技术特征：
1.一种相控阵天线的多波束叠层组件，其特征在于，所述多波束叠层组件包括依次连接的天线层(1)、第一中间层(2)、第二中间层(3)和射频芯片层(4)，其中，所述第一中间层(2)和所述第二中间层(3)的其中之一为控制与电源网络层，另一为射频网络层，所述天线层(1)、所述第一中间层(2)、所述第二中间层(3)和所述射频芯片层(4)之间通过馈电线路电连接，所述第一中间层(2)、所述第二中间层(3)和所述射频芯片层(4)之间还通过电源线路和控制线路电连接，所述射频网络层与所述射频芯片层(4)之间还通过功合网络线路电连接。2.根据权利要求1所述的多波束叠层组件，其特征在于，所述控制与电源网络层包括电源网络层(21)、控制网络层(22)、第一馈电过孔(23)、第一电源过孔(24)和第一控制过孔(25)；所述第一馈电过孔(23)电连接所述电源网络层(21)和所述控制网络层(22)，所述第一馈电过孔(23)一端与所述天线层(1)电连接，另一端与所述射频网络层或者所述射频芯片层(4)电连接；所述第一电源过孔(24)电连接所述电源网络层(21)与所述射频网络层或者所述射频芯片层(4)；所述第一控制过孔(25)电连接所述控制网络层(22)与所述射频网络层或者所述射频芯片层(4)。3.根据权利要求2所述的多波束叠层组件，其特征在于，所述射频网络层包括波束功合网络层(31)、接地屏蔽层(32)、第二馈电过孔(33)、第二电源过孔(34)、第二控制过孔(35)和功合网络过孔(36)；所述第一馈电过孔(23)电连接所述接地屏蔽层(32)和所述波束功合网络层(31)，所述第二馈电过孔(33)一端与所述天线层(1)或者所述控制与电源网络层电连接，另一端与所述控制与电源网络层或者所述射频芯片层(4)电连接；所述第二电源过孔(34)电连接所述接地屏蔽层(32)和所述波束功合网络层(31)，所述第二电源过孔(34)一端与所述天线层(1)或者所述控制与电源网络层电连接，另一端与所述控制与电源网络层或者所述射频芯片层(4)电连接；所述第二控制过孔(35)电连接所述接地屏蔽层(32)和所述波束功合网络层(31)，所述第二控制过孔(35)一端与所述天线层(1)或者所述控制与电源网络层电连接，另一端与所述控制与电源网络层或者所述射频芯片层(4)电连接。4.根据权利要求3所述的多波束叠层组件，其特征在于，所述第一中间层(2)为所述控制与电源网络层，所述第二中间层(3)为所述射频网络层；所述第一馈电过孔(23)的顶端与所述天线层(1)的馈电点焊盘bga植球焊接，所述第一馈电过孔(23)的底端与所述第二馈电过孔(33)的顶端bga植球焊接，所述第一馈电过孔(23)的中部穿经且电连接所述电源网络层(21)和所述控制网络层(22)，所述第二馈电过孔(33)的底端与所述射频芯片层(4)的馈电管脚bga植球焊接，所述第二馈电过孔(33)的中部穿经且电连接所述接地屏蔽层(32)和至少两个所述波束功合网络层(31)；所述第一电源过孔(24)的顶端电连接在所述电源网络层(21)，所述第一电源过孔(24)的底端与所述第二电源过孔(34)的顶端bga植球焊接，所述第二电源过孔(34)的底端与所述射频芯片层(4)的电源管脚bga植球焊接，所述第二电源过孔(34)的中部穿经且电连接所
述接地屏蔽层(32)和至少两个所述波束功合网络层(31)；所述第一控制过孔(25)的顶端电连接在所述控制网络层(22)，所述第一控制过孔(25)的底端与所述第二控制过孔(35)的顶端bga植球焊接，所述第二控制过孔(35)的底端与所述射频芯片层(4)的控制管脚bga植球焊接，所述第二控制过孔(35)的中部穿经且电连接所述接地屏蔽层(32)和至少两个所述波束功合网络层(31)；所述功合网络过孔(36)的顶端电连接在所述波束功合网络层(31)，所述功合网络过孔(36)的底端与所述射频芯片层(4)的公共射频端bga植球焊接，所述功合网络过孔(36)的中部穿经且电连接所述接地屏蔽层(32)和至少两个所述波束功合网络层(31)。5.根据权利要求4所述的多波束叠层组件，其特征在于，所述第一馈电过孔(23)顶端具有用于与所述天线层(1)的第一馈电焊盘电连接的第一馈电植球(231)，所述第一馈电过孔(23)的底端具有用于与所述第二馈电过孔(33)的顶端的第二馈电焊盘(331)电连接的第二馈电植球(232)，所述第二馈电过孔(33)的底端具有用于与所述射频芯片层(4)电连接的第三馈电植球(332)；所述第一电源过孔(24)的底端具有用于与所述第二电源过孔(34)的顶端的电源焊盘(341)电连接的第一电源植球(241)，所述第二电源过孔(34)的底端具有用于与所述射频芯片层(4)电连接的第二电源植球(342)；所述第一控制过孔(25)的底端具有用于与所述第二控制过孔(35)的顶端的控制焊盘(351)电连接的第一控制植球(251)，所述第二控制过孔(35)的底端具有用于与所述射频芯片层(4)电连接的第二控制植球(352)；所述功合网络过孔(36)的底端具有用于与所述射频芯片层(4)电连接的功合网络植球(361)。6.根据权利要求1-5中任一项所述的多波束叠层组件，其特征在于，所述相控阵天线的多波束叠层组件还包括结构冷板(5)，所述天线层(1)、所述第一中间层(2)、所述第二中间层(3)和所述射频芯片层(4)一体化集成后与所述结构冷板(5)连接。7.根据权利要求1-5中任一项所述的多波束叠层组件，其特征在于，所述天线层(1)、所述第一中间层(2)和所述第二中间层(3)均通过微波pcb独立制造，所述天线层(1)、所述第一中间层(2)和所述第二中间层(3)采用多层pcb叠层及压合工艺成型。8.根据权利要求1-5中任一项所述的多波束叠层组件，其特征在于，所述天线层(1)包括至少一个天线模块，每个所述天线模块均包括多个天线阵元。9.根据权利要求1-5中任一项所述的多波束叠层组件，其特征在于，所述射频芯片层(4)包括多个多功能射频芯片以及匹配电路，其中，所述多功能射频芯片为多波束芯片且支持至少两个波束成形，适于至少一个发射芯片和至少一个接收芯片。10.根据权利要求3-5中任一项所述的多波束叠层组件，其特征在于，所述波束功合网络层(31)采用威尔金森功分器用于发射网络和接收网络。
技术总结
本发明涉及相控阵天线的多波束叠层组件，所述相控阵天线的多波束叠层组件包括依次连接的天线层、第一中间层、第二中间层和射频芯片层，其中，所述第一中间层和所述第二中间层的其中之一为控制与电源网络层，另一为射频网络层，所述天线层、所述第一中间层、所述第二中间层和所述射频芯片层之间通过馈电线路电连接，所述第一中间层、所述第二中间层和所述射频芯片层之间还通过电源线路和控制线路电连接，所述射频网络层与所述射频芯片层之间还通过功合网络线路电连接，在满足低成本、小型化和一体化的前提下，解决了相控阵多波束设计与制造难题，提升了产品优化升级的灵活性和通用性，实现了不同需求产品快速定制开发。实现了不同需求产品快速定制开发。实现了不同需求产品快速定制开发。
技术研发人员：金世超 刘敦歌 刘立朋 梅辰钰 杨钰茜 周波 费春娇 黄俊
受保护的技术使用者：航天恒星科技有限公司
技术研发日：2022.09.19
技术公布日：2022/11/11