阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

1.本技术属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，对显示面板的可靠度要求越来越高。显示面板中包括阵列基板，阵列基板中包括显示区和非显示区，非显示区内包括绑定区，绑定区用于实现驱动芯片与阵列基板中的驱动电路的连接。
3.为了简化制程，降低成本，显示面板需要删减一些光刻制程，从而达到成本预期，如阵列基板上的平坦化层，平坦化层用于平坦制备薄膜晶体管或者信号走线后，由于相关膜层图形化而造成的阵列基板表面起伏，当在阵列基板上涂布平坦化层后，若平坦化层之后制备的电性膜层需要与平坦化层之前制备的电性膜层进行电连接，那么平坦化层需要开口，则此开口可以跟着平坦化层之后制备的膜层在同一制程中实现，即开口同时贯穿平坦化层和此膜层之间的膜层。
4.在绑定区，驱动芯片上的引脚与绑定端子进行电连接，需要对绑定端子上的膜层进行开口，绑定端子上的部分膜层是采用一道光刻工艺进行开口，因此此工艺形成的开口存在侧壁较厚或完全暴露绑定端子的问题，从而严重影响驱动芯片与阵列基板中的驱动电路的绑定可靠度，影响了显示面板的性能。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可以提升绑定区的绑定可靠度。
6.本技术实施例第一方面的实施例提供了一种阵列基板，包括显示区和绑定区，所述阵列基板包括：
7.衬底；
8.第一金属层，形成于所述衬底上，包括位于所述显示区的第一部分和位于所述绑定区的第二部分；
9.第一绝缘层，形成于所述第一金属层背离所述衬底的一侧，包括用于暴露所述第二部分的第一开口；
10.第一电极层，形成于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，包括第二开口，所述第二开口、所述第一开口在所述衬底上的正投影至少部分交叠；
11.第二绝缘层，位于所述显示区，且形成于所述第一电极层背离所述衬底的一侧
12.本技术第二方面的实施例还提供了一种显示面板，包括本技术第一方面提供的任意一种阵列基板。
13.本技术提供的阵列基板中，包括衬底以及层叠设置于衬底上的第一金属层、第一绝缘层、第一电极层和第二绝缘层。第一金属层包括位于显示区的第一部分以及位于绑定区的第二部分，第二部分即为绑定端子，用以实现显示面板中的驱动芯片与阵列基板的电
路连接。位于第一金属层背离衬底一侧的第一绝缘层包括用于暴露第二部分的第一开口，以便于实现第二部分与驱动芯片的电连接。第一绝缘层背离衬底的一侧形成有图案化的第一电极层，第一电极层包括第二开口，第二开口、第一开口在衬底上的正投影至少部分交叠，形成用于暴露第二部分的总开口。在第一电极层背离衬底的一侧形成第二绝缘层后，可对第二绝缘层位于绑定区的部分去除，避免由于第二绝缘层位于绑定区而使得总开口的侧壁厚度增加，此时，第一电极层位于绑定区的部分可作为刻蚀阻挡层，使得第一开口的形成与第二绝缘层位于绑定区的部分的去除可采用一次工艺，节省了制备工艺，同时由于刻蚀阻挡层(第一电极层)的存在，可防止在去除第二绝缘层时损伤第一绝缘层中作为第一开口侧壁的部分。本技术提供的阵列基板中，用于暴露第二部分的总开口的侧壁厚度较薄，从而使得显示面板中的驱动芯片与阵列基板的电路通过导电胶连接时，可更好的挤压导电胶，使得驱动芯片与阵列基板的电路连接更为稳定，可靠度得以提高。
附图说明
14.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
15.图1是本技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
16.图2是图1中沿p-p’的剖视图；
17.图3是图1中沿q-q’的剖视图；
18.图4是图1中沿p-p’的另一种剖视图；
19.图5是图1中沿q-q’的另一种剖视图；
20.图6是图1中沿q-q’的另一种剖视图；
21.图7是图1中沿q-q’的另一种剖视图；
22.图8是图1中沿q-q’的另一种剖视图；
23.图9是图1中沿q-q’的另一种剖视图；
24.图10是本技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
25.图11至图18是本技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法中的膜层结构变化示意图；
26.图19是本技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
27.图20是图19中沿n-n’的剖视图。
28.附图中：
29.1-阵列基板；aa-显示区；bb-绑定区；10-衬底；11-第一金属层；110-第一部分；111-第二部分；112-源漏极；12-第一绝缘层；121-第一开口；13-第一电极层；131-第二开口；14-第二绝缘层；15-第二电极层；151-电极作用部；152-保护作用部；153-隔断间隙；16-第二金属层；161-栅极；17-层间介质层；171-第一开孔；18-缓冲层；181-第二开孔；19-半导体层；20-栅极绝缘层；2-显示面板；21-驱动芯片；211-引脚；3-导电胶。
具体实施方式
30.下面将详细描述本技术的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本技术的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本技术的示例来提供对本技术的更好的理解。
31.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
32.发明人经研究发现，驱动芯片与阵列基板中的驱动电路存在连接不良的原因在于：驱动芯片与阵列基板中的驱动电路通过绑定区的绑定端子连接，具体地，绑定端子与驱动电路连接，同时驱动芯片的引脚通过导电胶与绑定端子连接，导电胶中包括黏着剂和导电粒子，导电粒子分布于黏着剂中，引脚与绑定端子之间通过挤压导电粒子从而实现电连接。
33.为了简化制程，降低成本，显示面板需要删减一些光刻制程，从而达到成本预期，如阵列基板上的平坦化层，平坦化层用于平坦制备薄膜晶体管或者信号走线后，由于相关膜层图形化而造成的阵列基板表面起伏，当在阵列基板上涂布平坦化层后，若平坦化层之后制备的电性膜层需要与平坦化层之前制备的电性膜层进行电连接，那么平坦化层需要开口，则此开口可以跟着平坦化层之后制备的膜层在同一制程中实现，即开口同时贯穿平坦化层和此膜层之间的膜层。
34.在绑定区，驱动芯片上的引脚与绑定端子进行电连接，需要对绑定端子上的膜层进行开口，若绑定端子之上先涂布或者沉积第一绝缘层，后涂布或者沉积第二绝缘层，现有技术中利用同一道光刻制程形成第一绝缘层和第二绝缘层与绑定端子相对的开口的方式有以下两种：第一种方式为在对第二绝缘层图案化时同步对第一绝缘层进行图案化以形成较小开口，这样开口同时贯穿多个膜层会导致绑定端子位置上方的开口的侧壁厚度较厚，即开口的深度较深，且开口的孔径较小，使得位于开口内的导电粒子压合效果较差，从而造成引脚与绑定端子之间无法实现可靠的电连接，影响绑定质量；第二种方式为同步去除位于绑定区的第一绝缘层和第二绝缘层，以使得第一绝缘层、第二绝缘层在绑定区形成暴露绑定端子的开口，但是这种方式会使得位于第二金属层的绑定端子的边缘缺乏第一绝缘层的保护而造成边缘裸露，使其被腐蚀的风险增加，影响绑定质量；上述两种方式形成的阵列基板均会造成绑定可靠度较差的问题。基于对上述问题的研究，发明人提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以提升阵列基板的绑定可靠度。
35.为了更好地理解本技术，下面结合图1至图20根据本技术实施例的阵列基板及其制备方法、显示面板进行详细描述。
36.请参阅图1至图3，图1为本技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图2为图1中沿p-p’的剖视图，图3为图1中沿q-q’的剖视图。本技术实施例提供了一种阵列基板1，
该阵列基板1包括显示区aa和绑定区bb，阵列基板1包括衬底10、第一金属层11、第一绝缘层12、第一电极层13和第二绝缘层14。第一金属层11形成于衬底10上，包括位于显示区aa的第一部分110和位于绑定区bb的第二部分111。第一绝缘层12形成于第一金属层11背离衬底10的一侧，包括用于暴露第二部分111的第一开口121。第一电极层13形成于第一绝缘层12背离衬底10的一侧，包括第二开口131，第二开口131、第一开口121在衬底10上的正投影至少部分交叠。第二绝缘层14位于显示区aa，且形成于第一电极层13背离衬底10的一侧。
37.本技术提供的阵列基板1中，包括衬底10以及层叠设置于衬底10上的第一金属层11、第一绝缘层12、第一电极层13和第二绝缘层14。第一金属层11包括位于显示区aa的第一部分110以及位于绑定区bb的第二部分111，第二部分111即为绑定端子，用以实现显示面板2中的驱动芯片21与阵列基板1的电路连接。位于第一金属层11背离衬底10一侧的第一绝缘层12包括用于暴露第二部分111的第一开口121，以便于实现第二部分111与驱动芯片21的电连接。第一绝缘层12背离衬底10的一侧形成有图案化的第一电极层13，第一电极层13包括第二开口131，第二开口131、第一开口121在衬底10上的正投影至少部分交叠，形成用于暴露第二部分111的总开口。在第一电极层13背离衬底10的一侧形成第二绝缘层14后，可对第二绝缘层14位于绑定区bb的部分去除，避免由于第二绝缘层14位于绑定区bb而使得总开口的侧壁厚度增加，此时，第一电极层13位于绑定区bb的部分可作为刻蚀阻挡层，使得第一开口121的形成与第二绝缘层14位于绑定区bb的部分的去除可采用一次工艺，节省了制备工艺，同时由于刻蚀阻挡层(第一电极层13)的存在，可防止在去除第二绝缘层14时损伤第一绝缘层12中作为第一开口121侧壁的部分。本技术提供的阵列基板1中，通过在绑定区形成具有第二开口131的第一电极层13，在不增加制备工艺的前提下可实现第一绝缘层12和第二绝缘层14的同步图案化，使得第二部分111背离衬底10一侧具有第一绝缘层12，第一绝缘层12具有用于暴露第二部分111的第一开口121，同时绑定区bb不具有第二绝缘层14，以使得用于暴露第二部分111的总开口的侧壁厚度较薄，从而使得显示面板2中的驱动芯片21与阵列基板1的电路通过导电胶3连接时，可更好的挤压导电胶3，使得驱动芯片21与阵列基板1的电路连接更为稳定，可靠度得以提高。
38.如图2和图3所示，在阵列基板1中，显示区aa包括驱动电路，绑定区bb用于绑定驱动芯片，第一金属层11包括位于绑定区bb的第二部分111，第二部分111作为用于与驱动芯片的绑定端子，第二部分111的一端与驱动芯片的引脚连接，另一端与驱动电路内的器件或信号走线电连接，位于第二部分111上的膜层(第一绝缘层12和第一电极层13)在与第二部分111相对的位置处形成用于暴露第二部分111的总开口(包括第一开口121和第二开口131)，以便于在开口内设置导电胶3，从而实现驱动芯片21的引脚211与第二部分111的电连接。
39.导电胶3包括黏着剂和导电粒子，常用的导电胶3内的导电粒子直径为5um，导电粒子变形量＞30％即可保证上下导通，总开口的侧壁厚度越小，位于总开口内的导电粒子变形量会越大，绑定效果越好，可靠度越高。本技术提供的阵列基板1中，降低了用于暴露第二部分111的总开口的侧壁的厚度，使得驱动芯片21的引脚211与第二部分111绑定后，导电胶3内的导电粒子的压合效果更好，即使得导电粒子的破裂情况良好、阻抗在规格内，从而使其导电性能良好，从而可提升驱动芯片21的引脚211与第二部分111的绑定效果，提升阵列基板1的可靠度。
40.在一种可行的实施方式中，第一绝缘层12的材质为有机材料，采用有机材料形成的第一绝缘层12的平坦性较好，从而便于后续膜层的形成。或者，第一绝缘层12的材质为无机材料，具体可以为氮化硅、氧化硅或二者的组合等，本技术不做特别限定。第一绝缘层12可以为一层或者包括层叠设置的多层等，当包括多层时，可以包括多层有机层和/或无机层，本技术不做特别限定。
41.在一种可行的实施方式中，如图2和图3所示，第一绝缘层12、第一电极层13在衬底10上的正投影均覆盖第二部分111在衬底10上的正投影的边缘。
42.在上述实施方式中，第一电极层13包括与第二部分111相对的第二开口131，从而可在去除绑定区bb内第二绝缘层14的同时在第一绝缘层12形成第一开口121，即可以实现第一绝缘层12和第二绝缘层14的同步图案化。第一电极层13在衬底10上的正投影覆盖第二部分111在衬底10上的正投影的边缘，从而使得第一绝缘层12、第二绝缘层14同步图案化时，保留位于第一电极层13所覆盖的部分第一绝缘层12，使得第一绝缘层12在衬底10上的正投影也覆盖第二部分111在衬底10上的正投影的边缘。
43.在上述实施方式中，第一绝缘层12和第二绝缘层14的同步图案化后，在绑定区bb保留了第一绝缘层12、去除了第二绝缘层14，较绑定区bb同时具备第一绝缘层12和第二绝缘层14的方案相比，减薄了用于暴露第二部分111的开口的侧壁的厚度，有助于提升对导电胶3的压缩效果，从而提升绑定效果。同时，保留了第一绝缘层12对第二部分111的边缘的覆盖，较将绑定区bb内的第一绝缘层12和第二绝缘层14均去除的方案相比，可增强对第二部分111的防护，若绑定区bb内的第一绝缘层12和第二绝缘层14均去除，则第二部分111与衬底接触的边沿部分容易与水氧接触，保留第一绝缘层12后可通过第一绝缘层12对第二部分111的边缘进行覆盖，且由于第一绝缘层13位于相邻第二部分111之间的区域连续设置，从而水氧无法入侵，即可避免第二部分111边缘裸露而与水氧等反应后影响其可靠性，提升了其防护能力，具体包括提升了其经高温测试、高湿测试、盐雾测试等的良率。
44.在一种可行的实施方式中，第一电极层13的材质可以为氧化铟锡，在采用干刻气体对第一绝缘层12和第二绝缘层14进行干刻的过程中，刻蚀气体不与氧化铟锡反应，从而使得第一电极层13可作为刻蚀阻挡层，以保护其下方的第一绝缘层12。
45.具体地，刻蚀气体可以为等离子体，例如六氟化硫或氧气。
46.在一种可行的实施方式中，如图4和图5所示，图4为图1中沿p-p’的另一种剖视图、图5为图1中沿q-q’的另一种剖视图。本技术提供的阵列基板1还包括图案化的第二电极层15，第二电极层15包括电极作用部151和保护作用部152，电极作用部151位于第二绝缘层14背离衬底10一侧，保护作用部152位于绑定区bb，且沿阵列基板1的厚度方向，保护作用部152的投影覆盖第一开口121的投影，相邻保护作用部152之间相互绝缘。
47.在上述实施方式中，第二电极层15包括位于显示区aa的电极作用部151以及位于绑定区bb的保护作用部152。其中，电极作用部151以及第一电极层13位于显示区aa的部分中的一者为像素电极、另一者为公共电极。保护作用部152与第二部分111接触，保护作用部152在衬底10上的投影覆盖第一开口121在衬底10上的投影，从而可对第二部分111进行保护，避免第二部分111裸露，从而减少了第二部分111与水氧的接触，以提升其可靠性，具体包括提升了其经高温测试、高湿测试、盐雾测试等的良率。
48.具体地，第二电极层15的材质可以为氧化铟锡，具有良好的导电性能，且不易与水
氧反应。
49.在上述实施方式中，相邻保护作用部152之间相互绝缘，从而使得不同的第二部分111之间相互绝缘，防止出现短路问题。
50.在一种可行的实施方式中，如图5所示，相邻保护作用部152之间通过隔断间隙153绝缘，隔断间隙153贯穿保护作用部152以及第一电极层13，且隔断间隙153在衬底10上的正投影位于第一绝缘层12在衬底10上的正投影内。
51.在上述实施方式中，相邻的保护作用部152之间通过隔断间隙153绝缘，隔断间隙153位于相邻第二部分111之间，相邻第二部分111之间包括第一绝缘层12，第一绝缘层12背离衬底10的一侧依次形成有第一电极层13和第二电极层15，隔断间隙153的目的为隔断第二电极层15，因此隔断间隙153需要沿第二电极层15的厚度方向贯穿第二电极层15，由于第一电极层13具有导电性，因此隔断间隙153需要同步贯穿第一电极层13。隔断间隙153在衬底10上的正投影位于第一绝缘层12在衬底10上的正投影内，从而使得第二电极层15覆盖第一绝缘层12的边缘，以进一步防止水氧入侵到第二部分111。
52.在一种可行的实施方式中，第一金属层11可以为阵列基板1中用于形成栅极161以及电容的下极板的膜层；或者，第一金属层11可以为阵列基板1中用于形成源漏极112的膜层。
53.在一种可行的实施方式中，如图4和图5所示，阵列基板1还包括位于第一金属层11与衬底10之间且沿远离衬底10方向层叠设置的第二金属层16和层间介质层17，在绑定区bb内，第一金属层11、第二金属层16在衬底10上的正投影至少部分交叠。
54.在上述实施方式中，第二金属层16可以为阵列基板1中用于形成栅极161和电容的下极板的膜层，第一金属层11可以为阵列基板1中用于形成源漏极112的膜层。
55.在上述实施方式中，层间介质层17用于将第一金属层11中的部分结构与第二金属层16中的部分结构绝缘。
56.在上述实施方式中，在绑定区bb内，第一金属层11和第二金属层16在衬底10上的正投影至少部分交叠，一方面可以减小第二部分111的电阻，从而提升第二部分111的电学特性；另一方面，将绑定区bb内的第二金属层16与第二部分111层叠设置，从而可以垫高第二部分111，使得总开口的侧壁的厚度(即第二部分111背离衬底10一侧表面与第一电极层13背离衬底10一侧表面之间的最小距离d)更薄，从而提升绑定效果。
57.在一种可行的实施方式中，如图6和图7所示，图6为图1中沿q-q’的另一种剖视图，图7为图1中沿q-q’的另一种剖视图。层间介质层17包括第一开孔171，第一开孔171在衬底10上的正投影位于相邻第一开口121在衬底10上的正投影之间。
58.在上述实施方式中，层间介质层17包括第一开孔171，在形成的第一绝缘层12的厚度不变的情况下，在层间介质层17中设置第一开孔171可减小第一绝缘层12背离衬底10的一侧表面与第二部分111背离衬底10一侧表面之间的距离，从而减小总开口的侧壁的厚度(即第二部分111背离衬底10一侧表面与第一电极层13背离衬底10一侧表面之间的最小距离)，以进一步提升绑定效果。
59.在一种可行的实施方式中，如图6所示，第一开孔171为由层间介质层17背离衬底10的一侧表面向衬底10一侧凹陷的凹槽，或者，如图7所示，第一开孔171为贯穿层间介质层17的通孔。
60.在上述实施方式中，通过在层间介质层17位于相邻第一开口121之间的部分形成凹槽或者通孔，以使得第一绝缘层12在位于相邻第一开口121之间的部分下移，从而减小总开口的侧壁的厚度。
61.在一种可行的实施方式中，阵列基板1还包括位于衬底10上的缓冲层18，如图7所示，缓冲层18可整层设置，缓冲层18在衬底10上的正投影覆盖衬底10。或者，如图8所示，图8为图1中沿q-q’的另一种剖视图，缓冲层18包括第二开孔181，第二开孔181在衬底10上的正投影位于相邻第一开口121在衬底10上的正投影之间。
62.在上述实施方式中，缓冲层18中位于相邻第一开口121之间的部分形成有第二开孔181，第二开孔181可以为由缓冲层18背离衬底10一侧表面向靠近衬底10一侧凹陷形成的凹槽(图中未示出)，或者，如图8所示，第二开孔181为沿阵列基板1厚度方向贯穿缓冲层18的通孔，本技术不做特别限定。
63.通过在缓冲层18上形成上述第二开孔181，可进一步使得第一绝缘层12以及位于第一绝缘层12背离衬底10一侧的各膜层中位于相邻第一开口121之间的部分下移，从而减小总开口的侧壁的厚度。
64.当缓冲层18具有第二开孔181时，层间介质层17可同时具有第一开孔171，第一开孔171可为凹槽，如图8所示。或者，如图9所示，图9为图1中沿q-q’的另一种剖视图，第一开孔171可为通孔。
65.本技术还提供了一种阵列基板的制备方法，如图10所示，图10是本技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图。并同步参考图11至图18，图11至图18是本技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法中的膜层结构变化示意图。其中，图11、图13、图15、图17为制备过程中沿图1中p-p’方向的剖视图；图12、图14、图15、图16为制备过程中沿图1中q-q’方向的剖视图。
66.本技术提供的阵列基板的制备方法包括：
67.s100，在衬底10上形成图案化的第一金属层11，第一金属层11包括位于显示区aa的第一部分110和位于绑定区bb的第二部分111，如图11和图12所示。
68.s200，在第一金属层11背离衬底10的一侧形成第一绝缘层12，如图13和图14所示。
69.其中，第一绝缘层12的材质可以为有机材料或无机材料，当为有机材料时，可以通过涂布的方式形成第一绝缘层12，当为无机材料时，可以通过化学气相沉积(cvd)工艺形成第一绝缘层12。
70.s300，在第一绝缘层12背离衬底10的一侧形成图案化的第一电极层13，第一电极层13包括与第二部分111相对的第二开口131，如图15和图16所示。
71.s400，在第一电极层13背离第一绝缘层12的一侧形成第二绝缘层14，如图17和图18所示。
72.其中，第二绝缘层14的材质可以为无机材料，可以通过化学气相沉积(cvd)工艺形成。第二绝缘层14的作用主要是为了实现位于显示区aa中的部分第一电极层13和第二电极层15的绝缘。
73.s500，去除第二绝缘层14中位于绑定区bb的部分，并同步去除第一绝缘层12中与第二开口131相对的部分，以形成第一开口121，请再次参考图2和图3。
74.步骤s500中，第一绝缘层12与第二绝缘层14可采用同一道工艺进行图案化，具体
地，可通过刻蚀实现第一绝缘层12与第二绝缘层14的图案化，在刻蚀过程中，第一电极层13可作为刻蚀阻挡层，由于第一电极层13包括与第二部分111相对的第二开口131，因此在刻蚀去除第二绝缘层14时，刻蚀气体可通过第二开口131与第一绝缘层12接触，并去除第一绝缘层12中与第二开口131相对的部分，以形成与第二开口131相对的第一开口121，第一开口121、第二开口131在衬底10上的正投影相交叠。
75.同时，由于第一电极层13的遮挡作用，可使得第一绝缘层12中位于第一电极层13下的部分得以保留，可通过是的第一电极层13在衬底10上的正投影覆盖第二部分111在衬底10上的正投影的边缘，使得第一绝缘层12图案化之后，第一电极层13也覆盖第二部分111的边缘，以对第二部分111的边缘进行保护，防止水氧侵蚀。
76.本技术提供的一种阵列基板1中，包括衬底10以及沿远离衬底10方向层叠设置的缓冲层18、半导体层19、栅极绝缘层20、第二金属层16、层间介质层17、第一金属层11、第一绝缘层12、第一电极层13、第二绝缘层14和第二电极层15，其中，可采用7mask工艺制备上述阵列基板1，即在形成半导体层19、第二金属层16、层间介质层17、第一金属层11、第一电极层13、第二绝缘层14和第二电极层15时分别采用一道光刻工艺，以实现上述各个膜层的图案化。栅极161绝缘层与第二金属层16采用同一张mask，以在进行第二金属层16的图案化时同步实现栅极绝缘层20的图案化。第一绝缘层12与第二绝缘层14采用同一张mask，以在进行第二绝缘层14的图案化时实现第一绝缘层12的图案化。由于在制备过程中，第一电极层13包括位于绑定区bb且位于第一绝缘层12和第二绝缘层14之间的部分，从而使得第一电极层13可作为刻蚀阻挡层，即在对第二绝缘层14进行图案化工艺时，可去除第二绝缘层14中位于绑定区bb的部分，同时去除第一绝缘层12中未被第一电极层13遮挡的部分、即与第一电极层13中的第二开口131相对的部分，以使得第一绝缘层12与第二绝缘层14采用一道光刻工艺，去除了第二绝缘层14中位于绑定区bb的部分同时在第一绝缘层12形成了第一开口121，第一开口121、第二开口131在衬底10上的正投影至少部分交叠。
77.其中，第二金属层16可用来形成电容的下极板、栅极161等，第一金属层11可用于形成电容的上极板、源漏极112等，以在阵列基板1中形成电容、晶体管等器件。第一金属层11还可以形成信号走线，第二金属层16也可形成信号走线，本技术不做特别限定。信号走线以及电容、晶体管等器件构成阵列基板1中的驱动电路。
78.在一种可行的实施方式中，请再次参考图4和图5，还包括在位于显示区aa的第二绝缘层14背离衬底10的一侧、以及绑定区bb中第一金属层11和第一电极层13背离衬底10的一侧形成第二电极层15，在绑定区bb内第二电极层15位于相邻第一开口121之间的部分形成贯穿第二电极层15以及第一电极层13的隔断间隙153。
79.在上述实施方式中，第二电极层15包括位于显示区aa的部分和位于绑定区bb的部分，第二电极层15中位于显示区aa的部分为起到电极作用的电极作用部151，第二电极层15中位于绑定区bb的部分为保护作用部152，用于保护第二部分111，以使第二部分111免受水氧的侵蚀。
80.不同第二部分111连接不同的驱动芯片21的引脚211，不同第二部分111应相互绝缘，若形成连续的第二电极层15会导致不同第二部分111之间的短路，因此需要对第二电极层15图案化，在第二电极层15中与相邻第二部分111之间的区域相对的部分形成隔断间隙153，隔断间隙153为贯穿第二电极层15的通孔，同时由于位于绑定区bb的第一电极层13和
第二电极层15相接触，因此需使得隔断间隙153同步贯穿第一电极层13，从而防止不同第二部分111之间短路。
81.本技术还提供了一种显示面板2，如图19和图20所示，图19为本技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图，图20为图19中沿n-n’的剖视图。显示面板2包括本技术上述技术方案中提供的任意一种阵列基板1。
82.该显示面板2中包括驱动芯片21，驱动芯片21设置于绑定区bb，当显示面板2的柔性显示面板2时，绑定区bb可弯折至背离显示面板2出光面的一侧，驱动芯片21的引脚211与阵列基板1中的第二部分111相连接，以实现驱动芯片21与阵列基板1中驱动电路的连接。由于阵列基板1中用于暴露第二部分111的总开口的侧壁厚度较薄，从而使得显示面板2中的驱动芯片21与阵列基板1的电路通过导电胶3连接时，可更好的挤压导电胶3，使得驱动芯片21与阵列基板1的电路连接更为稳定，可靠度得以提高。同时，可提升绑定端子即第二部分111的可靠性，减少水氧对绑定端子的影响，从而提升了绑定可靠性。
83.依照本技术如上文的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本技术以及在本技术基础上的修改使用。本技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。