技术特征：1.一种晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，另外包括：
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一导电结构和所述第二导电结构各自以电感为特征，并且其中在所述晶体管的操作期间，所述第一电阻器在发生奇模振荡的频率下不被所述输入接合垫短路。
6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，另外包括
10.一种晶体管，其特征在于，包括：
技术总结本公开涉及具有奇模振荡稳定电路的晶体管。一种晶体管包括形成于半导体衬底的作用区域中的第一组栅极指状件和第二组栅极指状件、形成于所述半导体衬底中并且与所述作用区域间隔开的输入接合垫、具有耦合到所述输入接合垫的近端和耦合到所述第一组栅极指状件的远端的第一导电结构，以及具有耦合到所述输入接合垫的近端和耦合到所述第二组栅极指状件的远端的第二导电结构。非导电间隙存在于所述第一导电结构和所述第二导电结构的所述远端之间。所述晶体管另外包括奇模振荡稳定电路，所述奇模振荡稳定电路包括具有第一终端和第二终端的第一电阻器，所述第一终端耦合到所述第一导电结构的所述远端，所述第二终端耦合到所述第二导电结构的所述远端。
技术研发人员：D·G·希尔
受保护的技术使用者：恩智浦美国有限公司
技术研发日：技术公布日：2024/1/12