场发射扫描电子显微镜的制作方法

1.本发明涉及电子显微镜技术领域，更具体地，涉及一种场发射扫描电子显微镜。


背景技术：

2.场发射扫描电子显微镜是电子显微镜的一种，因其分辨率高、景深大、图像更富立体感、放大倍数可调范围宽等优点而被广泛应用于半导体、无机非金属材料及器件等的检测。
3.场发射扫描电子显微镜在应用过程中需要电子束的束流连续可调，以应对多种场景的分析需求。在一些相关技术中，采用单孔光阑+束流控制镜+像方束张角控制镜的系统方案。可实现不同束流下的分辨率最优化，或者最佳景深。
4.但是，在切换不同工况时，束流控制镜和像方张角控制镜这两个磁透镜将频繁联动变化，存在电子束和磁透镜中心不能维持良好对中的问题，导致影响磁透镜的可调范围和成像质量及稳定性。


技术实现要素：

5.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种场发射扫描电子显微镜，所述场发射扫描电子显微镜能实现电子束束流的连续调节，并且可以有效提高电子束与磁透镜的对中效果。
6.根据本发明实施例的场发射扫描电子显微镜，包括源方束张角控制镜、物镜、设于所述源方束张角控制镜和所述物镜之间的像方束张角控制镜、设于所述源方束张角控制镜和所述像方束张角控制镜之间的光圈，所述源方束张角控制镜设有第一极靴，所述像方束张角控制镜设有第二极靴，所述物镜设有第三极靴，所述第一极靴与所述光圈之间、所述光圈与所述第二极靴之间、所述第二极靴与所述第三极靴之间，其中的至少一处设有对中线圈。
7.根据本发明实施例的场发射扫描电子显微镜，源方束张角控制镜、像方束张角控制镜和物镜构成三级会聚系统，可以实现束流可调节和束张角优化的高度解耦。并且通过在第一极靴与光圈之间、光圈与第二极靴之间、第二极靴和第三极靴之间中的至少一处设有对中线圈，并通过合理设置对中线圈的数量和布置位置，可以有效提高电子束调节的自由度，提高电子束与磁透镜的对中效果，进而有利于提高场发射扫描电子显微镜的成像质量及稳定性。
8.另外，根据本发明上述实施例的场发射扫描电子显微镜还可以具有如下附加的技术特征：
9.根据本发明的一些实施例，所述第一极靴与所述光圈之间、所述光圈与所述第二极靴之间、所述第二极靴与所述第三极靴之间均设有所述对中线圈。
10.根据本发明的一些实施例，所述第一极靴与所述光圈之间设有一对所述对中线圈，所述光圈与所述第二极靴之间、所述第二极靴与所述第三极靴之间均设有一个所述对
中线圈。
11.根据本发明的一些实施例，所述第一极靴与所述光圈之间的所述对中线圈位于所述源方束张角控制镜内，所述第一极靴设于所述源方束张角控制镜远离所述像方束张角控制镜的一端，所述对中线圈设于所述源方束张角控制镜靠近所述像方束张角控制镜的一端。
12.根据本发明的一些实施例，所述光圈与所述第二极靴之间的所述对中线圈位于所述像方束张角控制镜内，所述第二极靴设于所述像方束张角控制镜靠近所述物镜的一端，所述对中线圈设于所述像方束张角控制镜远离所述物镜的一端。
13.根据本发明的一些实施例，所述第二极靴和所述第三极靴之间的所述对中线圈位于所述物镜内，所述第三极靴设于所述物镜远离所述像方束张角控制镜的一端，所述对中线圈设于所述物镜靠近所述像方束张角控制镜的一端。
14.根据本发明的一些实施例，所述源方束张角控制镜包括第一磁透镜芯柱，所述像方束张角控制镜包括第二磁透镜芯柱，所述物镜包括第三磁透镜芯柱，所述第一极靴的内径小于所述第一磁透镜芯柱的内径，所述第二极靴的内径小于所述第二磁透镜芯柱的内径，所述第三极靴的内径小于所述第三磁透镜芯柱的内径。
15.根据本发明的一些实施例，所述源方束张角控制镜、所述像方束张角控制镜和所述物镜独立设置。
16.根据本发明的一些实施例，所述场发射扫描电子显微镜还包括镜筒、电子枪、真空差分孔和隔断阀，所述镜筒具有第一真空腔和第二真空腔，所述真空差分孔和所述隔断阀设于所述第一真空腔和所述第二真空腔之间，所述电子枪、所述源方束张角控制镜设于所述第一真空腔，所述像方束张角控制镜和所述物镜设于所述第二真空腔。
17.根据本发明的一些实施例，所述第三极靴包括上极靴和下极靴，所述上极靴和所述下极靴之间间隔开以形成抽气通道。
18.本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
19.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
20.图1是根据本发明实施例的场发射扫描电子显微镜镜筒的结构示意图。
21.附图标记：
22.场发射扫描电子显微镜100；
23.源方束张角控制镜10；第一极靴11；第一磁透镜芯柱12；第一壳体13；
24.光圈20；
25.像方束张角控制镜30；第二磁透镜芯柱31；第二极靴32；第二壳体33；
26.物镜40；第三磁透镜芯柱41；第三极靴42；上极靴421；下极靴422；抽气通道423；第三壳体43；消像散器44；扫描偏转系统45；上偏转器451；下偏转器452；
27.对中线圈50；第一对中线圈51；第二对中线圈52；第三对中线圈53；电子枪71。
具体实施方式
28.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
29.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
30.在本发明的描述中，“第一特征”、“第二特征”可以包括一个或者更多个该特征，“多个”的含义是两个或两个以上，第一特征在第二特征“之上”或“之下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。
31.下面参考附图描述根据本发明实施例的场发射扫描电子显微镜100。
32.在场发射扫描电子显微镜的实际应用过程中，需要将电子束会聚成纳米尺寸的微焦斑，使电子束具有特定大小的束流和束张角，一般要求焦斑和束张角尽可能小，以达到更高的分辨率和更大的景深。同时需着陆束流较大范围内是可调的，以应对多种场景的分析需求。例如：要求获得良好成像信噪比或作为电子探针进行微观分析时，需要着陆束流要大；而要求获得高分辨或大景深成像，或者要求减轻电子束对样品辐照等时，又要求束流适中或较小。
33.在一些相关技术中，一般采用多孔光阑来切换束流档位，以实现不同场景下的束流调节，再通过聚光镜对束流进行微调。但是通过多孔光阑调节束流大小存在以下几点不足：其一、束流调节不连续；其二、多孔光阑切换耗时且对机械移动精度要求高，相应的对中和校准起来较困难；其三、最大的缺陷是调节束流会使束张角偏离最优角；偏离越多，相应分辨率降低越多。
34.在一些相关技术中，采用电磁调节的办法，即用线圈产生磁场控制电子束路径，以切换到不同光阑孔，但是只能解决利用多孔光阑调节束流大小的部分问题。
35.参照图1所示，根据本发明实施例的场发射扫描电子显微镜100可以包括：源方束张角控制镜10、物镜40、像方束张角控制镜30、光圈20。
36.具体而言，像方束张角控制镜30可以设于源方束张角控制镜10和物镜40之间，光圈20可以设于源方束张角控制镜10和像方束张角控制镜30之间，在如图1所示的上下方向上，源方束张角控制镜10、光圈20、像方束张角控制镜30和物镜40从上至下依次排布，可以形成场发射扫描电子显微镜100的电子束会聚系统，可实现束流调节不断档。例如，电子束会聚系统还可以结合电子光学计算结果进行自动优化，在极限分辨率不变的前提下，可以提升大部分工况下的分辨率等成像性能。在实际的应用过程中，源方束张角控制镜10最靠近电子枪71，物镜40最靠近被检测样品表面。
37.其中，源方束张角控制镜10和光圈20可实现束流连续大范围可调，以满足多种应用场景的分析需求。像方束张角控制镜30可以用于改变电子束的束张角和束斑大小，可实
现不同束流下的分辨率最优化，或者最佳景深，使更多工况下的成像质量得到提升。在一些实施例中，像方束张角控制镜30的最优值需经过电子光学计算得出。物镜40可以用于对电子束做最终聚焦，将电子束再次缩小并聚焦到被检测样品表面，以提高成像质量。
38.此外，通过设置源方束张角控制镜10和像方束张角控制镜30，可以实现电子束束斑大小的连续调节，满足多种场景的分析需求。并且使光圈20可以采用单孔结构，无需采用多孔结构，进而光圈20的结构更加简洁，光圈20的工作稳定性和可靠性更强。
39.并且，源方束张角控制镜10可以设有第一极靴11，像方束张角控制镜30可以设有第二极靴32，物镜40可以设有第三极靴42。通过在各磁透镜(即源方束张角控制镜10、像方束张角控制镜30和物镜40)设置极靴结构，可以获得磁场较好的线性分布，有利于实现极靴结构所建立的磁场对电子束的聚焦作用，有利于获得束斑更小的电子束，进而可以减小成像单元的尺寸，提高分析成像的分辨率。
40.此外，发明人研究发现，仅通过源方束张角控制镜10、光圈20和像方束张角控制镜30配合，在切换不同工况时，源方束张角控制镜10和像方束张角控制镜30将会频繁联动变化，存在电子束和磁透镜中心不能维持良好对中的问题，导致影响磁透镜的可调范围和成像质量及稳定性。
41.因此，为了解决电子束和磁透镜中心不能维持良好对中的问题，本技术方案中还可以包括对中线圈50。具体地，在第一极靴11与光圈20之间、光圈20与第二极靴32之间、第二极靴32和第三极靴42之间，其中的至少一处可以设有对中线圈50。对中线圈50可以形成对中系统，以提高电子束与各磁透镜的对中效果。
42.例如，对中线圈50可以设于第一极靴11与光圈20之间，由此可以实现偏转电子束与光圈20同心，电子束在运动过程中经过光圈20的中心。再例如，对中线圈50可以设于光圈20与第二极靴32之间，由此可以实现偏转电子束与像方束张角控制镜30对中，电子束在运动过程中经过像方束张角控制镜30的中心，即第二极靴32的中心。又例如，对中线圈50可以设于第二极靴32和第三极靴42之间，由此可以实现偏转电子束与物镜40对中，电子束在运动过程中经过物镜40的中心，即第三极靴42的中心。
43.由此，可以提升电子束与光圈20或磁透镜的对中效果，有利于提高电子束调节的自由度，避免影响磁透镜的可调范围，有利于提高场发射扫描电子显微镜100的成像质量及稳定性。
44.根据本发明实施例的场发射扫描电子显微镜100，源方束张角控制镜10、像方束张角控制镜30和物镜40构成三级会聚系统，可以实现束流可调节和束张角优化的高度解耦。并且通过在第一极靴11与光圈20之间、光圈20与第二极靴32之间、第二极靴32和第三极靴42之间中的至少一处设有对中线圈50，并通过合理设置对中线圈50的数量和布置位置，可以有效提高电子束调节的自由度，提高电子束与磁透镜的对中效果，进而有利于提高场发射扫描电子显微镜100的成像质量及稳定性。
45.需要说明的是，本发明实施例对对中线圈50的设置数量和位置不做特殊限制。例如，可以在第一极靴11与光圈20之间设置一个对中线圈50，也可以设置多个对中线圈50。再例如，位于第一极靴11与光圈20之间对中线圈50可以完全位于源方束张角控制镜10的外侧，或者部分位于源方束张角控制镜10的外侧。这些都在本发明实施例的保护范围之内。
46.例如，在一些实施例中，如图1所示，第一极靴11与光圈20之间、光圈20与第二极靴
32之间、第二极靴32与第三极靴42之间均设有对中线圈50，所能实现的调节电子束的自由度够，电子束的对中效果更好。三个位置的对中线圈50可以分别记为第一对中线圈51、第二对中线圈52和第三对中线圈53。
47.由此，在电子束在运动过程中，电子束经过源方束张角控制镜10并且在第一对中线圈51的作用下可以经过光圈20中心。由于光圈20与第二极靴32之间设有第二对中线圈52，例如，第二对中线圈52与像方束张角控制镜30在允许范围内保持较大距离，可以避免第二对中线圈52与第二极靴32的磁场相互干扰。经过光圈20中心的电子束可以在第二对中线圈52偏转作用下经过像方束张角控制镜30的中心。并且，由于第二极靴32与第三极靴42之间设有第三对中线圈53，经过像方束张角控制镜30中心的电子束可以在第三对中线圈53的偏转作用下经过物镜40的中心。
48.通过设置第一对中线圈51、第二对中线圈52和第三对中线圈53，电子束的运动路径可以经过固定的几个点，无需通过物理调节实现电子束的对中效果，有利于全程保障电子束与磁透镜的良好对中，提升场发射扫描电子显微镜100的可靠性、可重复性和自动化程度，进一步提升场发射扫描电子显微镜100的实际使用效率。
49.再例如，在一些实施例中，如图1所示，第一极靴11与光圈20之间可以设有一对对中线圈50，即第一对中线圈51可以为一对对中线圈50。例如，一对对中线圈50可以沿上下方向排布，即其中一个对中线圈50靠近光圈20，另一个对中线圈50远离光圈20。并且，光圈20与第二极靴32之间、第二极靴32与第三极靴42之间可以设有一个对中线圈50。由此，不仅仅可以保障电子束全程良好的对中效果，提升成像质量和稳定性，还便于对中线圈50对电子束束张角的调节，有利于保障电子束的对中效果。并且对中线圈50的数量少，整体简单，有利于使对中线圈50与极靴尽可能保持较大的间距，避免磁透镜的对中场与会聚场相互干扰。
50.具体地，例如第一对中线圈51与第二对中线圈52之间具有较大的间距，即电子束从第一对中线圈51运动到第二对中线圈52之间的行程较远。通过在第一极靴11与光圈20之间设置一对对中线圈50，电子束在第一对中线圈51的作用下经过光圈20中心后。第一对中线圈51中靠近光圈20的对中线圈50可以使电子束偏离像方束张角控制镜30中心的偏转角较小，由此可以便于第二对中线圈52对电子束的偏转角进行调节，使其偏向并穿过像方束张角控制镜30的中心，以实现电子束的对中效果，第二对中线圈52的对中效果好。
51.在一些具体的实施例中，如图1所示，场发射扫描电子显微镜100还可以包括消像散器44，例如，消像散器44可以是轴上八极消像散器。消像散器44可以位于第二极靴32与第三极靴42之间的对中线圈50的下方，并且与该对中线圈50紧邻。通过设置消像散器44，消像散器44可以提供一个与物镜40不均匀磁场相反的校正磁场，使物镜40最终形成一个对称磁场，以产生一束细聚焦的电子束，进而有利于提高成像质量。
52.在场发射扫描电子显微镜100包括消像散器44的一些实施例中，如图1所示，场发射扫描电子显微镜100还可以包括扫描偏转系统45，扫描偏转系统45用于偏转电子束，例如，可以使电子束在被检测样品表面按一定时间、空间顺序做栅网式扫描，以实现分析被检测样品表面形貌的效果。
53.具体地，扫描偏转系统45可以由上偏转器451和下偏转器452构成，上偏转器451和下偏转器452皆位于消像散器44的下方，为上下双偏转结构。其中下偏转器452的高度尽可
能低，其下端与物镜40上设有的第三极靴42相邻，在一些实施例中下偏转器452可以与第三极靴42的上极靴421相邻。由此可以使扫描偏转系统45与对中线圈50的间距尽可能大，避免出现相互干扰等问题。
54.为了避免极靴产生的磁场与对中线圈50产生的磁场相重叠，如图1所示，以第一极靴11与光圈20之间设有对中线圈50为例，该对中线圈50可以位于源方束张角控制镜10内。并且，第一极靴11可以设于源方束张角控制镜10远离像方束张角控制镜30的一端(如图1所示的上端)，对中线圈50可以设于源方束张角控制镜10靠近像方束张角控制镜30的一端(如图1所示的下端)。换言之，第一极靴11与对中线圈50分别位于源方束张角控制镜10的两端，在如图1所示的上下方向上，第一极靴11、对中线圈50、像方束张角控制镜30依次排布。第一极靴11与对中线圈50之间可以保持一定距离。
55.由此，一方面，可以避免第一极靴11与对中线圈50产生的磁场相互干扰，避免第一极靴11的磁场影响对中线圈50对电子束的偏转对中效果，有利于提高成像质量；另一方面，避免了后续对中使用中的反复迭代调节或校准工作，有利于提高成像效率。。
56.以光圈20与第二极靴32之间设有对中线圈50为例，如图1所示，该对中线圈50可以位于像方束张角控制镜30内。并且，第二极靴32可以设于像方束张角控制镜30靠近物镜40的一端，对中线圈50可以设于像方束张角控制镜30远离物镜40的一端。换言之，第二极靴32与对中线圈50分别位于像方束张角控制镜30的两端，在如图1所示的上下方向上，第二极靴32、对中线圈50、物镜40依次排布。第一极靴11与对中线圈50之间可以保持一定距离。
57.由此，一方面，可以避免第二极靴32与对中线圈50产生的磁场相互干扰，避免第二极靴32的磁场影响对中线圈50对电子束的偏转对中效果，有利于提高成像质量；另一方面，避免了后续对中使用中的反复迭代调节或校准工作，有利于提高成像效率。。
58.以第二极靴32与第三极靴42之间设有对中线圈50为例，如图1所示，该对中线圈50可以位于物镜40内。并且，第三极靴42可以设于物镜40远离像方束张角控制镜30的一端，对中线圈50可以设于物镜40靠近像方束张角控制镜30的一端。换言之，第三极靴42与对中线圈50分别位于物镜40的两端，在如图1所示的上下方向上，像方束张角控制镜30、对中线圈50、第三极靴42依次排布。第三极靴42与对中线圈50之间可以保持一定距离。
59.由此，一方面，可以避免第三极靴42与对中线圈50产生的磁场相互干扰，避免第三极靴42的磁场影响对中线圈50对电子束的偏转对中效果，有利于提高成像质量；另一方面，避免了后续对中使用中的反复迭代调节或校准工作，有利于提高成像效率。。
60.根据本发明的一些实施例，如图1所示，源方束张角控制镜10可以包括第一磁透镜芯柱12，像方束张角控制镜30可以包括第二磁透镜芯柱31，物镜40可以包括第三磁透镜芯柱41。由此，各磁透镜芯柱可以在对应磁透镜中产生会聚磁场，例如产生旋转对称非均匀磁场，可以实现电子束聚焦成像的效果。
61.举例而言，如图1所示，源方束张角控制镜10还可以包括第一壳体13，第一磁透镜芯柱12设于第一壳体13内，避免第一磁透镜芯柱12外露。像方束张角控制镜30还可以包括第二壳体33，第二磁透镜芯柱31设于第二壳体33内，避免第二磁透镜芯柱31外露。物镜40还可以包括第三壳体43，第三磁透镜芯柱41设于第三壳体43内，避免第三磁透镜芯柱41外露。
62.并且，第一极靴11的内径小于第一磁透镜芯柱12的内径，以形成超短磁透镜。例如，位于源方束张角控制镜10内的第一极靴11的一端可以向源方束张角控制镜内10中线方
向延伸，以使第一极靴11的内径小于第一磁透镜芯柱12的内径。第二极靴32的内径小于第二磁透镜芯柱31的内径，以形成超短磁透镜。例如，位于像方束张角控制镜30内的第二极靴32的一端可以向像方束张角控制镜30的中线方向延伸，以使第二极靴11的内径小于第二磁透镜芯柱12的内径。第三极靴42的内径小于第三磁透镜芯柱41的内径，以形成超短磁透镜。例如，位于物镜40内的第三极靴42的一端可以向物镜40中线方向延伸，以使第三极靴11的内径小于第三磁透镜芯柱12的内径。
63.由于超短磁透镜所能产生的磁场范围比焦距短得多，一方面可以有效避免各磁透镜的磁场之间重叠而发生相互干扰，避免影响各磁透镜对电子束的会聚效果；另一方面，有利于使磁透镜的磁场与对中线圈50的磁场不发生重合，可以减小后续对中使用中的反复迭代调节或校准工作。
64.根据本发明的一些实施例，如图1所示，源方束张角控制镜10、像方束张角控制镜30和物镜40可以独立设置，由此各磁透镜的结构和功能可以相对独立，便于生产和装配，也便于对各磁透镜的位置进行调节。此外，各磁透镜可以独立进行测试，即使出现了问题也可以独立进行维护，有利于降低维护成本。
65.根据本发明的一些实施例，场发射扫描电子显微镜100还可以包括镜筒、电子枪71、真空差分孔和隔断阀。具体地，镜筒可以具有第一真空腔和第二真空腔。其中，第一真空腔位于第二真空腔的上方。真空差分孔和隔断阀设于第一真空腔和第二真空腔之间。并且，隔断阀可以打开或关闭真空差分孔，以在第一真空腔和第二真空腔内形成真空差分或隔断。换言之，第一真空腔和第二真空腔内的真空度可以不同，各真空腔内可以保持相对稳定的工作压力，有利于确保各真空腔的真空稳定性。
66.此外，电子枪71、源方束张角控制镜10可以设于第一真空腔，像方束张角控制镜30和物镜40设于可以第二真空腔。镜筒可以对电子枪71和各磁透镜起到固定安装的作用，有利于确保场发射扫描电子显微镜100的工作稳态。在工作过程中，通过关闭隔断阀，电子枪71、源方束张角控制镜10所处的工作环境压力可以不同于像方束张角控制镜30和物镜40的工作环境压力，两个真空腔内的装置可以正常运行并且互不干涉。
67.例如，由于电子束需要从物镜40射出至被检测样品表面，物镜40靠近被检测样品的一端与被检测样品所处的腔室相连通，因而使第二真空腔的压力大于第一真空腔的压力。换言之，第一真空腔的真空度大于第二真空腔的真空度，有利于实现各真空腔内装置的工作状态相对独立、互不干扰。
68.根据本发明的一些实施例，如图1所示，第三极靴42可以包括上极靴421和下极靴422。并且，上极靴421和下极靴422之间可以间隔开以形成抽气通道423。具体地，由于物镜40更靠近被检测样品，并且物镜40的一端与被检测样品所处的腔室连通，腔室中的气体很容易进入第三极靴42的上极靴421与下极靴422之间的间隔。在第三极靴42的上极靴421设有极靴真空差分孔的一些实施例中，被检测样品所处的腔室中的气体通过该间隔被抽出，而在上极靴421设置极靴真空差分孔避免气体向上经过电子束通道(即物镜40中的电子束通道)，这样的设置可以实现在上极靴421和下极靴422之间极大的真空差分梯度，使得极靴真空差分孔下端气压显著低于腔室气压，从而使极靴真空差分孔上端可以保持高真空。该状态下腔室气压较高，电子束仍然可以经过极靴真空差分孔后到达被检测样品进行扫描成像，可以实现在10pa到1000pa的较高气压下对被检测样品进行表征观测，使得场发射扫描
电子显微镜100有能力对含水、含气等易挥发的被检测样品进行表征，同时对于不导电的被检测样品，可以减轻被检测样品表面的荷电效应，无需对被检测样品表面进行喷金或者喷碳等预处理制样过程。
69.根据本发明实施例的场发射扫描电子显微镜100的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。
70.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
71.在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“具体实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
72.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。