技术特征：
1.一种雪崩光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：利用mocvd或者mbe的沉积方式在n型inp衬底上依次生长n型inp缓冲层、本征型in
0.52
al
0.48
as雪崩层、p型in
0.52
al
0.48
as电场控制层、本征型in
0.53
ga
0.47
as吸收层、本征型in
0.52
al
0.48
as电子阻挡层和本征inp盖层；步骤二：利用pecvd的沉积方式在本征inp盖层的上表面沉积sin薄膜；步骤三：利用光刻胶在sin薄膜的表面形成第一zn扩散窗口图形，利用刻蚀的方法去除第一zn扩散窗口图形上的sin薄膜，使下方的所述本征inp盖层暴露出来，刻蚀完成后去除光刻胶，形成第一zn扩散窗口；步骤四：利用mocvd或者炉管法在所述第一zn扩散窗口内，所述本征inp盖层的上表面进行第一次zn扩散，形成第一p-型zn扩散区域，被zn扩散的区域包括本征inp盖层、本征型in
0.52
al
0.48
as电子阻挡层和本征型in
0.53
ga
0.47
as吸收层，停止在本征型in
0.53
ga
0.47
as吸收层的下部；步骤五：利用pecvd的沉积方式在剩余的sin薄膜的上表面和第一p-型zn扩散区域的上表面再次沉积sin薄膜；步骤六：利用光刻胶在步骤五所述的sin薄膜的表面形成第二zn扩散窗口图形，利用刻蚀的方法去除第二zn扩散窗口图形内的sin薄膜，使下方的所述本征inp盖层暴露出来，刻蚀完成后去除光刻胶，形成第二zn扩散窗口；步骤七：利用mocvd或者炉管法在所述第二zn扩散窗口内，所述本征inp盖层的上表面进行第二次zn扩散，形成第二p-型zn扩散区域，被第二次zn扩散的区域包括本征inp盖层、本征型in
0.52
al
0.48
as电子阻挡层和本征型in
0.53
ga
0.47
as吸收层，停止在本征型in
0.53
ga
0.47
as吸收层的上部，所述第二p-型zn扩散区域周围的区域为非有源区域；步骤八：利用光刻胶在sin薄膜的上表面，第二p-型zn扩散区域周围的非有源区域上形成沟道图形，通过腐蚀得到沟道区域，腐蚀完成后去除光刻胶，被腐蚀的区域包括本征inp盖层、本征型in
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al
0.48
as电子阻挡层、本征型in
0.53
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0.47
as吸收层、p型in
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al
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as电场控制层、本征型in
0.52
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0.48
as雪崩层、n型inp缓冲层停止在n型inp缓冲层的下部；步骤九：利用涂胶的方法在所述沟道区域内填充bcb或pbo材料图形；步骤十：利用pecvd的沉积方式在所有裸露在外的上表面第三次沉积sin薄膜；步骤十一：利用光刻胶在部分所述第二p-型zn扩散区域上方的步骤十所述的sin薄膜上形成via孔洞图形，利用刻蚀的方法去除via孔洞图形上的sin薄膜，得到via孔洞，使得下方的本征inp盖层暴露出来；步骤十二：利用光刻胶在所述via孔洞的上方形成p金属图形，利用电子束蒸发或者磁控溅射蒸镀金属并进行金属剥离，退火形成欧姆接触，得到p金属电极；步骤十三：在所述在n型inp衬底的背面进行减薄和抛光；步骤十四：在减薄、抛光后的在n型inp衬底背面蒸镀n金属，并退火形成欧姆接触，得到n金属电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述本征型in
0.52
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0.48
as电子阻挡层的厚度为10~200nm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述sin薄膜的厚度为100nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述第一zn扩散窗口为圆柱形，其半径为10~100μm。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤五中，sin薄膜的厚度为100nm。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤四中，所述第一次zn扩散到本征型in
0.53
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0.47
as吸收层的底部。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤七中，所述第二次zn扩散到本征型in
0.53
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as吸收层的深度为0~0.2μm，使得第一p-型zn扩散区域和第二p-型zn扩散区域呈阶梯状。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一zn扩散窗口和第二zn扩散窗口为同心圆柱，第二zn扩散窗口的半径大于第一zn扩散窗口，二者半径差为5~50μm。9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤八中，所述沟道区域的宽度为5~20μm，在同一水平线上，所述沟道区域与第二p-型zn扩散区域的距离为5~50μm。10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤十中，所述sin薄膜的厚度为200nm，其对于900~1700nm波长光线的透射率大于70%；步骤十三中，减薄、抛光后n型inp衬底的厚度为50~200μm。
技术总结
本发明公开了一种雪崩光电探测器的制备方法，本发明的探测器的本征型In
技术研发人员：弭伟 杨志茂 王斌 陈新荣
受保护的技术使用者：北京英孚瑞半导体科技有限公司
技术研发日：2022.09.21
技术公布日：2022/10/27