技术特征：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一片图案和第二片图案，在基底的第一区域上，并且在第一方向上延伸同时彼此间隔开；第一栅电极，在与第一方向相交的第二方向上延伸，第一栅电极在第一片图案与第二片图案之间延伸；第三片图案和第四片图案，在基底的第二区域上，并且在第三方向上延伸同时彼此间隔开；以及第二栅电极，在与第三方向相交的第四方向上延伸，第二栅电极在第三片图案与第四片图案之间延伸，其中，第一栅电极包括第一逸出功控制膜和在第一逸出功控制膜上的第一填充导电膜，第一逸出功控制膜填充第一片图案与第二片图案之间的间隙，第二栅电极包括第二逸出功控制膜和第二填充导电膜，第二逸出功控制膜填充第三片图案与第四片图案之间的间隙，第二填充导电膜在第二逸出功控制膜上，并且第三片图案与第四片图案之间的距离大于第一片图案与第二片图案之间的距离。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第三片图案与第四片图案之间的第二逸出功控制膜的厚度大于第一片图案与第二片图案之间的第一逸出功控制膜的厚度。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在与基底的顶表面相交的竖直方向上，第三片图案的厚度和第四片图案的厚度小于第一片图案的厚度和第二片图案的厚度。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第三片图案的在第四方向上的宽度和第四片图案的在第四方向上的宽度小于第一片图案的在第二方向上的宽度和第二片图案的在第二方向上的宽度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一片图案和第三片图案彼此齐平，并且第二片图案和第四片图案彼此齐平。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一逸出功控制膜中的材料与第二逸出功控制膜中的材料相同。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，第一填充导电膜中的材料与第二填充导电膜中的材料相同。8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：第一栅极介电膜，在第一片图案与第一栅电极之间并且在第二片图案与第一栅电极之间；以及第二栅极介电膜，在第三片图案与第二栅电极之间并且在第四片图案与第二栅电极之间，其中，第二栅极介电膜的厚度大于第一栅极介电膜的厚度。9.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一片图案和第二片图案，在基底的第一区域上，并且在第一方向上延伸同时彼此间
隔开；第一栅电极，在与第一方向相交的第二方向上延伸，第一栅电极在第一片图案与第二片图案之间延伸；第三片图案和第四片图案，在基底的第二区域上，并且在第三方向上延伸同时彼此间隔开；以及第二栅电极，在与第三方向相交的第四方向上延伸，第二栅电极在第三片图案与第四片图案之间延伸，其中，第一栅电极包括第一逸出功控制膜和在第一逸出功控制膜上的第一填充导电膜，第一逸出功控制膜填充第一片图案与第二片图案之间的间隙，第二栅电极包括第二逸出功控制膜和在第二逸出功控制膜上的第二填充导电膜，第二逸出功控制膜填充第三片图案与第四片图案之间的间隙，并且第三片图案与第四片图案之间的第二逸出功控制膜的厚度大于第一片图案与第二片图案之间的第一逸出功控制膜的厚度。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，第三片图案与第四片图案之间的距离大于第一片图案与第二片图案之间的距离。11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，在与基底的顶表面相交的竖直方向上，第三片图案的厚度和第四片图案的厚度小于第一片图案的厚度和第二片图案的厚度。12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，在第一片图案和第二片图案中的每个上的第一逸出功控制膜的厚度与在第三片图案和第四片图案中的每个上的第二逸出功控制膜的厚度相同。13.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，第一逸出功控制膜包括顺序地形成在第一片图案和第二片图案中的每个上的第一子逸出功控制膜和第二子逸出功控制膜，并且第二逸出功控制膜包括顺序地形成在第三片图案和第四片图案中的每个上的第三子逸出功控制膜和第四子逸出功控制膜。14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，第一子逸出功控制膜和第三子逸出功控制膜包括tin，并且第二子逸出功控制膜和第四子逸出功控制膜包括tialc。15.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；多个第一有源图案，在基底的第一区域上，并且在第一方向上延伸同时彼此间隔开；第一栅电极，在与第一方向相交的第二方向上延伸，第一栅电极在所述多个第一有源图案之间延伸；第一源/漏区，连接到所述多个第一有源图案，并且在第一栅电极的侧表面上；多个第二有源图案，在基底的第二区域上，并且在第三方向上延伸同时彼此间隔开；以及第二栅电极，在与第三方向相交的第四方向上延伸，第二栅电极在所述多个第二有源图案之间延伸，其中，第一栅电极包括第一逸出功控制膜和在第一逸出功控制膜上的第一填充导电膜，
第一逸出功控制膜围绕所述多个第一有源图案中的每个，并且填充所述多个第一有源图案之间的间隙，第二栅电极包括第二逸出功控制膜和在第二逸出功控制膜上的第二填充导电膜，第二逸出功控制膜围绕所述多个第二有源图案中的每个，并且填充所述多个第二有源图案之间的间隙，并且所述多个第二有源图案之间的距离大于所述多个第一有源图案之间的距离。16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，在与基底的顶表面相交的竖直方向上，第二有源图案的厚度小于第一有源图案的厚度。17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，第一逸出功控制膜中的材料与第二逸出功控制膜中的材料相同，并且第一填充导电膜中的材料与第二填充导电膜中的材料相同。18.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，第二有源图案与第一有源图案在同一水平。19.根据权利要求15所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：第二源/漏区，连接到所述多个第二有源图案，并且在第二栅电极的侧表面上；层间绝缘膜，在基底上覆盖第一源/漏区和第二源/漏区；第一源极/漏极接触件，穿过层间绝缘膜连接到第一源/漏区；以及第二源极/漏极接触件，穿过层间绝缘膜连接到第二源/漏区。20.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，第一区域和第二区域是n型场效应晶体管区域。
技术总结
公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一片图案和第二片图案，在基底的第一区域上彼此间隔开；第一栅电极，在第一片图案与第二片图案之间延伸；第三片图案和第四片图案，在基底的第二区域上彼此间隔开；以及第二栅电极，在第三片图案与第四片图案之间延伸。第一栅电极包括在第一片图案与第二片图案之间的第一逸出功控制膜和在第一逸出功控制膜上的第一填充导电膜。第二栅电极包括在第三片图案与第四片图案之间的第二逸出功控制膜和在第二逸出功控制膜上的第二填充导电膜。第三片图案与第四片图案之间的距离大于第一片图案与第二片图案之间的距离。案与第二片图案之间的距离。案与第二片图案之间的距离。
技术研发人员：朴俊模 朴鍊皓 朴恩实 李晋硕 林旺燮 崔圭峯
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.09.13
技术公布日：2023/3/28