一种三基色LED阵列制作方法及三基色LED阵列与流程

本技术涉及芯片封装，特别是一种三基色led阵列制作方法及三基色led阵列。

背景技术：

1、随着集成电路技术的发展，电子芯片的封装尺寸越来越小型化。在led灯光的解决方案中，需要将rgb三基色的发光晶片布局在一块整板上。由于led照明产品相比原来的照明产品具有高效节能、绿色环保、寿命长的突出优势，目前已大量代替传统的白炽灯和荧光灯等传统照明产品应用于显示、室内外普通照明、景观照明、背光等多个领域。大量代替传统的白炽灯和荧光灯等传统照明产品，随着大家对高清晰图像的追求，像素点越来越小，相应芯片也越来越小。

2、目前led显示屏研发机构和生产企业正开发mini led和micro led显示技术，随led芯片尺寸缩小，使得传统热焊接的良率和可靠性极大降低。如果按组装三基色led芯片的方案，芯片转移效率极大降低红光led芯片电极都设置在芯片的上下两个不同的面上，导致对这类芯片的封装难度较大，封装成本较高。

技术实现思路

1、鉴于所述问题，提出了本技术以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种三基色led阵列制作方法及三基色led阵列，包括：一种三基色led阵列制作方法，用于将芯片制作成三基色led阵列，发光芯片包括红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片；所述发光芯片包括第一电极和第二电极；所述三基色led阵列制作方法包括：

2、在每列的所述发光芯片的一侧分别设置相对应的驱动芯片，并通过增材制造方式将所述发光芯片的第一电极分别与相对应的驱动芯片的第二电极连接并导通，导通电路厚度35微米～60微米左右，得到第一导电通路；

3、通过增材制造方式将所述红光芯片的第二电极、所述绿光芯片的第二电极和所述蓝光芯片的第二电极电极连接并导通，得到第二导电通路；

4、将所述驱动芯片的第一电极通过增材制造方式进行生长并延长，得到第三导电通路。

5、优选地，所述在每列的所述发光芯片的一侧分别设置相对应的驱动芯片，并通过增材制造方式将所述发光芯片的第一电极分别与相对应的驱动芯片的第二电极连接并导通，得到第一导电通路的步骤，包括：

6、将若干所述发光芯片按照预设规则放置于第一载带表面，通过增材制造方式使所述红光芯片的第二电极按照预设方向生长至所述红光芯片的第一电极的同侧，得到第一延长柱；

7、在所述第一载带方向对所述发光芯片灌胶封装，并在每个所述发光芯片的一侧分别设置相对应的所述驱动芯片；其中，所述驱动芯片包括第一电极和第二电极，所述驱动芯片之间相互连接并导通；

8、将每列的每个所述发光芯片的第一电极分别与相对应的驱动芯片的第二电极连接并导通，得到第一导电通路。

9、优选地，所述将若干所述发光芯片按照预设规则放置于第一载带表面的步骤，包括：

10、将所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片放置于第一载带表面；其中，所述红光芯片的第一电极、所述绿光芯片的第一电极和第二电极、所述蓝光芯片的第一电极和第二电极均与所述第一载带表面连接；所述红光芯片的第一电极、所述绿光芯片的第一电极和所述蓝光芯片的第一电极在同列；所述绿光芯片的第二电极和所述蓝光芯片的第二电极在同排。

11、优选地，所述红光芯片的第一电极和第二电极在异侧且相对设置，所述通过增材制造方式使所述红光芯片的第二电极生长至所述红光芯片的第一电极的同侧，得到第一延长柱的步骤，包括：

12、所述红光芯片的第一电极与所述第一载带表面连接，在若干所述发光芯片周侧铺设低于所述发光芯片的过渡层；其中，所述过渡层的内部设有按预设方向延伸的通孔；

13、通过增材制造方式使所述红光芯片的第二电极按预设方向沿所述过渡层的表面和所述通孔生长至所述第一载带的表面，得到第一延长柱。

14、优选地，所述在所述第一载带方向对所述芯片灌胶封装，并在所述每个发光芯片的一侧分别设置相对应的驱动芯片的步骤，还包括：

15、对所述第一延长柱灌封装胶至露出所述第一延长柱、所述红光芯片的第一电极、所述绿光芯片的第一电极和第二电极、所述蓝光芯片的第一电极和第二电极，得到第一封装胶层；

16、通过增材制造方式或贴片方式在所述第一封装胶层的表面生成每个发光芯片相对应的驱动电极底板，所述每个驱动电极底板之间连接并导通；

17、在每个所述驱动电极底板的表面设置驱动结构；

18、通过增材制造方式在所述驱动结构表面生成电极，得到驱动芯片；其中，所述驱动芯片的电极包括驱动芯片的第一电极和驱动芯片的第二电极。

19、优选地，所述在将所述驱动芯片的第一电极通过增材制造方式进行生长并延长，得到第三导电通路的步骤，包括：

20、通过增材制造方式使所述驱动芯片的第一电极按照第二预设方向生长至预设高度，得到第二延长柱；

21、在对所述第二延长柱进行灌胶封装至与所述第二延长柱相同高度，通过增材制造方式对所述第二延长柱进行水平延长，得到第三导电通路。

22、优选地，所述在对所述第二延长柱进行灌胶封装至与所述第二延长柱相同高度，通过增材制造方式对所述第二延长柱进行水平延长，得到第三导电通路的步骤，包括：

23、对所述第二延长柱进行灌封装胶至与所述第二延长柱相同高度，对封装胶进行烘干，得到第二封装胶层；

24、通过增材制造方式对所述第二延长柱在所述第二封装胶层表面进行延长，得到第三导电通路。

25、优选地，所述通过增材制造方式对所述第二延长柱在所述第二封装胶层表面进行延长，得到第三导电通路的步骤，还包括：

26、对所述第三导电通路灌胶封装，将所述第三导电通路翻转，并通过化学金属腐蚀将所述过渡层蚀刻去除。

27、优选地，所述增材制造方式包括化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、电镀和化学镀中的一种或几种。

28、优选地，所述第一导电通路的高度为35～60微米，所述第二导电通路的高度为35～60微米，第三导电通路的高度为35～60微米。

29、为实现本技术还包括一种根据三基色led阵列制作方法制备得到的三基色led阵列，发光芯片包括红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片；所述发光芯片包括第一电极和第二电极；其中，所述绿光芯片和所述蓝光芯片的第一电极和第二电极均在芯片在同侧，所述红光芯片的第一电极和第二电极在异侧且相对设置；所述三基色led阵列包括：发光芯片、第一导电通路、第二导电通路、第三导电通路、驱动芯片和封装胶层；

30、所述发光芯片的第一电极通过所述第一导电通路与所述相对应的所述驱动芯片连接并导通；

31、所述红光芯片的第二电极、所述绿光芯片的第二电极和所述蓝光芯片的第二电极电极通过所述第二导电通路连接并导通；

32、所述驱动芯片的第一电极通过第三导电通路连接并导通；

33、所述封装胶层包裹所述发光芯片、所述驱动芯片、第一导电通路、第二导电通路和第三导电通路。

34、本技术具有以下优点：

35、在本技术的实施例中，发光芯片包括红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片；所述发光芯片包括第一电极和第二电极；所述三基色led阵列制作方法包括：在每列的所述发光芯片的一侧分别设置相对应的驱动芯片，并通过增材制造方式将所述发光芯片的第一电极分别与相对应的驱动芯片的第二电极连接并导通，得到第一导电通路；通过增材制造方式将所述红光芯片的第二电极、所述绿光芯片的第二电极和所述蓝光芯片的第二电极电极连接并导通，得到第二导电通路；将所述驱动芯片的第一电极通过增材制造方式进行生长并延长，得到第三导电通路。通过在芯片上形成第一导电通路和第二导电通路以及第三导通电路，能够有效减小尺寸，提升产品的可靠性，降低生产制作成本。