15.所述驱动部用于驱动所述升降台做升降运动，并带动所述机械手进行升降运动。
16.可选的，所述筒形固定座的内壁设有第一磁性材料层，构成第一磁极；
17.所述驱动部包括：
18.筒形桶体，所述升降台的底端与所述筒形桶体的底部连接；
19.线圈，环绕所述筒形桶体的侧壁设置并内嵌于所述侧壁中；
20.第二磁性材料层，设置于所述筒形桶体的内壁，构成第二磁极，所述第二磁极的极性与所述第一磁极的极性相反。
21.可选的，所述第一磁性材料层的内壁设置有沿竖直方向延伸的多个第一导向结构；
22.所述筒形桶体的外侧面设置有沿竖直方向延伸的多个第二导向结构，所述第二导向结构与所述第一导向结构配合。
23.可选的，所述驱动部还包括：
24.磁场屏蔽层，设置于所述第二磁性材料层远离所述筒形桶体的内壁一侧，并且与所述第二磁性材料层间隔设置。
25.可选的，所述筒形桶体的外侧面设置有至少一个沿水平方向延伸的锁止孔；
26.所述筒形固定座的外壁设置有多组锁紧气缸，每组锁紧气缸对应一个所述目标高度，用于当所述驱动部带动所述机械手上升或下降至所述目标高度时，相应组的锁紧气缸穿过所述筒形固定座的外壁与所述锁止孔一一对应连接，以对所述驱动部进行锁紧。
27.可选的，所述升降机构还包括：
28.阻尼器，设置于所述筒形固定座的内部，用于对所述驱动部的运动进行缓冲。
29.可选的，所述筒形固定座的顶部设置有上限位块；和/或，
30.所述筒形固定座的底部设置有下限位块。
31.可选的，所述工艺腔室包括金属屏蔽外壳，且所述金属屏蔽外壳接地处理。
32.可选的，相邻两个所述工艺腔室之间设有磁场屏蔽板，并且所述磁场屏蔽板接地处理。
33.可选的，所述半导体处理设备还包括与所述工艺腔室一一对应连接的主路气管，以及与每个主路气管连接的多个支路气管。
34.如上所述本技术的半导体处理设备，包括至少两个工艺腔室，工艺腔室在竖直方向上依次堆叠，传输腔室通过相应的传输通道与工艺腔室连接，以进行晶圆传输，所有工艺腔室可以同时进行工艺。由于一次工艺过程，可以实现多个工艺腔室的加工，产能可以成倍地增加。并且，由于工艺腔室沿竖直方向堆叠布置，在产能增加的同时，设备占地面积基本保持不变。
附图说明
35.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
36.图1是本技术实施例提供的一种半导体处理设备的处于第一种工位时的结构示意图；
37.图2是图1的半导体处理设备处于第二种工位时的结构示意图；
38.图3是本技术实施例提供的一种升降机构的结构示意图；
39.图4是图2中a部分的放大结构示意图；
40.图5是申请实施例提供的一种驱动部的结构示意图；
41.图6是本技术实施例提供的升降机构的工作原理示意图；
42.图7是本技术实施例提供的驱动部的筒形桶体与筒形固定座的配合示意图；
43.图8是本技术实施例提供的一种工艺腔室的布置方式示意图；
44.图9是本技术实施例提供的一种半导体处理设备的气路结构示意图。
45.本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。通过上述附图，已示出本技术明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本技术构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本技术的概念。
具体实施方式
46.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
47.需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本技术不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。
48.应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在所述的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。本技术使用的术语“或”、“和/或”、“包括以下至少一个”等可被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。例如，“包括以下至少一个：a、b、c”意味着“以下任一个：a；b；c；a和b；a和c；b和c；a和b和c”，再如，“a、b或c”或者“a、b和/或c”意味着“以下任一个：a；b；c；a和b；a和c；b和c；a和b和c”。仅当元件、功能、步骤或操作的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。
49.应当理解，尽管在本文可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本文范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。
50.应当理解的是，术语“顶”、“底”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
51.为了便于描述，以下各实施例中，均是以水平面和竖直方向形成的正交空间为例
进行说明，该前提条件不应理解为对本技术的限制。
52.请参阅图1和图2，图1是本技术实施例提供的一种半导体处理设备的处于第一种工位时的结构示意图，图2是图1的半导体处理设备处于第二种工位时的结构示意图，该半导体处理设备包括至少两个在竖直方向上依次堆叠设置的工艺腔室10、与工艺腔室10一一对应连接的多个传输通道20、通过传输通道20与工艺腔室10连接的传输腔室30，以及设置于传输腔室的底部并可进行升降的传输机构，传输机构可以通过传输通道20在传输腔室30与工艺腔室10之间进行晶圆传输。
53.图1和图2中以工艺腔室10设置两个为例进行说明，两个工艺腔室10在竖直方向上堆叠设置，传输通道20也对应设置两个，传输腔室30与每个工艺腔室10通过一个传输通道20连接，传输机构通过升降运动可以运动至下方的传输通道20(对应图1的第一工位)或者运动至上方的传输通道20(对应图2的第二工位)，使传输腔室30通过两个传输通道20分别与两个工艺腔室10进行晶圆传输，比如，传输机构通过两个传输通道20分别向每个工艺腔室10中放入晶圆，从而所有工艺腔室10可以同时进行工艺，工艺完成后，传输机构再通过两个传输通道20分别从每个工艺腔室10将晶圆取回至传输腔室30中。由于一次工艺过程，可以实现多个工艺腔室10的加工，产能可以成倍地增加。并且，由于工艺腔室10沿竖直方向堆叠布置，在产能增加的同时，设备占地面积基本保持不变。
54.在一个实施例中，传输腔室30上设置有取片窗口331，传输机构还可以通过取片窗口331进行传输腔室30与外部之间的晶圆传输。
55.作为一个示例，请继续参阅图1和图2，工艺腔室10可以包括第一顶板11、第一底板12和第一侧板13，第一顶板11和第一底板12相对设置，第一侧板13连接第一顶板11和第一底板12，以形成密闭的腔体，工艺腔室10可以是圆筒形。
56.传输腔室30可以包括第二顶板31、第二底板32、第二侧板33，第二顶板31和第二底板32相对设置，第二侧板33连接第二顶板31和第二底板32，以形成密闭的腔体。传输腔室30也可以是圆筒形。传输通道20连接在第一侧板13和第二侧板33之间，将工艺腔室10和传输腔室30连通，每个传输通道20还可以设置阀门，以控制相应的传输通道20的开启和关闭。
57.第二侧板33上设置有取片窗口331，传输机构连接在第二底板32上，可以通过取片窗口331进行传输腔室30与外部之间的晶圆传输，以及通过传输通道20进行传输腔室30与对应的工艺腔室10之间的晶圆传输。
58.上述实施例中，传输机构可以通过本领域一般的机械臂结构来实现晶圆传输的过程。在一个实施例中，本技术提供了一种传输机构实施例。请继续参阅图1和图2，传输机构包括升降机构34以及与升降机构34连接的机械手35，比如，升降机构34可以与传输腔室30的第二底板32连接，机械手35可以连接在升降机构34的顶面。升降机构34用于带动机械手35上升或下降至目标高度，其中，目标高度包括取片窗口331的高度以及对应各目标传输通道的高度，机械手35用于在水平面内做旋转运动，并且当旋转至取片窗口331的一侧时，从取片窗口331取放晶圆，以及当旋转至对应传输通道20的一侧时，沿传输通道20做直线运动，并从对应的工艺腔室10中取放晶圆。
59.本实施例的传输机构的工作原理为：以向工艺腔室10中传输晶圆为例进行说明。升降机构34首先带动机械手35在竖直方向上做升降运动，以使机械手35运动至取片窗口331的高度，此时，取片窗口331的高度为当前的目标高度。若机械手35当前没有处于取片窗
口331的一侧，可以旋转至取片窗口331的一侧。然后机械手35从取片窗口331取晶圆，并由升降机构34带动运动至目标传输通道的高度，再旋转至目标传输通道的一侧，或者先旋转至目标传输通道的一侧，再由升降机构34带动运动至目标传输通道的高度，两个运动的顺序本技术实施例不作特别限定。可以理解的是，当需要向上方的工艺腔室10传输晶圆时，则上方的工艺腔室10对应的传输通道20为目标传输通道；当需要向下方的工艺腔室10传输晶圆时，则下方的工艺腔室10对应的传输通道20为目标传输通道。机械手35旋转至目标传输通道的一侧后，沿目标传输通道做直线运动，并将晶圆放进对应的工艺腔室10中。
60.优选的，传输通道20相互平行设置，并位于同一竖直平面上。从而机械手35在进行各工位的晶圆传输时，从取片窗口331的一侧旋转至传输通道20的一侧时，旋转角度可以保持一致，可以简化旋转机构的自动控制。例如，当取片窗口331和传输通道20在第二侧板33的设置位置相对时，机械手35的旋转角度刚好是180
°
。
61.作为一个示例，取片窗口331的高度可以与其中一个传输通道20的高度一致，从而当传输腔室30取到晶圆后通过该传输通道20进行晶圆传输时，不需要进行竖直高度的调整，可以减少升降机构34的升降运动次数。
62.由于本技术的工艺腔室10在竖直方向上堆叠设置，升降机构34的升降运动落差较大，而现有技术中使用的真空机械手(单工艺腔室的半导体处理设备)在竖直方向的行程普遍较小，升降距离有限。而现有炉管设备中普遍应用的大气机械手在竖直方向的行程较大，但该大气机械手的外形过于庞大，应用于本技术的传输腔室也会带来不便。为此，本技术实施例还提供了一种升降机构。
63.在一个实施例中，请参阅图1-图3，其中，图3是本技术实施例提供的一种升降机构的结构示意图。该升降机构34包括筒形固定座341、驱动部342和升降台343。筒形固定座341连接于传输腔室30的底面，驱动部342设置于筒形固定座341的内部，升降台343的底端连接于驱动部342，升降台343的顶端贯穿传输腔室30的底板并延伸至传输腔室30内，并且与机械手35连接。驱动部342用于驱动升降台343做升降运动，并带动机械手35进行升降运动。
64.作为一个示例，筒形固定座341可以包括第三顶板3411、第三底板3412和第三侧板3413，第三顶板3411和第三底板3412相对设置，第三侧板3413连接第三顶板3411和第三底板3412，以形成密闭的筒形腔体。例如，筒形固定座341可以是圆柱形。筒形固定座341通过第三顶板3411连接于传输腔室30的第二底板32的底面。驱动部342设置于筒形固定座341的内部，升降台343的底端连接于驱动部342，升降台343的顶端贯穿第三顶板3411和第二底板32并延伸至传输腔室30内，并且升降台343的顶端与机械手35连接。驱动部342在筒形固定座341中上下运动，从而可以带动升降台343做升降运动，机械手35在升降台343上做旋转运动以及直线运动。需要说明的是，机械手35的旋转运动以及直线运动可以通过本领域常规方法驱动实现，本技术实施例不做赘述。
65.本实施例中，筒形固定座341固定在传输腔室30的第二底板32的底面，升降台343的顶端贯穿筒形固定座341的第三顶板3411和传输腔室30的第二底板32并延伸至传输腔室30内，在驱动部342的驱动下做升降运动。本实施例通过将筒形固定座341设置在传输腔室30的外部，可以大大减少升降机构34在传输腔室30中的占用空间，本升降机构34可以适用于工艺腔室10在竖直方向上堆叠布置的方案。
66.本技术实施例还提供了一种驱动方案。请参阅图3-图5，其中，图4是图2中a部分的
放大结构示意图，图5是申请实施例提供的一种驱动部的结构示意图。筒形固定座341的内壁设有第一磁性材料层344，构成第一磁极；驱动部342包括筒形桶体3421、线圈3425和第二磁性材料层3426。升降台343的底端与筒形桶体3421的底部连接；线圈3425环绕筒形桶体3421的侧壁设置并内嵌于筒形桶体3421的侧壁中；第二磁性材料层3426设置于筒形桶体3421的内壁，构成第二磁极，第二磁极的极性与第一磁极的极性相反。比如，第二磁极为n极，第一磁极为s极，反之亦可。在一些实施例中，第一磁性材料层344和第二磁性材料层3426可以是永磁材料。
67.作为一个示例，筒形桶体3421可以包括第四顶板3422、第四底板3423和第四侧板3424，第四顶板3422和第四底板3423相对设置，第四侧板3424连接第四顶板3422和第四底板3423，以形成密闭的筒形桶体3421。作为一个示例，筒形桶体3421可以是圆柱形。升降台343的底端贯穿第四顶板3422，并与第四底板3423连接。线圈3425环绕第四侧板3424并内嵌于第四侧板3424的实体内部。第二磁性材料层3426设置于第四侧板3424的内壁。
68.本实施例的升降机构34的工作原理，请参阅图6，图6是本技术实施例提供的升降机构的工作原理示意图。由于筒形桶体3421的第四侧板3424的内壁设置有第二磁性材料层3426，构成第二磁极，筒形桶体3421的第四侧板3424的外侧设置有第一磁性材料层344(第一磁性材料层344设置于筒形固定座341的第三侧板3413的内壁)，构成第一磁极，两个磁极的极性相反，因而第一磁性材料层344和第二磁性材料层3426之间存在磁场b，磁场b穿过第四侧板3424，而第四侧板3424的实体内部设置有线圈3425，当线圈3425中通入直流电时，磁场对通电的线圈3425产生竖直方向的安培力。当线圈反向运动或进行减速制动时，可以在线圈3425的两端施加反向电压，使电流反向产生制动力。假设线圈3425的匝数为n，单圈长度为l，线圈3425中流过电流为i时，第一磁极与第二磁极之间的径向磁场强度为b，则根据安培力公式，线圈3425受到的驱动/制动力f为：
69.f＝n
·
l
·b×i70.式中，采用粗体表示向量，线圈3425中流过的电流i为影响驱动/制动力的唯一变量，可以通过控制电流的大小来调整驱动力(安培力)的大小。作为一个示例，可以在驱动部342或升降台343或机械手35上安装实时检测位置的传感器，通过位置反馈信号计算出线圈3425中的电流调节量，实时调整线圈3425的驱动力，使驱动部342做平稳地升降往复运动。
71.为了进一步提高驱动部342的运动稳定性，请继续参阅图3，升降机构34还包括阻尼器37，阻尼器37设置于筒形固定座341的内部，当驱动部342在筒形固定座341的内部做升降运动时，阻尼器37可以对驱动部342的运动进行缓冲。阻尼器37可以是机械式的，也可以是电磁式的，为本领域成熟的技术，本技术不再进行赘述。
72.为了防止第二磁性材料层3426对升降台343内部电气元件产生影响，请参阅图4和图5，驱动部342还可以设置磁场屏蔽层3427，磁场屏蔽层3427设置于第二磁性材料层3426远离筒形桶体3421的内壁一侧，并且与第二磁性材料层3426间隔设置。即采用磁场屏蔽层3427将升降台343和第二磁性材料层3426隔开。
73.在一个实施例中，请参阅图7，图7是本技术实施例提供的驱动部的筒形桶体与筒形固定座的配合示意图，该图为俯视图。筒形固定座341第三侧板3413的内壁设有第一磁性材料层344，第一磁性材料层344的内壁设置有沿竖直方向延伸的多个第一导向结构345。驱动部342的筒形桶体3421的外侧面设置有沿纵向延伸的多个第二导向结构346，第二导向结
构346与第一导向结构345配合。比如，第一导向结构345可以是导向槽，第二导向结构346可以是导轨，反之亦可。需要说明的是，本实施例中，第二导向结构346与第一导向结构345为成对设置，可以只设置一对，也可以设置两对、三对或者多于三对。
74.上述导向结构的设置可以防止驱动部342相对筒形固定座341进行转动。优选的，第一导向结构345和第二导向结构346可以对应设置三组，沿第三侧板3413的周向均匀分布，可以提高驱动部342升降运动的稳定性。
75.当机械手35上升或下降至目标高度进行晶圆传输时，为了保证晶圆传输平台的稳定性，在一个实施例中，请参阅图4和图5，驱动部342的筒形桶体3421的外侧面设置有至少一个沿水平方向延伸的锁止孔h。比如，锁止孔h可以设置在第四顶板3422的端面，也可以设置在第四底板3423的端面，还可以设置在第四侧板3424的外侧面。筒形固定座341的外壁设置有多组锁紧气缸36，每组锁紧气缸36对应一个目标高度，用于当驱动部342带动机械手35上升或下降至目标高度时，相应组的锁紧气缸36穿过筒形固定座341的侧壁与锁止孔h一一对应连接，以对驱动部342进行锁紧。可以理解的是，每组气缸36的数量可以是一个、两个或者更多个，具体根据驱动部342上设置的锁止孔h的数量进行确定，两者一一对应配合连接。
76.比如，图1和图2中，为双工艺腔室10布置，存在两个目标高度(对应两个工位)，筒形固定座341的第三侧板3413的外壁则设置有两组锁紧气缸36。由于驱动部342的筒形桶体3421的外侧面设置有四个锁止孔h，则每组锁紧气缸36的数量也为四个，并且在驱动部342运动至目标高度时，相应组的四个锁紧气缸36与四个锁止孔h一一对应配合连接，对驱动部342进行锁紧，以便进行晶圆传输。
77.为了防止驱动部342向上运动超出极限位置，在一个实施例中，请参阅图3，可以在筒形固定座341的顶部设置上限位块38，比如，上限位块38可以设置在第三顶板3411的底面，驱动部342向上运动至极限位置时，驱动部342的顶面(比如第四顶板3422的顶面)与上限位块38的底面抵接。同理，为了防止驱动部342向下运动超出极限位置，可以在筒形固定座341的底部设置下限位块39，比如，下限位块39可以设置在第三底板3412的顶面，驱动部342向下运动至极限位置时，驱动部342的底面(比如第四底板3423的底面)与下限位块39的顶面抵接。
78.为了防止不同工艺腔室10中的磁场相互产生干扰，在一个实施例中，请继续参阅图8，图8是本技术实施例提供的一种工艺腔室的布置方式示意图，工艺腔室10包括金属屏蔽外壳，且金属屏蔽外壳接地处理。比如，工艺腔室10的第一顶板11和第一底板12为中空结构，第一侧板13也可以为中空结构。
79.作为一个示例，工艺腔室10内由上至下可以依次设置上感应线圈14、上部加热体16、下部加热体17和下感应线圈15，上感应线圈14和下感应线圈15通过电磁感应加热分别对上部加热体16和下部加热体17加热。上感应线圈14和下感应线圈15产生的磁场线从上下两侧向外部穿透时，在中空结构的第一顶板11和第一底板12的屏蔽下，在工艺腔室10的表面产生感生电荷，感生电荷可以进一步通过接地线而被导走，从而实现了对工艺腔室10内部磁场的屏蔽。进一步地，还可以在相邻两个工艺腔室10之间设置磁场屏蔽板40，并且磁场屏蔽板40接地处理。本实施例中，磁场屏蔽板40以及工艺腔室10的第一顶板11、第一底板12、第一侧板13均可以采用金属材料制作。
80.在一个实施例中，请参阅图9，图9是本技术实施例提供的一种半导体处理设备的
气路结构示意图。该半导体处理设备的气路结构包括主路气管50，主路气管50的数量与工艺腔室10的数量一致，并且一一对应连接。每个主路气管50连接的多个支路气管60，每个支路气管60用于向主路气管50输送不同的工艺气体。比如，可以在每个支路气管60上设置背压阀61和流量计62，通过背压阀61和流量计62来控制是否向主路气管50送相应的工艺气体以及送气流量等。
81.本实施例可以控制向不同的工艺腔室10送不同的工艺气体，从而可以在一次工艺过程进行不同的半导体制作工艺。
82.以上对本技术所提供的一种半导体处理设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述。需要说明的是，在本技术中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
83.本技术技术方案的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本技术记载的范围。
84.以上仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。