真随机数发生器及产生真随机数的方法与流程

1.本发明涉及信息安全与密码学技术领域，尤其涉及一种真随机数发生器及产生真随机数的方法。


背景技术：

2.基于自旋轨道矩效应(sot)的真随机数发生器包括重金属/铁磁/非磁构成的垂直磁化异质结，在垂直磁化异质结中，当面内电流沿水平方向流过重金属层时，由于自旋轨道耦合效应(soc)，在自由层和重金属层的界面处将累积水平极化的纯自旋流，并对自由层的磁矩产生力矩(自旋轨道矩)，将其拉至面内水平的方向。又由于热扰动的存在，撤去水平电流时，垂直磁化异质结的自由层的磁矩会等概率(各50％)地向上或者向下随机翻转。当自由层与参考层的磁矩方向一致为低阻态(逻辑“0”)，当其相反时为高阻态(逻辑“1”)自由层，由此产生“0”和“1”以相同概率随机分布的数字串。
3.基于自旋轨道矩效应(sot)的真随机数发生器的磁性异质结具有低矫顽力和小阻尼系数，随机性依赖于垂直磁化的铁磁材料磁矩在热扰动下的等概率(50％)的向上或向下翻转。但其对外界微小磁场非常敏感，水平磁场和基于自旋轨道耦合效应的作用将使得磁矩向上或向下的某一状态概率变大，小于磁性层矫顽力的垂直磁场能提高与该磁场方向一致的磁矩状态翻转概率，而大于磁性层矫顽力的垂直磁场将使磁矩100％翻向与之对应方向。当外界存在微小杂散磁场时，基于自旋轨道矩效应(sot)的真随机数发生器的平衡性将更容易被破坏。


技术实现要素：

4.有鉴于现有技术的至少一个缺陷，本发明提供一种真随机数发生器及产生真随机数的方法。
5.其中，所述真随机数发生器包括：随机数发生模块，其中所述随机数发生模块包括：
6.自旋流生成层，两端分别设有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极用于通入第一电流；
7.第一磁隧道结，位于所述自旋流生成层上，包括依次堆叠的第一自由层、第一绝缘层、第一参考层、第一钉扎层和第一盖帽层；以及
8.第二磁隧道结，位于所述自旋流生成层上，包括依次堆叠的第二自由层、第二绝缘层、第二参考层、第二钉扎层和第二盖帽层；
9.其中，所述第一自由层和所述第二自由层被配置为磁场初始化后能够具有相反的磁化方向；
10.所述第一磁隧道结和所述第二磁隧道结并列设置，并具有间距，所述间距被配置为能够使得所述第一自由层和所述第二自由层产生反铁磁耦合；
11.其中，所述第一电极和所述第一盖帽层用于通入第二电流，或所述第一电极和所
述第二盖帽层用于通入所述第二电流。
12.根据本发明的一个方面，所述第一自由层的易磁化方向垂直于所述自旋流生成层与所述第一自由层的第一交界面，所述第二自由层的易磁化方向垂直于所述自旋流生成层与所述第二自由层的第二交界面。
13.根据本发明的一个方面，所述第一自由层被配置成当通入所述第一电流时，在自旋轨道耦合效应的作用下，所述第一自由层的第一磁矩能够被拉至平行于所述第一交界面，当撤去所述第一电流时，在热扰动的作用下，所述第一自由层能够垂直于所述第一交界面向上或向下的方向随机翻转；并且
14.所述第二自由层被配置成当通入所述第一电流时，在自旋轨道耦合效应的作用下，所述第二自由层的第二磁矩能够被拉至平行于所述第二交界面，当撤去所述第一电流时，在热扰动的作用下，所述第二自由层能够垂直于所述第二交界面向上或向下的方向随机翻转。
15.根据本发明的一个方面，所述第一自由层和所述第二自由还被配置成当通入所述第二电流时，所述第一自由层和所述第二自由层不能翻转。根据本发明的一个方面，所述第一参考层和所述第二参考层的易磁化方向分别垂直于所述绝缘层与所述第一参考层的第三交界面、所述绝缘层与所述第二参考层的第四交界面。
16.根据本发明的一个方面，所述第一自由层和所述第二自由层由相同的材料制成，和/或所述第一参考层和所述第二参考层由相同的材料制成。
17.根据本发明的一个方面，所述自旋流生成层采用重金属材料或拓扑绝缘体材料制成。
18.根据本发明的一个方面，所述第一自由层和所述第二自由层采用软磁材料制成。
19.根据本发明的一个方面，所述第一绝缘层和所述第二绝缘采用金属氧化物材料制成。
20.根据本发明的一个方面，所述第一参考层和所述第二参考层采用铁磁材料制成。
21.根据本发明的一个方面，所述第一钉扎层和所述第二钉扎层采用反铁磁材料制成。
22.根据本发明的一个方面，所述第一盖帽层和所述第二盖帽层采用非铁导电金属材料制成。
23.根据本发明的一个方面，所述随机数发生模块还包括位于所述自旋流生成层下的衬底，所述衬底包括硅基片。
24.本发明提供的使用上述的真随机数发生器产生真随机数的方法包括：
25.对所述第一磁隧道结和所述第二磁隧道结进行初始化，使所述第一自由层和所述第二自由层具有相反的磁化方向；
26.向所述第一电极和所述第二电极通入所述第一电流，其中，所述第一电流包括具有预设间隔的脉冲电流；
27.在所述预设间隔，向所述第一电极和所述第一盖帽层通入所述第二电流，或向所述第一电极和所述第二盖帽层通入所述第二电流，用于测量所述第一磁隧道结或所述第二磁隧道结的磁电阻，并根据所述磁电阻得到随机数序列。
28.根据本发明的一个方面，该方法还包括：通过控制所述第一电流的脉冲周期，控制
产生真随机数的速率。
29.本发明提供的真随机数发生器，包括两个距离较近的反平行垂直磁各项异性的铁磁异质结构成的磁隧道结，两个磁隧道结的自由层形成强的反铁磁耦合。本发明通过设计自由层的反铁磁耦合来降低杂散磁场对随机性的影响，可有效提高基于自旋轨道矩效应(sot)的真随机数发生器的随机性。
30.本发明所提供的真随机数发生器结构简单，器件尺寸小，能耗低，便于集成在各种便携设备上，且产生真随机数的方法简单，随机性好，具有很好的应用前景。
附图说明
31.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图，而并不超出本技术要求保护的范围。
32.图1示出了本发明的一个实施例所提供的真随机数发生器的随机数发生模块的前视图。
33.图2示出了图1所示的真随机数发生器的随机数发生模块的俯视图。
34.图3示出了图1中a部分的纵截面示意图。
35.图4示出了本发明的另一个实施例所提供的真随机数发生器的随机数发生模块的部分纵截面示意图。
36.图5示出了本发明的一个实施例所提供的产生真随机数的方法。
37.图6示出了本发明的一个实施例所提供的真随机数发生器通入的脉冲电流。
具体实施方式
38.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
39.在本说明书中，当提到组件(或，区域、层、部分等)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“耦接到”另一组件时，这意味着该组件可以直接在另一组件上、连接到或耦接到另一组件或者第三组件可以存在于它们之间。
40.在附图中，为了有效地描述，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。如本文中所使用的，术语“和/或”包括由相关组件所限定的所有的一个或多个组合。
41.诸如第一和第二等的术语可以用于描述各种组件，但组件不应受这些术语的限制。这些术语可以仅用于区分一个组件与其它组件。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，并且类似地，第二组件也可以被称为第一组件。除非另有规定，单数形式的术语可以包括复数形式。
42.另外，诸如“在
……
下方”、“在
……
之下”、“在
……
上方”以及“在
……
之上”的术语用于描述附图中所示的组件的关系。这些术语是相对概念并且是基于附图中所示的方向被描述。
43.应当理解的是诸如“包括”、“包含”和“具有”的术语当在本文中使用时指定存在所述的特征、数量、步骤、操作、组件、部分或其组合，但不排除存在或增加一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、组件、部分或其组合。
44.除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。如在常用字典中所定义的此类术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不得被解释为具有理想化或过于正式的含义，除非在本技术中被明确地定义。
45.图1-3示出了本发明一实施例提供的真随机数发生器的随机数发生模块100，其包括自旋流生成层110和两个磁隧道结(magnetic tunnel junction，mtj)mtj1、mtj2。其中，图1和图2分别为随机数发生模块100的前视图和俯视图，图3为图1中a部分的纵截面示意图。
46.本实施例中，自旋流生成层110为条形结构，其两端分别设有第一电极t1和第二电极t2。第一电极t1和第二电极t2用于通入第一电流(即写电流)。在本发明的其他实施例中，自旋流生成层110也可为其他形状。
47.可选地，自旋流生成层110采用具有强自旋耦合效应的材料制成，可选地，如重金属材料pt、ta、w，拓扑绝缘体材料bi2se3、sb2te3、bi2te3，新型材料mos2、ptte2等。
48.如图1所示，第一磁隧道结mtj1、第二磁隧道结mtj2并列地设置在自旋流生成层110上。可选地，第一磁隧道结mtj1和第二磁隧道结mtj2均为纳米级尺寸。
49.下面结合图3，对第一磁隧道结mtj1和第二磁性隧道结mtj2的结构进行详细描述。图3中，以条形结构的自旋流生成层110的几何中心为三维直角坐标原点，以条形结构的延伸方向为x轴，以垂直于x轴并沿第一磁隧道结mtj1、第二磁隧道结mtj2的堆叠方向为z轴。
50.如图3所示，第一磁隧道结mtj1包括第一自由层121、第一绝缘层131、第一参考层141、第一钉扎层151和第一盖帽层161，第二磁隧道结mtj2包括第二自由层122、第二绝缘层132、第二参考层142、第二钉扎层152和第二盖帽层162。
51.第一自由层121和第二自由层122分别位于自旋流生成层110之上。可选地，本发明中，第一自由层121和第二自由层122的易磁化方向分别垂直于自旋流生成层110与第一自由层121的第一交界面、自旋流生成层与第二自由层122的第二交界面。
52.可选地，本发明中，第一自由层121被配置成当通入第一电流时，在自旋轨道耦合效应的作用下，第一自由层121的第一磁矩能够被拉至平行于第一交界面，当撤去第一电流时，在热扰动的作用下，第一自由层121能够垂直于第一交界面向上或向下的方向随机翻转。
53.可选地，本发明中，第二自由层122被配置成当通入第一电流时，在自旋轨道耦合效应的作用下，第二自由层122的第二磁矩能够被拉至平行于第二交界面，当撤去第一电流时，在热扰动的作用下，第二自由层122能够垂直于第二交界面向上或向下的方向随机翻转。
54.可选地，本发明中，第一自由层121和第二自由层122还被配置成当通入第二电流时，第一自由层121和第二自由层122不能翻转。
55.本发明中，第一自由层121和第二自由层122采用磁各项异性的磁晶材料制成，磁化曲线随着晶轴方向的不同存在差别，在某些方向上达到饱和磁化状态所需要的外加磁场
最小，称该方向为易磁化方向，磁晶材料在易磁化方向被磁化时，磁势能最低；在另一些方向上达到饱和磁化状态所需要的外加磁场最大，称该方向为难磁化方向，磁晶材料在难磁化方向被磁化时，磁势能最高。
56.可选地，第一自由层121和第二自由层122采用小阻尼系数、低矫顽力、具有垂直磁各项异性的材料制成，可选地，如co、cofe合金、conico、coauco等多层膜软磁材料。可通过调节生长条件和膜层厚度使其具有较低的矫顽力。
57.第一自由层121和第二自由层122在制成薄膜层时，主要受到形状各向异性(退磁能)的影响，易磁化方向平行于膜面。当第一自由层121和第二自由层122与自旋流生成层110结合时，由于界面效应，在自旋流生成层110的诱导下，第一自由层121和第二自由层122的易磁化方向分别垂直于自旋流生成层110与第一自由层121的第一交界面、自旋流生成层与第二自由层122的第二交界面。
58.在自旋流生成层110通入第一电流后，由于自旋轨道矩效应，第一自由层121和第二自由层122的磁矩被拉至硬轴(水平方向，即平行于第一交界面/第二交界面)，撤去第一电流后，在热扰动的作用下，其会等概率(各50％)地向上或者向下随机翻转，第一自由层121和第二自由层122的磁矩将向着磁势能最低的方向翻转，即沿着易磁化方向分别向垂直于自旋流生成层110与第一自由层121的第一交界面和自旋流生成层110与第二自由层122的第二交界面，向上或向下的方向随机翻转。可选地，第一自由层121和第二自由层122制备为单畴两态磁性器件，即第一自由层121和第二自由层122的磁矩在同一时间朝着同一个方向。以第一自由层121和第二自由层122的磁矩方向为信息的载体，通过磁矩翻转的随机性产生真随机数。热扰动是自然界中的真随机熵源，因此，第一自由层121和第二自由层122的磁矩翻转至垂直于第一交界面和第二交界面向上或向下的概率各占50％。不同的磁矩方向对应不同的霍尔电阻，通过测量霍尔电阻，即可得到真随机数序列。
59.第一绝缘层131、第二绝缘层132分别位于第一自由层121和第二自由层122之上。可选地，第一绝缘层131和第二绝缘层132采用金属氧化物材料制成，可选地，包括mgo或alo
x
。
60.第一参考层141、第二参考层142分别位于第一绝缘层131和第二绝缘层132之上。可选地，第一参考层141、第二参考层142的易磁化方向分别垂直于第一绝缘层131与第一参考层141的第三交界面、第二绝缘层132与第二参考层142的第四交界面。可选地，第一参考层141、第二参考层142采用大阻尼系数、高矫顽力、具有磁各项异性的材料制成，可选地，包括铁磁材料。
61.本发明中，第一绝缘层131和第二绝缘层132一方面通过界面效应分别诱导第一自由层121、第二自由层122具备垂直于交界面的磁各向异性；另一方面分别与第一自由层121、第一参考层141，第二自由层122、第二参考层142构成的第一磁隧道结mtj1、第二磁隧道结mtj2的“三明治”结构，用于产生磁隧道结的磁电阻。
62.第一钉扎层151、第二钉扎层152分别位于第一参考层141、第二参考层142之上。第一钉扎层151、第二钉扎层152用于固定第一参考层141、第二参考层142的磁矩方向，在第一钉扎层151、第二钉扎层152的诱导下，可使得第一参考层141、第二参考层142的磁矩固定于垂直于第一参考层141与第一钉扎层151的交界面向上或向下的方向不变。可选地，第一钉扎层151、第二钉扎层152采用反铁磁材料制成，可选地，包括irmn或nimn。
63.第一盖帽层161、第二盖帽层162分别位于第一钉扎层151、第二钉扎层152之上。第一盖帽层161、第二盖帽层162用于保护其下各层。本发明中，第一盖帽层161、第二盖帽层162还用作读信号电极，读电流(本发明亦称之为第二电流)通入第一电极t1(也可为第二电极t2)和第一盖帽层161，或通入第一电极t1(也可为第二电极t2)和第二盖帽层162。可选地，第一盖帽层161、第二盖帽层162采用非铁导电金属材料制成，可选地，包括ta、ti或cu等。
64.基于自旋轨道矩效应(sot)的真随机数发生器通过在自旋流生成层施加电流将自由层的磁化驱动到硬轴(平面方向)，去除电流脉冲，在热扰动下，磁矩将等概率(50％)地弛豫到两个易轴方向之一，此过程受外界影响较大，比如温度、杂散磁场、电流密度等，其本质上都是破坏了磁矩在撤去电流后向垂直方向翻转的平衡。
65.本发明中，由于第一磁隧道结mtj1和第二磁隧道结mtj2之间能够产生较强的反铁磁耦合，当存在外杂散磁场(无论是水平磁场还是垂直磁场)，使基于自旋轨道耦合效应对于它们中的某一个的自由层翻转结果为上或下时，另一个磁体的自由层总会为对应相反的下或上(对于垂直磁场，存在一个作用区间，外加磁场大于其耦合强度或矫顽力时，设计失效)。由于基于自旋轨道耦合效应和外加磁场对于这两个磁体的作用并无区别，因此这种耦合的纳米磁体的组合，其中任何一个都会具备较平衡的随机性，以及抵抗杂散磁场影响的能力。
66.本发明中，可选地，第一电流包括具有预设间隔的脉冲电流。可选地，第一电流为一个较大的脉冲电流。沿着x轴方向，在第一电极t1、第二电极t2具有预设间隔的第一电流。可选地，第一电流在一个脉冲周期内产生的热量大于第一自由层121和第二自由层122的磁矩发生随机翻转所需的能量，因此，可根据第一自由层121和第二自由层122的磁矩的翻转能量势垒来确定第一电流的电流强度和脉冲宽度。
67.沿着z轴方向在预设间隔，向第一电极t1和第一盖帽层161，或向第一电极t1和第二盖帽层162通入第二电流，用于测量第一磁隧道结mtj1或第二磁隧道结mtj2的磁电阻，并根据该磁电阻得到随机数序列。可选地，在通入第一电流时，第一自由层121和第二自由层122的磁矩发生随机翻转，在两次脉冲之间或撤去脉冲电流的间歇期，可以通过检测磁隧道结的磁电阻得到随机数，因此，通过控制第一电流的脉冲间隔，可以控制真随机数产生的速率。
68.第二电流较小，无法克服磁矩的翻转能量势垒，因此在第二电流的作用下，第一自由层121和第二自由层122的磁矩方向不变，维持翻转后的状态。而第一参考层141磁矩被第一钉扎层151固定，第二参考层142被第二钉扎层152固定，均具有垂直磁各向异性，且保持一个方向。在通入第一电流时，第一自由层121的磁矩向垂直于第一自由层121与自旋流生成层110的交界面向上或向下的方向随机翻转，第二自由层122的磁矩向垂直于第二自由层122与自旋流生成层110的交界面向上或向下的方向随机翻转，此时，第一自由层121与第一参考层141的磁矩呈现平行或反向平行两种状态，第二自由层122与第二参考层142的磁矩呈现平行或反向平行两种状态。由于巨磁阻效应，第一自由层121与第一参考层141的磁矩平行时，第二自由层122与第二参考层142的磁矩平行时，可测得较低的磁电阻；第一自由层121与第一参考层141的磁矩反向平行时，第二自由层122与第二参考层142的磁矩反向平行时，可测得较高的磁电阻。把不同的电阻值分别定义为逻辑“0”和“1”，重复操作可实现输出
随机数序列。
69.本发明所提供的真随机数发生器及产生真随机数的方法，利用自旋轨道耦合效应和热扰动作用下驱动磁性层的磁矩发生随机翻转，一个翻转周期便可产生一个随机位，并且在撤去电流后磁矩仍能保持其状态，产生的随机位具有非易失性和可读性。
70.进一步地，通过设计基于反铁磁耦合的两个纳米磁体结构，降低了基于自旋轨道矩效应(sot)的真随机数发生器对外杂散磁场的敏感性，显著降低了磁矩翻转偏离平衡(各50％)的幅度，提高了基于自旋轨道矩效应(sot)的真随机数发生器的随机性。
71.本发明所提供的真随机数发生器结构简单，器件尺寸小，能耗低，便于集成在各种便携设备上，具有很好的应用前景。
72.图4示出了本发明的另一个实施例所提供的真随机数发生器的随机数发生模块的部分纵截面示意图，该部分也对应于图1中a部分。与图3所示的结构不同的是，本实施例中的随机数发生模块还包括衬底180，其位于自旋流生成层110之下，可选地，该衬底包括硅基片或其他表面粗糙度低的材料。
73.上述实施例中自旋流生成层110均示出为条形结构，可选地，第一自由层121和第二自由层122、第一绝缘层131和第二绝缘层132、第一参考层141和第二参考层142、第一钉扎层151和第二钉扎层152、第一盖帽层161和第二盖帽层162为截面形状相同的薄膜层(即均为条形)，当然，在本发明其他的实施例中，其也可以为其他形状。
74.可选地，制备第一磁隧道结mtj1和第二磁隧道结mtj2时，在衬底180上依次制备出自旋流生成层110、第一自由层121和第二自由层122、第一绝缘层131和第二绝缘层132、第一参考层141和第二参考层142、第一钉扎层151和第二钉扎层152、第一盖帽层161和第二盖帽层162，并通过刻蚀使第一自由层121和第二自由层122、第一绝缘层131和第二绝缘层132、第一参考层141和第二参考层142、第一钉扎层151和第二钉扎层152、第一盖帽层161和第二盖帽层162堆叠于条形的自旋流生成层110的中心区域。
75.图5示出了本发明一实施例提供的利用上述真随机数发生器产生真随机数的方法，包括以下步骤s510-s530。
76.s510：对第一磁隧道结和第二磁隧道结进行初始化，使第一自由层和第二自由层具有相反的磁化方向。
77.本步骤的具体初始化方法为本领域公知技术，在此不再赘述。
78.s520：向第一电极和第二电极通入第一电流。
79.其中，第一电流包括具有预设间隔的脉冲电流。
80.s530：在预设间隔，向第一电极和第一盖帽层通入第二电流，或向第一电极和第二盖帽层通入第二电流，用于测量第一磁隧道结或第二磁隧道结的磁电阻，并根据磁电阻得到随机数序列。
81.本发明提供的产生真随机数的方法简单、随机性好，具有很好的应用前景。
82.图6示出了本发明一实施例提供的往真随机数发生器的随机数发生模块通入的周期性交替的第一电流和第二电流。其中，第一电流为高幅值脉冲电流，第二电流为低幅值脉冲电流。
83.在一个脉冲周期p之内，首先通入高幅值脉冲电流使第一自由层121和第二自由层122的磁矩被拉至水平方向，然后撤去电流，在热扰动下，第一自由层121和第二自由层122
的磁矩发生垂直于交界面向上或向下的随机翻转，由于第一自由层121和第二自由层122的垂直磁各向异性，第一自由层121和第二自由层122被磁化后，磁矩方向不会发生变化。到了第一电流的预设间隔后，即预设间隔时间内通入低幅值脉冲电流，以检测z轴方向上的第一磁隧道结mtj1或第二磁隧道结mtj2的磁电阻。把不同的电阻值分别定义为逻辑“0”和“1”，重复操作可实现输出随机数序列。在下一个脉冲周期p内，通过通入高幅值脉冲电流使第一自由层121和第二自由层122再次被磁化，磁矩方向发生随机翻转，之后通过通入低幅值电流检测z轴方向上的第一磁隧道结mtj1或第二磁隧道结mtj2的磁电阻，周期性重复操作后即可实现输出随机数序列。
84.如前所述，在通入第一电流时，第一自由层121和第二自由层122的磁矩发生随机翻转，在两次脉冲之间或撤去脉冲电流的间歇期，可以通过检测磁隧道结的磁电阻得到随机数。因此，本发明提供的方法还可通过控制第一电流的脉冲周期，控制产生真随机数的速率。
85.本发明通过设计反铁磁耦合结构，将电流通路上很近的两个磁隧道结中的具有垂直各向异性的自由层的磁矩方向调成反平行状态，使得两个磁隧道结的自由层形成较强的反铁磁耦合。当有外界水平磁场干扰，将与自旋轨道耦合效应共同作用，使得磁矩向某一方向的翻转概率偏离平衡态50％(小于矫顽力的垂直磁场也能达到相同的作用)。这种影响同时施加在了用于检测的一个磁隧道结(即通入了读电流的磁隧道结)和另一个磁隧道结(即未通入读电流的磁隧道结)，但是二者之间存在一个耦合场。当水平磁场和自旋轨道耦合效应或者垂直磁场，使得被拉平到硬轴方向的磁矩发生偏离时，这一耦合场可以起到相反的作用(例如通入读电流的磁隧道结的自由层的磁矩的方向偏上，则未通入读电流的磁隧道结的自由层的磁矩的方向将偏下，这样导致的耦合场将对方向偏上的磁矩进行修正)，这样耦合的纳米磁体的组合，其中任何一个都会具备较平衡的随机性。
86.以上所述仅为本公开的示例实施例而已，并不用于限制本公开，尽管参照前述实施例对本公开进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。