一种半导体激光bar条及其制备方法与流程

1.本发明涉及光通信技术领域，尤其是指一种半导体激光bar条及其制备方法。


背景技术：

2.bar条一般指的是ld bar条，就是半导体激光bar条，主要用于5g光纤通信领域，主要用于光纤通信的发射信号端，其功能是将高频电信号转换为高频光信号。
3.在制备bar条的时候，需要对bar条进行光学镀膜处理，就是在bar条的两侧边沿部镀上相应的光学介质膜层，为了防止bar条镀膜产生不均匀的等问题，在bar和bar之间采用陪条间隔排布；
4.采用上述方案，这样就需要使用大量的陪条，并且，为了保证放置陪条位置的准确性，还需要设置专门的模具或者采用机械手臂的方式进行定位装配，增加了镀膜的成本，同时也降低了镀膜的效率。


技术实现要素：

5.为此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中对半导体激光bar条进行光学镀膜时需要设置陪条的问题，提供一种半导体激光bar条及其制备方法，在bar条本体上集成设置垫块，在光学镀膜时不需要使用陪条，降低了镀膜的成本，同时也提高了同一镀膜夹具内bar条的数量。
6.为解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体激光bar条，包括bar条本体，所述bar条本体为长板状结构，包括长边和短边，还包括：
7.多个发光单元，集成设置在所述bar条本体上，多个所述发光单元沿bar条本体的长边延伸方向间隔设置；
8.垫块，所述垫块为长条状结构，所述垫块沿bar条本体长边的延伸方向集成设置在所述发光单元的两侧，所述垫块的长度与所述bar条本体的长边的长度相同，所述垫块的高度高于所述发光单元，所述垫块能够在发光单元的两侧在镀膜过程中进行遮挡。
9.在本发明的一个实施例中，所述垫块设置在所述发光单元的两侧，靠近所述bar条本体的长边，两所述垫块与所述bar条本体的长边平行设置。
10.在本发明的一个实施例中，在所述bar条本体上，多组所述发光单元等间隔的集成设置。
11.在本发明的一个实施例中，在所述bar条本体上，位于中间位置的各发光单元间隔相对较宽、两端区域的各发光单元间隔相对较窄。
12.在本发明的一个实施例中，所述发光单元为半导体激光芯片。
13.在本发明的一个实施例中，所述垫块为金属垫块。
14.在本发明的一个实施例中，所述垫块与所述bar条本体一体成型设置。
15.为解决上述技术问题，本发明还提供了一种半导体激光bar条的制备方法，包括如下步骤：
16.获取bar条的芯片初始数据，确定bar条上发光单元的分布位置；
17.根据发光单元的分布位置，在bar条上光刻加电的发光单元电极图形；
18.避让光刻的图形在所述图形的两侧封装垫块，设置垫块高度高于金属的图形。
19.在本发明的一个实施例中，所述垫块为金属垫块，采用电镀或蒸镀的方式在bar条本体上制备金属垫块。
20.在本发明的一个实施例中，在制备金属垫块后，还需要对金属垫块进行剥离和成型处理。
21.本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
22.本发明所述的半导体激光bar条，在现有的bar条本体上还集成设置长条状的垫块，设置垫块沿bar条本体长边的延伸方向集成设置在发光单元的两侧，设置垫块的高度高于发光单元，通过垫块能够在发光单元的两侧对其在镀膜过程中进行遮挡，这样在对bar条进行光学镀膜时就不需要单独使用陪条对bar条内部进行遮挡，垫块等同于陪条，能够起到遮挡的作用，这样在镀膜时，就能够降低镀膜的成本，同时也提高了同一镀膜夹具内bar条数量。
附图说明
23.为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
24.图1是现有技术中bar条镀膜的结构示意图；
25.图2是本发明bar条的结构示意图；
26.图3是本发明bar条制备的步骤流程图；
27.图4是本发明bar条镀膜的结构示意图。
28.说明书附图标记说明：1、bar条本体；2、发光单元；3、垫块；4、陪条。
具体实施方式
29.下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
30.如前所述，在制备bar条的时候，需要对bar条的侧面进行镀膜处理，但是对bar条中装配有发光单元的封装面不需要进行镀膜处理，参照图1所示，为了能够达到这样的镀膜效果，在对多层bar条堆叠镀膜时，在相邻的两个bar条之间放置陪条，所述陪条既能起到分隔支撑的作用，还能起到遮挡的作用，这样就能够实现bar条的侧边镀膜；在放置陪条时，现有技术，一般采用两种方案：一种是通过人工放置陪条，这样陪条放置的位置不准确，且放置陪条的效率较低；另一种是通过设置模具或采用机械设备自动抓取来放置陪条，能够提高效率和准确度，但是成本较高，还需要单独引进陪条上下料装置。
31.综上所述，为了解决bar条的镀膜问题，现有技术采用的技术方案和突破的技术方向都将关注的技术点放在了如何装配陪条上，本发明的技术方案，从另一个角度出发，想要设计一种半导体激光bar条，在镀膜的时候不设置陪条，同时能够起到遮挡的作用。
32.实施例1
33.参照图2所示，本发明公开了一种半导体激光bar条，包括bar条本体1，所述bar条
本体1为长板状结构，包括长边和短边，所述bar条本体1通常的尺寸是长15-20毫米，宽度150-250微米，厚度100-110微米，根据实际的使用需求，选取不同尺寸的bar条，在所述bar条本体1还集成设置有多个发光单元2和垫块3，其中，多个所述发光单元2沿bar条本体1的长边延伸方向间隔设置，所述垫块3为长条状结构，所述垫块3沿bar条本体1长边的延伸方向集成设置在所述发光单元2的两侧，所述垫块3的长度与所述bar条本体1的长边的长度相同，所述垫块3的高度高于所述发光单元2，所述垫块3能够在发光单元2的两侧对其进行遮挡，这样在对bar条进行光学镀膜时就不需要单独使用陪条对bar条内部进行遮挡，垫块3等同于陪条，能够起到遮挡的作用，这样在镀膜时，就能够不使用bar条，也就不会存在放置bar条时的技术问题，就能够降低镀膜的成本，同时也提高镀膜的效率。
34.在本实施例中，设置的垫块3原本不是bar条本体1上的结构，因此在设置所述垫块3时就要考虑到不能影响bar条本身的性能，也就是说设置垫块3不能影响发光单元2的正常工作，因此，在设置所述垫块3时，将所述垫块3设置在所述发光单元2的两侧，在bar条本体1的设置面上，尽量靠近所述bar条本体1的长边，原理所述发光单元2，避免对发光单元2造成干涉影响，并且，设置两所述垫块3与所述bar条本体1的长边平行。
35.具体地，为了方便设置所述垫块3，不增加对于的成型工艺，设置所述垫块3为金属垫块3，设置所述垫块3与所述bar条本体1一体成型设置，在制备所述bar条本体1的同时，制备所述垫块3，不需要采用其他的成型工艺。
36.具体地，根据不同的使用需求，在所述bar条本体1上，多组所述发光单元2等间隔的集成设置，设置多组所述发光单元2的结构和尺寸相同；但是，在实际使用的过程中发现，各个发光单元2的温度分布不均匀，中间发光单元2温度高，而两边的发光单元2的温度较低，温度是限制半导体激光器bar条的关键因素之一，温度变化会引起禁带宽度、阈值电流、输出功率等性能指标的变化；为了解决这一问题，本发明还公开了另一种发光单元2设置的方案：
37.在所述bar条本体1上，设置位于中间位置的各发光单元2间隔相对较宽、两端区域的各发光单元2间隔相对较窄，设置多组发光单元2从bar条的中部分别到bar条的两端，各处间隔的距离依次递减，这样位于中间位置的发光单元2数量较少，就能够相对降低中间位置的温度，使各个位置发光单元2的温度均匀分布。
38.具体地，所述发光单元2为半导体激光芯片，所述半导体激光芯片根据不同的使用需求可以采取不同的封装方式，可以采用现有技术进行封装，例如：公开号为：cn107482471a，发明名称：一种半导体激光bar条及其制备方法的中国专利就公开了一种半导体激光芯片的封装方法，由此可知，半导体激光芯片的封装方式为一种现有技术，在此不多加赘述。
39.实施例2
40.参照图3所示，本发明还公开了一种半导体激光bar条的制备方法，能够制备上述实施例1所述的半导体激光bar条，包括如下步骤：
41.获取bar条的芯片初始数据，确定bar条上发光单元2的分布位置；
42.根据发光单元2的分布位置，在bar条上光刻用于加电的发光单元2电极图形；
43.避让光刻的图形在所述图形的两侧封装垫块3，设置垫块3高度高于光刻的电极图形；
44.采用上述方法，确定发光单元2后，在现有的bar条本体1上还集成设置避让发光单元2的长条状垫块3，通过垫块3能够在发光单元2的两侧对其进行遮挡，这样在对bar条进行光学镀膜时就不需要单独使用陪条对bar条内部进行遮挡，垫块3等同于陪条，能够起到遮挡的作用，这样在镀膜时，就能够降低镀膜的成本，同时也提高了镀膜的效率。
45.具体地，在本实施例的制备方法中，设置所述垫块3为金属垫块3，采用电镀或蒸镀的方式在bar条本体1上制备金属垫块3，使金属垫块3与bar条本体1一体成型。
46.具体地，在制备金属垫块3后，还需要对金属垫块3进行剥离和成型处理，进一步对金属垫块3进行处理，使金属垫块3能够起到遮挡的作用。
47.参照图4所示，相比于现有技术，在本实施例中，半导体激光bar条制备和镀膜的过程为：光刻图形、电镀或蒸镀金属(包括金属垫块3)、金属剥离、金属成型、排bar条、镀膜、卸bar条，省去了排陪条和卸陪条的过程，在镀膜的时候只需要将多组bar条堆叠在一起，通过垫块3将多组bar条分隔，并能够对bar条内部进行遮挡。
48.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。