一种互连单元、芯片结构、倒装芯片及其对准方法与流程

1.本技术属于量子芯片制备领域，具体涉及一种互连单元、芯片结构、倒装芯片及其对准方法。


背景技术：

2.在目前的倒装焊量子芯片中，需要将上层芯片和下层芯片压合，并牢固地结合在一起。同时，由于上下层芯片中通常还含有多个元件，且这些上下层的元件（例如总线、控制线等）需要通过诸如铟柱连通在一起。因此，铟柱的偏移会直接影响到芯片的性能。为了对铟柱的质量进行考察，通常是测量其电学性能，例如通断性。但是这样的方案无法有效地判断铟柱的偏移情况，且电学性能的测量需要在倒装芯片中额外地配置测量结构，并因此会增加方案的实施难度。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术公开了一种互连单元、芯片结构以及倒装芯片，其能够被用于更方便地对倒装芯片中的对位情况进行识别，以便更直观地判断芯片的倒装互连质量。
4.本技术示例的方案，通过如下内容实施。
5.在第一方面，本技术的示例提出了一种用于通过压接使第一芯片与第二芯片倒装互连的互连单元。
6.该互连单元包括：垫层，被配置为在第一芯片或第二芯片的表面；以及互联层，结合于垫层，互联层沿与垫层共轴的方向延伸，且轴垂直于表面；在压接终点，垫层具有在平行于表面的方向扩展的第一变形尺寸，互联层具有在平行于表面的方向扩展的第二变形尺寸；第一变形尺寸小于或等于第二变形尺寸。
7.互连单元具有层状堆叠的垫层和互联层。其被用于倒装芯片时，以垫层结合到芯片的表面；而倒装互连的两个芯片则以互联层彼此接触连接。
8.在沿着垫层和互联层的轴向进行压接而实施倒装互连时，垫层和互联层会在压力作用下发生从自身表面向外的扩展。当两个芯片上下对准（例如，上下两个互连单元的轴线为共线），那么进行压接时前述的扩展将会是均匀性，而如果未对准则扩展是不均匀性。因此，根据识别到的扩展的方式，可以实现对倒装芯片中的上下层芯片是否对准进行识别和确认。
9.简言之，本技术的示例提出了一种可以在倒装芯片中应用，而不额外地配置测试结构，并且还能够方便地被用于以对倒装芯片中的上下层是否对准进行确定的互连单元。
10.根据本技术的一些示例，沿轴线方向，垫层和互联层具有于表面的相同的投影轮廓。
11.根据本技术的一些示例，在压接的条件下，垫层的硬度大于互联层的硬度。
12.根据本技术的一些示例，垫层和互联层是相同直径的圆柱，垫层是氮化钛柱，互联层是铟柱。
13.在第二方面，本技术的示例提出了一种用于倒装芯片的芯片结构。
14.芯片结构包括：透明衬底，具有沿厚度方向对置分布的第一表面和第二表面；接地平面，形成于第一表面和/或第二表面，接地平面具有通孔；衬垫，形成于第一表面和/或第二表面，沿厚度方向于透明衬底的投影位于通孔之内；以及互连件，沿厚度方向由第一端延伸至第二端形成，第一端结合于衬垫；在两个芯片结构以互连件对置的热压条件下，衬垫发生形变且沿厚度方向产生位于第一表面的第一轮廓，互连件发生形变且沿厚度方向产生位于第一表面的第二轮廓；第一轮廓位于第二轮廓之内或重合，第一轮廓和第二轮廓均位于通孔所限定的区域之内。
15.根据本技术的一些示例，衬垫的硬度大于互连件的硬度。
16.根据本技术的一些示例，衬垫和互连件分别是圆柱体。
17.根据本技术的一些示例，衬垫是氮化钛柱，互连件是铟柱。
18.在第三方面，本技术的示例提出了一种倒装芯片。该倒装芯片包括两个前述之芯片结构，且芯片结构的互连件共轴对接。
19.在第四方面，本技术的示例提出了一种倒装芯片，包括：第一芯片，具有透明的第一衬底，以及形成于第一衬底表面的第一接地平面；第二芯片，具有透明的第二衬底，以及形成于第二衬底表面的第二接地平面；以及两个前述的互连单元；其中一个互连单元的垫层结合于第一衬底，另一个互连单元的垫层结合于第二衬底，第一接地平面具有第一通孔且与对应的垫层之间具有间隙，第二接地平面具有第二通孔且与对应的垫层之间具有间隙；两个互连单元的互连件共轴对接。
20.根据本技术的一些示例，倒装芯片包括第一元件和第二元件，其中第一元件由第一接地平面的部分构成，第二元件由第二接地平面的部分构成；第一元件与对应的垫层接触，第二元件与对应的垫层接触。
21.根据本技术的一些示例，第一元件和第二元件为读取总线、或控制信号传输线。
22.根据本技术的一些示例，第一元件和第二元件为微波控制线或通量偏置线。
23.在第五方面，本技术的示例提出了一种芯片对准的确认方法，其应用于倒转芯片中的上层芯片和下层芯片的倒转互连。
24.确认方法包括：提供倒装芯片，具有上层芯片和下层芯片，上层芯片和下层芯片各自配置前述的互连单元，上层芯片和下层芯片利用互连单元中的互联层通过热压对接而实现倒装互连，上层芯片和下层芯片中的一者或两者具有透明衬底；透过任意透明衬底观察互连单元，根据倒装芯片中的互连单元于透明衬底的投影形成的热压终点轮廓确认芯片是否对准。
25.根据本技术的一些示例，根据倒装芯片中的互连单元于透明衬底的投影形成的热压终点轮廓确认芯片是否对准包括：当热压终点轮廓位于预设轮廓之内或彼此重合时，芯片对准。
26.根据本技术的一些示例，在未经热压的上层芯片和下层芯片中，从透明衬底观察确定互连单元于透明衬底的投影的初始轮廓；根据倒装芯片中的互连单元于透明衬底的投影形成的热压终点轮廓确认芯片是否对准包括：确定终点轮廓与初始轮廓的偏移量，当偏移量满足预设条件则确定芯片对准。
27.有益效果：与现有技术相比，本技术示例的互连单元包括垫层和互联层，并且二者共轴地设置。垫层和互联层具有这样的特性，二者被同时沿轴向施压时，垫层扩展后的轮廓与互联层扩展后的轮廓彼此可以重合，或者互联层的扩展后轮廓将垫层的扩展后的轮廓包围在内部。利用此特性，通过观察倒装互连时轮廓的特点即可将芯片是否对准的情况予以识别。
附图说明
28.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，以下将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
29.图1示出了一种典型的倒装焊芯片的倒装互连示意图；图2示出了图1所示倒装芯在倒装互连过程中未对准的两种示例的结构示意图；图3为本技术实施例提供的互连单元的结构示意图；图4示出了图3的互连单元在轴向压缩时发生均匀扩展的两种示例的结构示意图；图5示出了图3的互连单元在轴向压缩时分别于对准和未对准状态下的扩展的结构示意图；图6为本技术示例中的芯片结构的结构示意图；图7示出了两个图6所示的芯片结构在对准状态下的倒装互连的结构示意图；图8公开了两个图6所示的芯片结构实施倒装互连时于对准和多种未对准状态下在轴向的俯视结构示意图；图9公开了两个图6所示的芯片结构在对准和未对准状态下经过倒装互连所形成的倒转芯片的结构示意图。
30.图标：100-上层芯片；200-下层芯片；300-互连结构；101-第一衬底；102-第二衬底；103-铟柱；104-氮化钛；400-互连单元；401-互联层；402-垫层；500-芯片结构；501-透明衬底；502-接地平面；503-通孔；504-衬垫；505-互联件。
具体实施方式
31.一种应用倒装焊技术的超导量子芯片具有如图1所示的典型压接方案。
32.超导量子芯片中包括上层芯片100和下层芯片200，且二者相对地配置。上层芯片100包括第一衬底101以及在第一衬底101的表面的互连结构300；同时，下层芯片200包括第二衬底102以及在第二衬底102的表面的互连结构300。
33.其中的互连结构300包括氮化钛104和铟柱103。换言之，氮化钛104位于衬底的表
面和铟柱103之间。并且，氮化钛104和铟柱103具有平行于衬底的表面的尺寸；在图1中，氮化钛104例如比铟柱103更宽。
34.在通过压接进行倒装互连时，上层芯片100和下层芯片200相对地靠近，如图1中的相对的箭头表示，并且在持续地压接的过程中，二者彼此接近直至铟柱103远离衬底的末端相互接触和结合为一体。在压接过程中，氮化钛104和铟柱103都会向外扩展/扩散，即由细长被挤压而转变为粗短。
35.在图1所示的结构中，互连结构300的准确对位通常是与芯片的品质强烈关联的。例如，当互连结构300未对准时，则上下层芯片中的各种元件或线路可能会无法理想地发生预期的彼此信号关联和彼此影响；例如无法信号耦合。
36.或者，当两个线路或元件，由上下层芯片中的互连结构300进行连接，当互连结构300未对准时，可能导致这两部分的线路或元件不能形成串联连通的信号链路。作为示例，上下两互连结构300未对准状态下在压接终点的结构例如图2所示。
37.因此，为了确认铟柱103是否对准，目前需要进行测试，并且基于此配置测试结构。例如，在上层芯片100中设置第一线路，其与上层芯片100中的氮化钛104电接触；同时，在下层芯片200中设置第二线路，其与下层芯片200中的氮化钛电接触。
38.进一步地，在第一线路和第二线路配置焊盘，因此，第一线路、上层芯片100中的互连结构300、下层芯片200中的互连结构300以及第二线路共同构成串接线路。
39.如此通过焊盘等对该串接线路进行电学测试，例如两端法测量是否导通以及四端法测量互连结构300的电阻，从而可以对互连结构300的对位情况进行判断。例如，当测量线路未导通，则可以推断可能出现了如图2中的b图所表示的情况；当测量的电阻与互连结构300对准时（如图1所示）的电阻出现明显的差异时或者差异超出区域范围时，则可以考虑互连结构300可能出现了如图2中的a图所表示的情况。
40.由上述描述可知，为了掌握互连结构300的对位情况，在前述的示例中选择了配置测试结构（图1和图2中未进行绘示）—例如焊盘以及线路。因此，在这样的方案中，为了获悉互连结构300的对位情况，需要额外地配置测试结构。可以知晓配置测试结构会增加工作量，且测试结构的制作质量也需要进行预先确认，避免因测试结构的质量问题导致测试结构后续无效。换言之，通过配置测试结构进行测试来确定互连结构300的对准情况，会增加设置额外部件的工作等。
41.因此，如果能够在不额外配置诸如测试结构等对互连结构300实现测试将会是有益的尝试。基于这样的需求，在本技术示例中，发明人选择对倒装芯片的自身结构进行调整，以便能够实现不增设测试结构的基础上对芯片的对位情况进行判断和识别。示例性地，选择对芯片实施观察，从而识别芯片中的互连结构是否对准。其中涉及对衬底的选择、在衬底的表面的元器件的配置选择，以及互连结构的调整。下文将就此进行详细讨论。
42.基于上述讨论，本技术的示例中，发明人提出了一种互连单元400，其被用于通过压接使第一芯片和第二芯片倒装互连。如图3所示，互连单元400包括垫层402和互联层401。图3中，垫层402和互联层401为直径相同的圆柱体结构，因此，二者沿着彼此的轴线在垂直于轴线的平面的投影的轮廓为圆形，且两者的投影轮廓重合；即沿轴线的俯视角度，其形状为圆形。
43.图3中，从形状而言，垫层402和互联层401是圆柱体，且沿轴线方向，垫层402和互
联层401具有于表面的相同的投影轮廓，但是这并不非限制性的。
44.在其他示例中，垫层402和互联层401可以被配置为各种适当的形状例如长方体，或者垫层402是圆柱体而互联层401是球状等，且无特别的限定。
45.另外，沿轴线方向，垫层402的高度小于互联层401的高度。作为应用倒装焊技术的超导量子芯片而言，其中的垫层402一般可以使用氮化钛，而互联层401则一般可以选择使用铟。
46.在倒装芯片的应用中，垫层402在第一芯片的表面，或者在第二芯片的表面配置（例如通过掩膜以沉积的方式成膜）；两个芯片的表面也可以均设置垫层402。互联层401和垫层402可以沿着共同的轴线延伸，并且该轴垂直于芯片的表面。
47.可以知晓，在压接过程中，垫层402和互联层401被沿着轴线方向挤压而受到压缩并变短，同时直径增大。特别地，该互连单元400具有这样的特征：于压接过程中，在压接终点，垫层402经扩展后的轮廓可以是与互联层401经扩展后的轮廓相同，或者垫层402经扩展后的轮廓位于互联层401经扩展后的轮廓之内。
48.换言之，压接的过程中，垫层402具有在平行于平面（前述衬底的表面）的方向扩展的第一变形后尺寸；且同时，互联层401具有在平行于平面（前述衬底的表面）的方向扩展的第二变形后尺寸。于压接终点，垫层402的第一变形后尺寸小于或等于第二变形后尺寸；例如图4所示。
49.由于具有这样的特点，在互连单元400对准的倒装芯片制作过程中，互连单元400被沿着轴线方向压缩，那么从互连单元400的轴线方向观察，能够发现互连单元400的轮廓相比于未压缩前的轮廓是均匀性地向四周扩展的。
50.例如，压缩前垫层402和互联层401是同轴的圆柱体且轴向投影是圆形，则在对准压缩过程中的压缩终点，互连件均匀扩展后的轴向投影也是圆形，以图5中的对准压缩所示。
51.反之，在压缩前，垫层402和互联层401是同轴的圆柱体且轴向投影可以是两交叉的圆形（形成交集）。则在未对准条件下的压缩过程，当达到压缩终点时，垫层和互联层均发生非均匀的扩展。并且在扩展后的轴向投影可以形成两交叉的圆形（形成交集），以图5中的未对准压缩所示。
52.根据图5所示的示例能够知晓，在利用本技术示例的上述互连单元400进行芯片的倒装互连，如果对互连单元400实施沿着轴线方向的观察可以根据投影轮廓对互连单元是否对准进行判断。
53.即本技术示例提出了这样方案：通过（如基于形状、尺寸和材质）选择互连单元400中的垫层402和互联层401，从而使得互连单元400沿轴向被压缩时能够均匀地向四周扩散，且互联层401经扩散之后的轮廓大于或等于垫层402经扩散之后的轮廓。在上述方案的基础上，实施对互连单元400的轴向观察，即可根据观察到轮廓而判断是否对准。
54.也即是说，由于互连单元400是以其中的垫层402与衬底结合，那么在互连单元400满足压缩后其中的互联层401的扩展尺寸大于垫层402的扩展尺寸就可以满足上述对准判断的需求。
55.示例性地，选择垫层402（例如为氮化钛材质的圆柱体）的质地更硬，而互联层401（例如为铟质圆柱体）的质地更软。如此，在二者为相同形状和尺寸时，在互连单元400的轴
向压缩作用下，互联层401的扩展后尺寸可以比垫层402的扩展后尺寸更大。因此，当上下两互连单元400对准时，沿轴线观察获得图形轮廓是均匀的扩散；而当上下两互连单元400未对准时，沿轴线观察获得图形轮廓是非均匀的扩散。
56.作为上述互连单元400的应用示例，可以构建一种用于倒装芯片的芯片结构500。示例中，芯片结构500包括透明衬底501、接地平面502、衬垫504和互联件505（即互连件）；其中衬垫504和互联件505可以组合形成前述之互连单元400。
57.在芯片结构500中，透明衬底501可以是蓝宝石衬底或者其他透明材质且适合被选择为衬底的材料。并且在不同的芯片类型中衬底的材料可以是不同的，并无特别之限定。并且为了方便阐述以及对其他部件的定位，限定透明衬底501具有沿厚度方向对置分布的第一表面和第二表面。
58.接地平面502被设置到透明衬底501的第一表面、或者第二表面、或者第一表面和第二表面分别配置，并且，接地平面502具有通孔503；图6中接地平面502设置于透明衬底501的第二平面。衬垫504形成于透明衬底501的第二表面，且衬垫504沿着厚度方向位于通孔503之内（即通孔503的周缘与衬垫504的边缘之间具有间隙；且间隙允许在后续热压之后对互连件进行观察并可观察到其边缘）。沿厚度方向由第一端延伸至第二端形成的互联件505，以第一端结合于衬垫504。
59.在上述的芯片结构500中，当两个芯片结构500以互联件对置的热压条件下，衬垫504和互联件均能够发生形变。且衬垫504沿厚度方向产生位于第一表面的第一轮廓，而互联件沿厚度方向产生位于第一表面的第二轮廓。
60.并且进一步地，衬垫504的第一轮廓位于互联件的第二轮廓之内；或者，第一轮廓和第二轮廓重合，同时，第一轮廓和第二轮廓均位于通孔503所限定的区域之内，如图7所示。
61.在两个芯片结构500通过热压的方式倒装互联之后，根据两个芯片结构500的对位情况，从透明衬底501的表面对芯片结构500中的衬垫504和互联件505观察可以获得诸如图8所示的示例性的一种对准情况和四种未对准情况。
62.进一步地，从芯片结构500的侧面观察，当上下的芯片结构500对准时，则经过热压的倒装互连之后可以形成相对更细（宽度为d）的柱状结构；另一方面，当上下的芯片结构500未对准时，则经过热压的倒装互连之后可以形成相对更粗（宽度为d，且大于d）的柱状结构；请参阅图9。
63.此外，值得指出的是，在图2中给出了两种未对准情况下，互连结构300的错位/偏移情况示例。以图2中的a图的未对准为例。
64.本技术示例的图9中的未对准情况中，上下的衬垫504和互联件以上下对齐的方式进行展示。这是考虑到，在实际的芯片结构500中，衬垫504和互联件高度很小（例如10微米），且直径也很小（如20微米），那么在经过热压扩散之后，在扩散方向（图9中的水平方向）衬垫504和互联件扩散且近乎“融合”为一体，从而形成一个大致上下具有相同直径的一体似的柱体。简言之，图2中示出的未对准情况的示意结构是对偏移的放大表示。
65.进一步地，基于上述的芯片结构500，可以制作一种倒装芯片。例如，利用上述两个芯片结构500，通过上下互联件共轴对接的方式进行倒装互连。或者利用一个上述的芯片结构500，再结合另一个芯片（配置了倒装互连构件）；然后将两芯片进行倒装互连。
66.换言之，在基于本技术示例的互连单元400或者芯片结构500制作的倒装芯片中，上下两层的芯片的衬底可以同时都是透明的，或者其中的任意一者是透明的。并且，倒装芯片中的倒装互连结构采用上述的互连单元400，或由前述衬垫504和互联件505组合构成。
67.作为示例，一种倒装芯片包括第一芯片、第二芯片以及用于使第一芯片和第二芯片实现倒装互连的前述之两个共轴对接的互连单元400。其中，第一芯片具有透明的第一衬底101，和形成于第一衬底101表面的第一接地平面502；第二芯片具有透明的第二衬底102，和形成于第二衬底102表面的第二接地平面502。
68.两个互连单元400中的其中一个以垫层402结合于第一芯片的第一衬底101，并且其中的另一个互连单元400以垫层402结合于第二芯片的第二衬底102。进一步地，作为允许从倒装芯片的表面观察互连单元400的构造，第一接地平面502具有第一通孔503，并且与对应地结合于该第一接地平面502的垫层402之间具有间隙；同时，第二接地平面502具有第二通孔503，且与对应地结合于该第二接地平面502的垫层402之间具有间隙。
69.除了上述结构之外，另一些示例中，倒装芯片还可以配置各种实现芯片的工作所需要的各种元件。例如，部分示例中倒装芯片具有通过互连单元400进行异面配置，并且被应用于超导量子芯片的读取总线、控制信号传输线（例如微波控制线—xy控制线、通路偏置线—z控制线）。
70.读取总线和控制信号传输线可以采用共面波导，因此可以由前述之接地平面502制作而成。例如，在蓝宝石衬底的表面沉积形成铝膜，然后通过对铝膜进行被选择的区域的刻蚀处理。即上述之元件可以是由接地平面502的部分构成。
71.作为具体且可替代的示例，第一衬底101表面具有第一元件，互连单元400的垫层402附着于第一元件的表面（元件与垫层402接触）；同时，第二衬底102表面具有第二元件，互连单元400的垫层402附着于第二元件的表面（元件与垫层402接触）。
72.作为上述对准与否的识别方案的应用，发明人还提出了一种芯片对准的确认方法，其被应用于倒转芯片中的上层芯片100和下层芯片200的倒转互连。其既可以实现对已经完成倒装互连所形成的倒装芯片的对准情况的识别，以及相应地可以用于对倒装芯片的制作工艺的优化或改进、调整；也可以用于在制作倒装芯片的过程中，对上下层芯片进行对准调节。
73.示例性地，上述的确认方法包括：步骤s101、提供倒装芯片。
74.其中的倒装芯片是利用前述之互连单元400通过倒装互连如倒装焊结合在一起的上层芯片100和下层芯片200。且互连单元400以互联层401彼此对接并热压结合，而互连单元400的垫层402则形成到芯片的衬底的接地平面502；或者直接地形成于芯片的衬底表面。基于观察的需要，前述的上层芯片100和下层芯片200中的任意一者或任意两者的衬底被选择为透明的。
75.步骤s102、对倒装芯片进行观察。
76.选择任意一个透明的衬底或者两个透明的衬底，从倒装芯片的表面正对其厚度方向进行观察，对互连单元400的轮廓进行识别。基于芯片尺寸考虑，裸视通常是难以实现对互连单元400的有效识别，因此，一般地可以选择使用诸如扫描电子显微镜进行观察；如拍摄扫描电镜图，再对其进行测量。
77.观察获得互连单元400轮廓形状，从而可以对倒装芯片中的上下层是否对准进行识别。即识别倒装芯片中的互连单元400在芯片表面的投影的轮廓—即由互连单元400于透明衬底501的投影构成的轮廓（作为区分，可以名之为热压终点轮廓）—确认芯片是否对准。
78.其中确认是否对准的方式，可以将前文给出的对准的示例方案作为判断依据。
79.例如，当热压终点轮廓位于预设轮廓之内或彼此重合时，芯片对准。其中的预设轮廓可以是预先测量倒装芯片对准情况下的互连单元400经过热压的倒装互连之后，在倒装芯片表面的正投影的轮廓；或者，也可以是进一步将多次测量的前述轮廓进行统计、计算获得的一个作为基准的轮廓。
80.或者，确认是否对准的方式还可以是：首先，利用未经热压的倒装芯片中的上层芯片100和下层芯片200，从各芯片的透明衬底501观察，以确定互连单元400于透明衬底501的投影的初始轮廓。然后将该初始轮廓与前述的终点轮廓进行比较。例如，确定终点轮廓与初始轮廓的偏移量，当偏移量为零则确定芯片对准。
81.其中的偏移量例如可以是分别初始轮廓上的任意两点连线的长度最大值（记为s1），以及终点轮廓上的任意两点连线的长度最大值（记为s2），以s1和s2的差值作为偏移量。
82.进一步地，另一些示例，前述之差值还可选择以对准示例中的初始轮廓和终点轮廓之间的差值作为基准，当实际观察时出现任意倒装芯片中的前述差值偏离前述之基准或者以超出可接受的容差范围则可以认为是未对准。
83.或者，在其他示例中，以互连单元400是圆柱体为例，则前述之偏移量可以是初始轮廓的圆心与终点轮廓的圆心之间的距离。可以知晓，在对准的情况下，实施热压实现之前，上层芯片100和下层芯片200的互连单元400对共轴的即圆心共线；并且由于对准，在实施轴向的热压时，互连单元400均匀地向四周扩展，那么终点轮廓的圆心会是与初始轮廓的圆心为重合状态，即二者之间的间距为零。
84.相反，如果在未对准的情况下，未实施热压之前，上下层芯片200的互连单元400是非共轴的；那么实施轴向的热压之后，二者也是未共轴的并且相应地二者的圆心之间的间距不为零。
85.前文通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，前述内容结合附图对本技术的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本技术各实施例中，为了使读者更好地理解本技术而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本技术所要求保护的技术方案。其中的各个实例的划分是为了描述方便，不应对本技术的具体实现方式构成任何限定，各个实施例在不矛盾的前提下可以相互结合相互引用。
86.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
87.此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例
如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
88.另外，应该理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称作在衬底、层(或膜)、区域和/或图案“上”时，它可以直接位于另一个层或衬底上，和/或还可以存在插入层。另外，应该理解，当层被称作在另一个层“下”时，它可以直接位于另一个层下，和/或还可以存在一个或多个插入层。另外，可以基于附图进行关于在各层“上”和“下”的指代。
89.以上依据图式所示的实施例详细说明了本技术的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本技术的较佳实施例，但本技术不以图面所示限定实施范围，凡是依照本技术的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本技术的保护范围内。