技术特征：
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅衬底；依次设于所述硅衬底的第一区域的p型半导体层、硼硅玻璃层、第一表面钝化层和第一电极，所述第一电极穿过所述第一表面钝化层和所述硼硅玻璃层，并与所述p型半导体层接触；依次设于所述硅衬底的第二区域的n型半导体层、磷硅玻璃层、第二表面钝化层和第二电极，所述第二电极穿过所述第二表面钝化层和所述磷硅玻璃层，并与所述n型半导体层接触。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm-20nm；和/或，所述磷硅玻璃层的厚度为1nm-20nm。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm-9nm；和/或，所述磷硅玻璃层的厚度为1nm-9nm。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述p型半导体层与所述硅衬底之间设有第一界面钝化层。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述p型半导体层为p型多晶硅层。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n型半导体层与所述硅衬底之间设有第二界面钝化层。7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述n型半导体层为n型多晶硅层。8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述磷硅玻璃层中，磷的质量分数百分比为0.05％-20％；和/或，所述硼硅玻璃层中，硼的质量分数百分比为0.05％-20％。9.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底的第一区域制备p型半导体层，并同时在所述p型半导体层上形成硼硅玻璃层；在所述硅衬底的第二区域制备n型半导体层，并同时在所述n型半导体层上形成磷硅玻璃层；在所述硼硅玻璃层上制作第一表面钝化层；在所述磷硅玻璃层上制作第二表面钝化层；在所述第一表面钝化层上制作第一电极，所述第一电极穿过所述第一表面钝化层和所述硼硅玻璃层，并与所述p型半导体层接触；在所述第二表面钝化层上制作第二电极，所述第二电极穿过所述第二表面钝化层和所述磷硅玻璃层，并与所述n型半导体层接触。10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在硅衬底的第一区域制备p型半导体层的步骤中，通入氧气的氧化时间为0.2h-4h；和/或，所述在所述硅衬底的第二区域制备n型半导体层的步骤中，通入氧气的氧化时间为0.2h-4h。11.根据权利要求9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在硅衬底的第一区域制备p型半导体层的步骤中，氧化温度为700℃-1000℃；
和/或，所述在所述硅衬底的第二区域制备n型半导体层的步骤中，氧化温度为700℃-1000℃。12.根据权利要求9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述在硅衬底的第一区域制备p型半导体层的步骤之前，所述制作方法包括：在所述硅衬底的第一区域制备第一界面钝化层；在硅衬底的第一区域制备p型半导体层，包括：在所述第一界面钝化层上制备所述p型半导体层。13.根据权利要求9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述在所述硅衬底的第二区域制备n型半导体层的步骤之前，所述制作方法包括：在所述硅衬底的第二区域制备第二界面钝化层；在所述硅衬底的第二区域制备n型半导体层，包括：在所述第二界面钝化层上制备所述n型半导体层。14.一种太阳能电池，其特征在于，采用权利要求9-13任一项所述的太阳能电池的制作方法制成。15.一种电池组件，其特征在于，包括权利要求14或权利要求1-8任一项所述的太阳能电池。16.一种光伏系统，其特征在于，包括权利要求15所述的电池组件。
技术总结
本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其制作方法、电池组件、光伏系统。太阳能电池包括：硅衬底；依次设于硅衬底的第一区域的P型半导体层、硼硅玻璃层、第一表面钝化层和第一电极，第一电极穿过第一表面钝化层和硼硅玻璃层，并与P型半导体层接触；依次设于硅衬底的第二区域的N型半导体层、磷硅玻璃层、第二表面钝化层和第二电极，第二电极穿过第二表面钝化层和磷硅玻璃层，并与N型半导体层接触。如此，由于在硼硅玻璃层和磷硅玻璃层上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层和磷硅玻璃层分别在制作P型半导体层和N型半导体层时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。本。本。
技术研发人员：王永谦 林文杰 邱开富 陈刚
受保护的技术使用者：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 天津爱旭太阳能科技有限公司 广东爱旭科技有限公司
技术研发日：2022.09.14
技术公布日：2022/12/1