技术特征：
1.一种中间结构，其特征在于，包括：中介层，所述中介层具有相对的第一表面和第二表面；导电过孔，位于所述中介层内且贯穿所述中介层；沟槽电容，位于所述中介层内并贯穿所述中介层，所述沟槽电容包括：导电柱，所述导电柱自所述第一表面向所述第二表面延伸；至少两个相间隔的电极层，每一所述电极层均环绕所述导电柱；电介质层，所述电介质层电隔离所述导电柱与所述电极层以及相间隔的所述电极层。2.根据权利要求1所述的中间结构，其特征在于，还包括：重布线层，所述重布线层位于所述中介层的第二表面，所述重布线层电连接一所述电极层与所述导电过孔。3.根据权利要求2所述的中间结构，其特征在于，所述第二表面露出至少一个所述电极层，且所述重布线层与露出的所述电极层相接触。4.根据权利要求3所述的中间结构，其特征在于，至少部分的所述电极层还位于所述导电柱朝向所述第二表面的底部，且所述第二表面露出位于所述导电柱朝向所述第二表面的底部的所述电极层，其中，所述重布线层电连接处于所述导电柱朝向所述第二表面的最外侧的所述电极层。5.根据权利要求3所述的中间结构，其特征在于，多个所述电极层包括：第一电极层以及第二电极层，所述第一电极层以及所述第二电极层均环绕所述导电柱，且所述第一电极层位于所述第二电极层与所述导电柱之间；其中，部分所述第一电极层还位于所述导电柱朝向所述第二表面的底部，且所述第二表面露出位于所述导电柱朝向所述第二表面的底部的所述第一电极层，所述第二电极层与所述导电柱电连接。6.根据权利要求5所述的中间结构，其特征在于，还包括：导电层，位于所述第一表面，且与所述第二电极层电连接。7.根据权利要求3所述的中间结构，其特征在于，多个所述电极层包括：第一电极层、第二电极层以及第三电极层，所述第一电极层、所述第二电极层以及所述第三电极层均环绕所述导电柱，且所述第一电极层位于所述第二电极层与所述导电柱之间，所述第二电极层位于所述第三电极层与所述导电柱之间，所述第一电极层与所述第三电极层电连接；其中，部分所述第二电极层还位于所述导电柱朝向所述第二表面的底部，且所述第二表面露出位于所述导电柱朝向所述第二表面的底部的所述第二电极层。8.根据权利要求7所述的中间结构，其特征在于，部分所述第一电极层还位于所述导电柱朝向所述第二表面的底部。9.根据权利要求7所述的中间结构，其特征在于，还包括：导电层，位于所述第一表面，且与所述第一电极层电连接。10.根据权利要求1所述的中间结构，其特征在于，所述导电过孔的材料与所述导电柱的材料相同。11.根据权利要求1所述的中间结构，其特征在于，所述中介层包括硅中介层。12.根据权利要求1所述的中间结构，其特征在于，所述电介质层包括：第一介质层，所述第一介质层位于处于所述导电柱最外侧的所述电极层与所述中介层之间；
第二介质层，所述第二介质层位于相邻的所述电极层之间。13.一种中间结构的制造方法，其特征在于，包括：提供初始中介层，所述初始中介层具有相对的正面和背面；形成导电过孔，所述导电过孔位于所述初始中介层内且贯穿所述初始中介层；形成沟槽电容，所述沟槽电容位于所述初始中介层内并贯穿所述初始中介层，所述沟槽电容包括：导电柱，所述导电柱自所述正面向所述背面延伸；至少两个相间隔的电极层，每一所述电极层均环绕所述导电柱；电介质层，所述电介质层电隔离所述导电柱与所述电极层以及相间隔的所述电极层；在形成所述沟槽电容之后，剩余所述初始中介层作为中介层，且所述中介层具有相对的第一表面和第二表面。14.根据权利要求13所述的中间结构的制造方法，其特征在于，还包括：形成重布线层，所述重布线层位于所述中介层的第二表面，所述重布线层电连接一所述电极层与所述导电过孔。15.一种封装结构，其特征在于，包括：基板；根据权利要求1-12任一项所述的中间结构，所述中间结构位于所述基板上，且所述中间结构内还具有贯穿所述中介层的导电插塞；半导体器件，所述半导体器件位于所述中间结构上，且所述半导体器件经由所述导电插塞与所述基板电连接。
技术总结
本公开实施例提供一种中间结构、封装结构及中间结构的制造方法。包括：中介层，中介层具有相对的第一表面和第二表面；导电过孔，位于中介层内且贯穿中介层；沟槽电容，位于中介层内并贯穿中介层，沟槽电容包括：导电柱，导电柱自第一表面向第二表面延伸；至少两个相间隔的电极层，每一电极层均环绕导电柱；电介质层，电介质层电隔离导电柱与电极层以及相间隔的电极层。如此，本公开实施例至少可以实现增大沟槽电容的电容量。槽电容的电容量。槽电容的电容量。
技术研发人员：刘志拯
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.08.31
技术公布日：2022/11/8