一种LDMOS器件结构的制作方法

一种ldmos器件结构
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种ldmos器件结构。


背景技术：

2.ldmos器件是半导体制造工艺中常用的器件结构，以nldmos为例，其结构存在一些问题，如多晶硅场板搭在高压氧化层(hvox)上，导致寄生电容增加，栅极电荷qg特性更差；多晶硅场板搭在高压氧化层hvox上，栅极电压vg＝5v时，电子受电场影响，向表面靠近，逼进氧化层，热载流子效应较差。
3.因此，需要提出一种新的结构来解决上述问题。


技术实现要素：

4.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种ldmos器件结构，用于解决现有技术中ldmos栅极电荷特性差以及热载流子效应差的问题。
5.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种ldmos器件结构，至少包括：
6.n型掩埋层；位于所述n型掩埋层上的p阱；位于所述n型掩埋层上所述p阱一侧的p型深阱；位于所述p型深阱上的n型漂移区；所述p阱与所述n型漂移区二者相衔接；
7.所述p阱和所述n型漂移区上分别设有n+区；位于所述n型漂移区上的台阶栅氧层；位于所述p阱上的栅氧层；所述栅氧层的一端与所述台阶栅氧层相衔接；
8.覆盖在所述栅氧层之上的第一场板；所述第一场板从所述栅氧层的另一端延续分布至所述台阶栅氧层的一端；所述台阶栅氧层上设有第二场板；
9.所述第二场板通过接触孔中的金属线连接至所述p阱上的所述n+区。
10.优选地，所述台阶栅氧化层位于所述n型漂移区上的所述n+区的一侧，该n+的一侧靠近所述p阱，该n+区的另一侧远离所述p阱。
11.优选地，所述栅氧层位于所述p阱上的所述n+区的一侧，该n+的一侧靠近所述n型漂移区，该n+区的另一侧远离所述n型漂移区。
12.优选地，位于所述p阱上的所述栅氧层的另一端起始于位于所述p阱上的所述n+区的一端，所述栅氧层的所述另一端从所p阱上的所述n+区的一端延续分布至所述台阶栅氧层。
13.优选地，所述栅氧层的厚度小于所述台阶栅氧层的厚度。
14.优选地，所述第一场板和所述第二场板均为多晶硅场板。
15.优选地，位于所述p阱上的所述n+区构成所述ldmos器件结构的源极；位于所述n型漂移区上的所述n+区构成所述ldmos器件结构的漏极。
16.如上所述，本发明的ldmos器件结构，具有以下有益效果：本发明的ldmos器件结构中，多晶硅场板与源极连接，可以减小栅极寄生电容，提高栅极电荷特性；同时多晶硅场板与栅极连接，电场驱使电子电流远离表面，热载流子效应提高；其次接触孔不需要做成狭槽，在台阶栅氧层上的多晶硅场板的cd可控，工艺简单，器件的bv易调。
附图说明
17.图1显示为本发明中的ldmos器件结构剖面结构示意图。
具体实施方式
18.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
19.请参阅图1。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
20.本发明提供一种ldmos器件结构，至少包括：
21.n型掩埋层；位于所述n型掩埋层上的p阱；位于所述n型掩埋层上所述p阱一侧的p型深阱；位于所述p型深阱上的n型漂移区；所述p阱与所述n型漂移区二者相衔接；
22.所述p阱和所述n型漂移区上分别设有n+区；位于所述n型漂移区上的台阶栅氧层；位于所述p阱上的栅氧层；所述栅氧层的一端与所述台阶栅氧层相衔接；
23.覆盖在所述栅氧层之上的第一场板；所述第一场板从所述栅氧层的另一端延续分布至所述台阶栅氧层的一端；所述台阶栅氧层上设有第二场板；
24.所述第二场板通过接触孔中的金属线连接至所述p阱上的所述n+区。
25.如图1所示，图1显示为本发明中的ldmos器件结构剖面结构示意图，所述ldmos器件结构，在本实施例中包括：
26.n型掩埋层(nbl)01；位于所述n型掩埋层01上的p阱(pwell)02；位于所述n型掩埋层01上所述p阱02一侧的p型深阱(p-under)03；位于所述p型深阱03上的n型漂移区(ndrift)04；所述p阱02与所述n型漂移区04二者相衔接；也就是说，所述p阱02与所述n型漂移区04位于同一水平面内，二者彼此相邻，相互依附。
27.所述p阱02和所述n型漂移区04上分别设有n+区；也就是说，所述p阱02上设有n+区06；所述n型漂移区04上设有n+区05。
28.该ldmos器件结构还包括位于所述n型漂移区04上的台阶栅氧层(hvox)07；位于所述p阱02上的栅氧层08；所述栅氧层08的一端与所述台阶栅氧层07相衔接；
29.本发明进一步地，本实施例中所述台阶栅氧化层07位于所述n型漂移区04上的所述n+区05的一侧(图1中所述台阶栅氧化层07位于所述n型漂移区04上的所述n+区05的左侧)，该n+区05的所述一侧(左侧)靠近所述p阱02，该n+区05的另一侧(右侧)远离所述p阱。
30.本发明进一步地，本实施例中所述栅氧层08位于所述p阱02上的所述n+区06的一侧(图1中所述栅氧层08位于所述p阱02上的所述n+区06的右侧)，该n+区06的一侧(右侧)靠近所述n型漂移区04，该n+区06的另一侧(左侧)远离所述n型漂移区04。
31.本发明进一步地，本实施例中位于所述p阱02上的所述栅氧层08的另一端(图1中为左端)起始于位于所述p阱02上的所述n+区06的一端(该n+区06的右端)，所述栅氧层08的所述另一端(左端)从所p阱02上的所述n+区06的一端(右端)延续分布至所述台阶栅氧层
07。也就是说，所述栅氧层08在所述p阱上表面(所述n+区06的一端)连续分布至所述n型漂移区上的台阶栅氧层07。
32.本发明进一步地，本实施例中所述栅氧层08的厚度小于所述台阶栅氧层07的厚度。
33.所述ldmos器件结构还包括：覆盖在所述栅氧层08之上的第一场板09；所述第一场板09从所述栅氧层08的另一端(本实施例的左端)延续分布至所述台阶栅氧层07的一端(本实施例的左端)；所述台阶栅氧层07上设有第二场板10；本实施例中所述第一场板和所述第二场板的厚度相同。
34.本发明进一步地，本实施例中所述第一场板和所述第二场板均为多晶硅场板。
35.所述第二场板10通过接触孔中的金属线11连接至所述p阱02上的所述n+区06。
36.本发明进一步地，本实施例中位于所述p阱02上的所述n+区06构成所述ldmos器件结构的源极(source)；位于所述n型漂移区04上的所述n+区05构成所述ldmos器件结构的漏极(drain)。
37.综上所述，本发明的ldmos器件结构中，多晶硅场板与栅极连接，可以减小栅极寄生电容，提高栅极电荷特性；同时多晶硅场板与源极连接，电场驱使电子电流远离表面，热载流子效应提高；其次接触孔不需要做成狭槽，在台阶栅氧层上的多晶硅场板的cd可控，工艺简单，器件的bv(击穿电压)易调。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
38.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。