一种显示驱动载带COF封装工艺的制作方法

一种显示驱动载带cof封装工艺
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，具体是指一种显示驱动载带cof封装工艺。


背景技术：

2.在液晶显示器电路封装领域，目前采用的较多的是卷带式薄膜覆晶封装(chiponfilm，简称cof)，这种覆晶封装技术是采用柔性线路基板作为封装芯片的载体，即采用柔性线路基板作为上述线路基板，之后通过热压合技术，将芯片上的凸块与柔性线路基板的内引脚接合。如公开号为cn105551986a的中国专利文献记载了一种覆晶薄膜(cof)封装方法；通过ni/au电镀工艺以及金凸块覆盖导电胶工艺接触面小，抗震性差，芯片凸出高度大5微米，封装温度较高，有几率产生膨胀性变导致线路互触形成短路。所以，一种显示驱动载带cof封装工艺成为人们亟待解决的问题。


技术实现要素：

3.本发明要解决的技术问题是一种抗震好，芯片凸出低的显示驱动载带cof封装工艺。
4.为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为一种显示驱动载带cof封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
5.1)底衬预处理：利用dl水针去除溅射镀铜的pi基材表面的尘埃颗粒以及水蒸气的杂物，完成清洗后在温度范围40℃-5℃的区间内对底衬进行烘干；
6.2)导电层：在已镀铜的pi基材上进行导电层覆盖；
7.3)光刻胶涂盖：提前将光刻胶预热，利用旋转的离心力分离光刻胶中的气泡，旋涂在底衬表面进行覆盖；
8.4)预烘：在190℃温度下进行软烘，且温度误差不超过3℃；
9.5)曝光显影：将获得图形的掩膜版与光刻胶按照1：1进行对齐，利用uv平行光源将光线穿透掩膜版垂直穿透至光刻胶进行曝光；利用碱性水溶液在温度范围21℃-23℃区间内进行负胶显影，去除末曝光的区域；
10.6)主固化：加温至温度范围180℃-230℃区间内烘烤，使胶膜牢固的粘附在pi的铜箔表面；
11.7)蚀刻：利用酸性溶液对显影的坑道进行蚀刻；
12.8)去除光刻胶：利用有机溶剂或者对光刻胶有腐蚀作用的溶液将光刻胶溶解腐蚀；
13.9)清洗：利用dl水对已完成pattern转移的载带上进行清洗；
14.10)连接锡桥：在ic对接位置将多条锡桥平行连接均匀分布覆盖；
15.11)锡桥封胶：绝缘树脂材料利用直线写画式将小于锡桥间距针口注射的树脂胶填充在锡桥间；
16.12)封装：利用cof封装机瞬时加热产生金锡共融将ic对接触点压合在载带上；
17.13)加固：在载带背面ic对接位置处利用胶板进行背面粘合加固；
18.14)封胶：利用绝缘树脂材料围绕封装好的ic周边进行涂覆。
19.作为改进，所述步骤3中光刻胶预热温度控制在25℃，相对湿度60％，旋涂时间为36s/版，每版120片。
20.作为改进，所述步骤4预烘时，光刻胶溶剂去除完毕出线的时候，需将光刻胶冷却至23℃后再进入步骤5。
21.作为改进，所述步骤5的碱性溶液与步骤8中的有机溶剂均为氢氧化四甲基铵。
22.作为改进，所述步骤5中，掩膜版与光刻胶对齐前，调整曝光剂量波长在420nm，曝光分布量在3％以下，gap为50um。
23.作为改进，所述步骤5显影完成后，通过di水进行冲洗定影。
24.作为改进，所述步骤7中酸性溶液的主要成分为h2so4、fh、hno3。
25.作为改进，所述步骤10中锡桥间距为12μm。
26.作为改进，所述步骤12中，瞬时加热的温度为300℃。
27.作为改进，所述步骤11和步骤14中，需通过uv光源使绝缘树脂材料的胶体快速固化并快速去其内气泡。
28.本发明与现有技术相比的优点在于：本发明在在ic对接位置将多条锡桥平行连接均匀分布覆盖，间距间填充绝缘树脂，并通过写画式平涂，相比金凸块上胶增强抗震性与平稳性，降低芯片凸出高度，绝缘树脂在热压时能有效防止锡桥形变与互触短路，同时封装温度降低300度，减少封装是膨胀性导致线路互触短路。
附图说明
29.图1是锡桥封胶流程示意图。
30.图2是锡桥布局结构示意图一。
31.图3是锡桥布局结构示意图二。
32.图4是锡桥布局结构示意图三。
具体实施方式
33.下面结合附图对本发明一种显示驱动载带cof封装工艺做进一步的详细说明。
34.结合附图，一种显示驱动载带cof封装工艺具体实施例如下：
35.底村预处理：利用di水针对将测射被铜的pi基材表面的尘埃颗拉(颗粒、有机物、工艺残余可动离子)以及水蒸气等杂物进行去除，完成清洗后在温度范围40℃-5℃区间内对底衬进行低温烘干；
36.导电层：在已被铜的pi基材上进行导电层覆盖光刻胶涂盖：提前将光刻胶温复控制在适用范围井进行气泡去除达到可使用条件：旋涂在底村表面进行覆盖
37.需说明的是，提前将光刻胶温度控制在大约25℃,相对湿度60％，利用旋转的离心力，分离光刻胶中的气泡，旋涂时间：36s/版；版＝120片。
38.预烘：去除光刻胶中的溶剂、增强黏附性、释放光刻胶膜内应力以及防止光刻胶污染设备；
39.需说明的是：利用高温190℃
±
3℃误差范围内去除光刻胶中的溶剂，在去除完毕
出线的时候需将光刻胶冷却至23℃方可进入下一步；
40.曝光显影：曝光：在特定的曝光剂量下将获得图形的掩膜版与光刻胶按照1：1进行对齐。利用uv平行光源将光线穿透掩膜版垂直穿透至光刻胶进行曝光；显影：利用碱性水溶液(氢氧化四甲基铵(tetramethylammonium hydroxide水溶液))在温度范围21℃-23℃误差+0.5℃区间内进行负胶显影去除末曝光的区域，而后利用dl水进行冲洗定影。
41.需注意的是：在不同的线路pattern设计下，对应的曝光剂量要求也会有所调整，其控制波长范围在420nm,曝光分布量在3％以下，gap达到50um可达成曝光精度8um以下线路。
42.主固化：通过加温至特定的温度区间180℃-230℃烘烤使胶膜更加牢固的粘附在epi的铜箔表面增加胶层的抗刻蚀能力。
43.蚀刻：利用酸性溶液(主要成分：h2so4,fh,hno3)对显影的坑道进行蚀刻。
44.去除光刻胶：利用有机溶剂(采用与显影步骤相同溶液：氢氧化四甲基锁)或者对光刻胶有腐蚀作用的溶液将光刻胶溶解腐蚀。
45.需注意的是：去胶液的选择需要遵循与衬底反应或者不损伤衬底为条件。
46.清洗：利用di水对已完成pattern转移的载带上进行清洗，确保ic对接位置99.99％无污染。
47.连接锡桥：在ic对接位置将多条锡桥平行连接均匀分布覆盖，锡桥间距离最小处保持在12μm。
48.需说明的是：对比传统ni/au电镀工艺以及金凸块覆盖导电胶工艺具有接触面更广，更稳定,抗震性更好，有效降将芯片凸出高度从传统的大于5微米降低至1-2μm内。
49.锡桥封胶：锡桥封胶:将特定调制绝缘树脂材料利用直线写画式将12μm以下针口注射的树脂胶填充在12μm的锡桥间。
50.需说明的是：锡桥在热压瞬间具有外向变形扩散等特性，绝缘树脂在最小12μm的间隙中起到了填充的作用，能有效防止锡桥形变与互触短路。
51.封装：封装:利用cof封装机将ic对接触点压合在载带上。利用300左右瞬间加热产生金锡共熔现象。
52.需说明的是：在厚度35μm电子pi热膨胀系数不得超过400
°
，对比传统ni/au电镀i艺,封装温度大大降低超过65％，否则会产生膨胀性变导致线路互触形成短路。同时，电阻系数也从原来的68.4umω
·
cm下降至16.4umω
·
cm
53.加固：在载带背面ic对接位置处利用胶板进行背面粘合加固；
54.封胶：利用绝缘树脂材料围绕封装好的ic周边进行涂覆。
55.需说明的是：通过uv对树脂的光固化参数进行调整使其胶体内达到快化以及快速去泡的效果。
56.测试：利用特定机台以版面为单位对cof封装进行测试，检测通电短路与性能等良率问题。
57.以上对本发明及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。