技术特征：
1.一种剥离方法，其特征在于，包括步骤如下：提供初始器件，所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区；在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区；在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层；在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。2.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述导电层包括自下至上垂直层叠的第一子导电层、第二子导电层和第三子导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层的步骤包括：采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层；采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层之后，采用等离子体表面处理工艺去除第一区上的第一子导电层。3.根据权利要求2所述的剥离方法，其特征在于，所述第一子导电层的材料为镍；所述第二子导电层的材料为金锗合金；所述第三子导电层的材料为金；采用湿法刻蚀工艺去除第一区上的第三子导电层和第二子导电层的参数包括：采用的刻蚀溶液为碘化钾、碘和水的混合液；碘化钾的浓度为230mg/ml～240mg/ml，碘的浓度为410mg/ml～420mg/ml；刻蚀时间为5s～8s；所述等离子体表面处理工艺的参数包括：射频功率为60w～80w；采用的刻蚀气体包括氩气；氩气的流量为30sccm～35sccm；腔室压强为3.0*10-3
pa～5.0*10-3
pa；时间为5min～6min。4.根据权利要求2所述的剥离方法，其特征在于，还包括：在采用等离子体表面处理工艺去除第一区上的第一子导电层之前，对第一区上的第一子导电层进行去离子水清洗处理。5.根据权利要求2所述的剥离方法，其特征在于，所述第一子导电层的厚度为5nm～10nm，所述第二子导电层的厚度为40nm～60nm，所述第三子导电层的厚度为200nm～300nm。6.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层的工艺包括超声波清洗工艺。7.根据权利要求6所述的剥离方法，其特征在于，超声波清洗工艺的参数包括：超声波功率为70w～90w，超声波频率为80khz～100khz；温度为50℃～60℃；优选的，超声波清洗工艺采用丙酮清洗剂和乙醇清洗剂交替清洗。8.根据权利要求1～7任一项所述的剥离方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为负性光刻胶层，所述第二光刻胶层为正性光刻胶层。9.根据权利要求1～7任一项所述的剥离方法，其特征在于，所述初始器件包括半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的半导体单元层；去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层之后，第二区的导电层形成位于半导体单元层
上的测试电极，测试电极包括间隔的正极测试电极和负极测试电极。
技术总结
本发明公开一种剥离方法，包括步骤如下：提供初始器件，所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区；在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区；在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层；在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。
技术研发人员：王伟远 李利 成磊 梅石磊 陈宇星 刘浩伟
受保护的技术使用者：晋城市光机电产业协调服务中心（晋城市光机电产业研究院）
技术研发日：2022.08.25
技术公布日：2022/11/29