用于处理基板的支撑单元和装置的制作方法

本文描述的本发明构思的实施例涉及支撑单元和基板处理装置，更具体地涉及用于调节被支撑的基板的温度的支撑单元和包括该支撑单元的基板处理装置。

背景技术：

1、等离子体是指由离子、自由基、电子等构成的电离气态，并且由非常高的温度、强电场或rf电场生成。半导体器件制造工艺使用等离子体执行各种工艺。例如，半导体器件制造工艺可以包括通过使用等离子体去除基板上的薄膜的蚀刻工艺、通过使用等离子体在基板上沉积膜的沉积工艺等。

2、以这种方式，使用等离子体处理诸如晶片等基板的等离子体基板处理装置需要精确地执行基板处理的精度、即使在处理多个基板时也保持基板之间的恒定处理程度的重复再现性、以及使单个基板的整个区域的处理程度均匀的均匀性。

3、同时，随着半导体器件制造技术的发展，待处理的基板的直径趋于增大，并且在基板上形成的图案的临界尺寸(cd)趋于逐渐减小。基板的这种扩大和图案的精细化使得难以确保基板的处理均匀性。

技术实现思路

1、本发明构思的实施例提供了一种用于高效地处理基板的支撑单元和基板处理装置。

2、本发明构思的实施例提供了一种用于提高基板的处理均匀性的支撑单元和基板处理装置。

3、本发明构思的实施例提供了一种能够根据基板的区域独立地执行基板的温度调节的支撑单元和基板处理装置。

4、本发明构思的实施例提供了一种支撑单元和基板处理装置，其能够在即使没有复杂的连接结构的情况下根据基板的区域独立地执行基板加热。

5、本发明构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。

6、本发明构思提供了一种用于支撑基板的支撑单元。支撑单元包括：第一板；加热元件，所述加热元件设置在第一板处，用于控制基板的相应区域的温度；电力供应模块，所述电力供应模块被配置为生成具有不同频率的至少两种电力；电力线，所述电力线将由电力供应模块生成的电力传输到加热元件；以及滤波器，所述滤波器安装在电力线处以对供应到加热元件的电力选择性地进行滤波。

7、在实施例中，加热元件被分组成多个组，每个组包括至少一个加热元件，并且滤波器连接到对应的加热元件组。

8、在实施例中，由滤波器中的至少一个滤波器滤波的频率范围与由滤波器中的至少另一个滤波器滤波的频率范围不同。

9、在实施例中，加热元件以m×n矩阵布置。

10、在实施例中，加热元件中的至少第一部分设置在板的中心区域处，并且加热元件中的至少第二部分设置在板的边缘区域处。

11、在实施例中，设置在板的边缘区域处的加热元件沿着板的圆周方向彼此间隔开。

12、在实施例中，电力供应模块包括：电源；以及至少一个频率转换构件，所述频率转换构件连接到电源并且被配置为将电源生成的电力转换成具有特定频率的电力。

13、在实施例中，电力供应模块进一步包括选择性地连接到至少一个频率转换构件的频率合成构件。

14、在实施例中，第一板包括：绝缘层，加热元件埋设在该绝缘层内；以及介电层，以静态方式夹持基板的电极埋设在所述介电层内，并且其中支撑单元进一步包括设置在介电层和绝缘层下方的第二板，所述第二板具有冷却流体流过的流体通道。

15、在实施例中，支撑单元的约50％至90％的顶表面被加热元件占据。

16、在实施例中，至少一部分滤波器是带通滤波器。

17、本发明构思提供了一种用于支撑基板的支撑单元。支撑单元包括：加热元件，所述加热元件包括用于控制基板的第一区域的温度的第一加热元件和用于控制第二区域的温度的第二加热元件，所述第二区域与所述第一区域不同；电力供应模块，所述电力供应模块被配置为生成具有第一频率的第一电力和/或具有第二频率的第二电力；电力供应线，所述电力供应线连接到电力供应模块和加热元件；电力返回线，所述电力返回线连接到加热元件并接地；第一滤波器，所述第一滤波器安装在电力供应线处以通过第一电力和第二电力中的一者；以及第二滤波器，所述第二滤波器安装在电力供应线处以通过第一电力和第二电力中的另一者。

18、在实施例中，支撑单元进一步包括板，并且其中，所述板包括：介电层，所述介电层设置有静电电极；以及绝缘层，加热元件设置在所述绝缘层中。

19、在实施例中，第一滤波器和第二滤波器设置在绝缘层外部。

20、在实施例中，绝缘层包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层定位在介电层下方并且设置有第一加热元件和第二加热元件；以及第三绝缘层，所述第三绝缘层定位在第一绝缘层下方，并且其中，电力供应线设置在第一绝缘层中，电力供应线设置在第三绝缘层中，并且设置导电过孔以电连接加热元件和电力返回线。

21、在实施例中，绝缘层包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层定位在介电层下方并且设置有加热元件；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层定位在与第一绝缘层的高度不同的高度处，并且其中，电力供应线设置在第一绝缘层中并且连接到第一导电过孔，并且电力返回线设置在第二绝缘层中并且连接到第二导电过孔，并且其中，第一导电过孔电连接到至少一条第一引线，所述至少一条第一引线穿过冷却板上形成的第一孔，所述冷却板定位在所述板的下方，并且第二导电过孔电连接到至少一条第二引线，所述至少一条第二引线穿过在冷却板处形成的第二孔。

22、在实施例中，绝缘层包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层定位在介电层下方并且设置有加热元件；第三绝缘层，所述第三绝缘层定位在与第一绝缘层的高度不同的高度处，电力供应线设置在第三绝缘层中；第四绝缘层，所述第四绝缘层定位在与第一绝缘层的高度和第二绝缘层的高度不同的高度处，电力返回线设置在第四绝缘层中，并且其中，支撑单元进一步包括：第一导电过孔，其电连接加热元件和电力供应线；以及第二导电过孔，其电连接加热元件和电力返回线。

23、本发明构思提供了一种基板处理装置。所述基板处理装置包括：室，所述室提供处理空间，所述处理空间用于在其中处理基板；支撑单元，所述支撑单元被配置为支撑处理空间处的基板；以及等离子体源，所述等离子体源被配置为生成用于在处理空间处处理基板的等离子体，并且其中，所述支撑单元包括：加热元件，所述加热元件被配置为控制基板的温度，加热元件可独立操作；电力供应模块，所述电力供应模块被配置为生成具有不同频率的至少两种电力；电力供应线，所述电力供应线将电力供应模块连接到加热元件；电力返回线，所述电力返回线将加热元件接地；以及滤波器，所述滤波器安装在电力供应线处。

24、在实施例中，加热元件中的每个加热元件连接到电力供应线中的任一条和电力返回线中的任一条，并且其中，加热元件不共享电力供应线中的同一条电力供应线和电力返回线中的同一条电力返回线。

25、在实施例中，整流器安装在电力供应线或电力返回线处，所述整流器防止从电力供应模块传输的电流沿相反方向流动。

26、根据本发明构思的实施例，可以高效地处理基板。

27、根据本发明构思的实施例，可以提高基板的处理均匀性。

28、根据本发明构思的实施例，可以根据基板的区域独立地执行温度调节。

29、根据本发明构思的实施例，即使没有复杂的连接结构，也可以根据基板的区域独立地执行基板的加热。

30、本发明构思的效果不限于上述效果，并且根据以下描述，其他未提及的效果对于本领域技术人员而言将变得显而易见。