感测装置及其制造方法与流程

1.本发明涉及一种光电装置及其制造方法，尤其涉及一种感测装置及其制造方法。


背景技术：

2.光感测器因其出色的性能，已被广泛应用于安检、工业检测及医疗诊察等领域。举例而言，在医疗诊察方面，x射线感测器可用于人体胸腔、血管、牙齿等的图像提取。一般而言，此类感测器主要包括薄膜晶体管(thin film transistor，tft)以及光电二极管(photodiode)，其中光电二极管可将光能转换成电信号，而薄膜晶体管则用于读取光电二极管所测得的电信号。
3.传统上，此类感测器在基板的背面会贴一层静电防护层，通常是铝膜或者是导电膜。然而，基板贴导电膜时由于无法完全贴合会产生空隙，例如气泡，造成穿透缝隙到达导电膜的光反射出现干涉现象，导致感测图像亮度不均而影响感测品质。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种感测装置，具有良好的感测品质。
5.本发明提供一种感测装置的制造方法，能够提供具有良好的感测品质的感测装置。
6.本发明的一个实施例提出一种感测装置，包括：可挠基板，表面具有多个凹槽；反射层，位于可挠基板上，且顺应多个凹槽的内表面设置；平坦层，位于反射层上；多个开关元件，位于平坦层上；以及多个感测元件，位于平坦层上，且分别电性连接多个开关元件。
7.在本发明的一实施例中，上述的凹槽的内表面具有平坦的侧表面及底表面或弧形表面。
8.在本发明的一实施例中，上述的凹槽的开口宽度大于底表面的宽度。
9.在本发明的一实施例中，上述的凹槽围绕一个感测元件及一个开关元件，或上述的凹槽围绕四个感测元件及四个开关元件。
10.在本发明的一实施例中，上述的凹槽的深度与平坦层的厚度的比值为0.5至0.95。
11.在本发明的一实施例中，上述的反射层具有浮置或接地电位。
12.在本发明的一实施例中，上述的反射层与平坦层的折射率差不小于0.4。
13.在本发明的一实施例中，上述的感测装置还包括数据线及扫瞄线，电性连接多个开关元件，且数据线、扫瞄线以及感测元件于可挠基板的正投影之间的间隙完全重叠凹槽于可挠基板的正投影。
14.在本发明的一实施例中，上述的可挠基板为薄膜型聚酰亚胺(film type pi)。
15.在本发明的一实施例中，上述的可挠基板的厚度为40至400μm。
16.在本发明的一实施例中，上述的平坦层包括涂料型聚酰亚胺(varnish pi)。
17.在本发明的一实施例中，上述的平坦层的厚度为5至50μm。
18.本发明的一个实施例提出一种感测装置的制造方法，包括：形成可挠基板于载板
上，且可挠基板的表面具有多个凹槽；形成反射层于可挠基板上，且反射层顺应于多个凹槽的内表面；以及形成平坦层于反射层上，且平坦层填充多个凹槽。
19.在本发明的一实施例中，上述的载板为玻璃基板。
20.在本发明的一实施例中，上述的多个凹槽通过压印的方式形成。
21.在本发明的一实施例中，上述的平坦层的表面平坦度不小于90％。
22.在本发明的一实施例中，上述的感测装置的制造方法还包括形成多个开关元件及多个感测元件于平坦层上，且多个感测元件分别电性连接多个开关元件。
23.在本发明的一实施例中，上述的感测装置的制造方法还包括在形成多个开关元件之前形成阻挡层于平坦层上。
24.在本发明的一实施例中，上述的感测装置的制造方法还包括移除载板。
25.在本发明的一实施例中，上述的感测装置的制造方法还包括在移除载板之后将可挠基板贴合于背板，且背板的刚性大于可挠基板的刚性。
26.本发明的有益效果在于，本发明的感测装置通过在可挠基板上制作规则的凹槽，且于凹槽上设置的反射层，能够提高反射光的均匀性而改善感测品质，同时还能够提高光利用率。
27.为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
28.图1a是依照本发明一实施例的感测装置的俯视示意图。
29.图1b是沿图1a的剖面线a-a’所作的剖面示意图。
30.图1c是沿图1a的剖面线b-b’所作的剖面示意图。
31.图2a至图2d是依照本发明一实施例的感测装置的制造方法的步骤流程的剖面示意图。
32.图3a是依照本发明一实施例的感测装置的俯视示意图。
33.图3b是沿图3a的剖面线c-c’所作的剖面示意图。
34.图4是依照本发明一实施例的感测装置的剖面示意图。
35.图5是依照本发明一实施例的感测装置的剖面示意图。
36.图6是依照本发明一实施例的感测装置的剖面示意图。
37.附图标记如下：
38.10,30,40,50,60:感测装置
39.110,310,410,510,610:可挠基板
40.111,113:表面
41.112,312,412,512,612:凹槽
42.112b,512b:底表面
43.112w,512w:侧表面
44.120,320,420,520,620:反射层
45.130:平坦层
46.140:开关元件
47.140c:半导体层
48.140d:漏极
49.140g:栅极
50.140s:源极
51.150:感测元件
52.150b:下电极
53.150p:光电转换层
54.150t:上电极
55.160:阻挡层
56.170:波长转换层
57.180:背板
58.a-a’,b-b’,c-c’:剖面线
59.a1:区域
60.ca:载板
61.d1:深度
62.dl:数据线
63.g1,g2:间隙
64.i1,i2,i3,i4:绝缘层
65.is1,is4:内表面
66.op:开口
67.sl:扫描线
68.t1:厚度
69.w1,w2:宽度
70.θ:夹角
具体实施方式
71.在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反地，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦接”可为二元件间存在其它元件。
72.这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”或表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包含”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
73.此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元
件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下”或“下方”可以包括上方和下方的取向。
74.考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)，本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
75.除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
76.本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。
77.图1a是依照本发明一实施例的感测装置10的俯视示意图。图1b是沿图1a的剖面线a-a’所作的剖面示意图。图1c是沿图1a的剖面线b-b’所作的剖面示意图。为了使附图的表达较为简洁，图1a示意性示出可挠基板110、开关元件140、感测元件150、扫描线sl、数据线dl以及共用电极cm，并省略其他构件及膜层。
78.请参照图1a至图1c，感测装置10包括：可挠基板110，表面具有多个凹槽112；反射层120，位于可挠基板110上，且顺应多个凹槽112的内表面is1设置；平坦层130，位于反射层120上；多个开关元件140，位于平坦层130上；以及多个感测元件150，位于平坦层130上，且分别电性连接多个开关元件140。
79.在本发明的一实施例的感测装置10中，通过规则设置的多个凹槽112来避免不规则的反射光的干涉效应，能够改善感测装置10的感测品质。以下，配合图1a至图1c，继续说明感测装置10的各个元件的实施方式，但本发明不以此为限。
80.在本实施例中，可挠基板110可以是具有可挠性的基板，例如薄膜型聚酰亚胺(film type pi)，但不限于此。举例而言，可挠基板110可以是通过均苯四甲酸二酐(pmda)及二氨基二苯醚(oda)的聚合、亚胺化、流涎、干燥、拉伸等步骤所形成的聚酰亚胺膜。在一些实施例中，可挠基板110的厚度可以约为40μm至400μm，但本发明不限于此。
81.多个凹槽112可以从可挠基板110的表面111凹入可挠基板110中。在本实施例中，凹槽112的内表面可以具有侧表面112w及底表面112b，且侧表面112w与底表面112b皆具有
大致平坦的表面，但不限于此。在一些实施例中，侧表面112w及底表面112b可以具有弧形的表面。因此，凹槽112的底表面112b与可挠基板110的表面111之间的垂直距离也就是凹槽112从可挠基板110的表面111凹入的深度d1。在一些实施例中，侧表面112w与底表面112b之间的夹角θ可以≥90度，使得凹槽112的开口宽度w1大于底表面112b的宽度w2。
82.凹槽112的排列方式并无特殊限制，且较佳是以规则的方式排列于可挠基板110的表面111上。举例而言，在一些实施例中，凹槽112可以重叠扫描线sl以及数据线dl，且于可挠基板110上呈现网状的图案，其中每一网格可以大致重叠一组相互电性连接的开关元件140与感测元件150。换句话说，凹槽112可以围绕一个感测元件150及一个开关元件140。
83.在本实施例中，反射层120可以设置于可挠基板110的表面111以及凹槽112的侧表面112w及底表面112b上，使得反射层120能够顺应表面111、侧表面112w以及底表面112b设置，但不限于此。在一些实施例中，反射层120可以仅设置于侧表面112w以及底表面112b上。在一些实施例中，反射层120可以仅设置于侧表面112w及表面111上。值得注意的是，表面111位于感测元件150的正下方，因此设置于表面111上的反射层120能够将来自上方的入射光直接反射至感测元件150，借以提高感测元件150的光利用率。由于侧表面112w的形状及倾斜角度一致，设置于侧表面112w上的反射层120能够将入射光以均匀的方式反射至感测元件150，进而提高感测元件150的光利用率。另外，由于底表面112b主要重叠感测元件150之间的区域a1，设置于底表面112b上的反射层120也能够将入射光以规律的方式直接或间接反射至感测元件150。
84.反射层120的材质可以包括诸如金属等反射率较高的材料。举例而言，反射层120可以包括铝(al)、硅(si)、银(ag)、金(au)及二氧化钛(tio2)中的至少一者。另外，反射层120可以具有单层或多层结构，多层结构例如包括上述材料的堆叠层或上述材料与其他材料的堆叠层。在一些实施例中，反射层120可以具有浮置(floating)或接地(grounding)电位。
85.平坦层130可以填入凹槽112中，以提供便利后续工艺进行的平坦表面。在本实施例中，平坦层130可以通过涂布涂料型聚酰亚胺(varnish pi)来形成。在一些实施例中，平坦层130的厚度t1可以约为5至50μm，例如15μm、30μm或45μm。在一些实施例中，凹槽112的深度d1与平坦层130的厚度t1的比值可以为0.5至0.95，例如0.6、0.75或0.9。
86.在一些实施例中，反射层120与平坦层130的折射率差较佳为不小于0.4，借以增加反射层120的实质反射光量。
87.开关元件140可以以阵列的方式排列于平坦层130上。举例而言，在本实施例中，开关元件140可以包括半导体层140c、栅极140g、源极140s以及漏极140d，且绝缘层i1可以位于用于形成栅极140g的膜层与用于形成源极140s的膜层之间。半导体层140c重叠栅极140g的区域可视为开关元件140的通道区。栅极140g可电性连接扫描线sl，且漏极140d可电性连接数据线dl。半导体层140c的材质可以包括硅质半导体材料(例如多晶硅、非晶硅等)、氧化物半导体材料、有机半导体材料等。扫描线sl、数据线dl、栅极140g、源极140s以及漏极140d的材质可以包括导电性良好的金属，例如铝、钼、钛、铜等。
88.感测元件150可以以阵列的方式排列于平坦层130上，且每一感测元件150可对应一个开关元件140设置。举例而言，在本实施例中，每一组开关元件140与感测元件150可以具有大致矩形的占地面积，且以阵列的方式配置于平坦层130上，但本发明不限于此，且开
关元件140与感测元件150的配置方式可以视需要进行变更。
89.在本实施例中，感测元件150可以是具有pin接面结构的光电二极管(photodiode)，但不限于此。在其他实施例中，感测元件150可以是具有pn接面结构的pn二极管或是采用富硅氧化层(silicon rich oxide；sro)作为感测层的感测元件。或者，在某些实施例中，感测元件150可以具有由pn接面结构与pin接面结构重复排列的串叠结构。举例而言，感测元件150可以包括上电极150t、下电极150b以及光电转换层150p，且光电转换层150p位于上电极150t与下电极150b之间。绝缘层i2可以位于下电极150b与光电转换层150p之间，绝缘层i2可以具有多个开口op，开口op可以界定光电转换层150p的设置区域，且光电转换层150p可以通过开口op接触下电极150b。
90.在一些实施例中，光电转换层150p可以包括n型半导体层、本质半导体层以及p型半导体层，且本质半导体层夹于n型半导体层与p型半导体层之间而构成pin接面结构。本质半导体层的材料可以是本质非晶硅。n型半导体层的材料可以是n型掺杂非晶硅，例如掺杂磷的非晶硅。p型半导体层的材料可以是p型掺杂非晶硅，例如掺杂硼的非晶硅。感测元件150的下电极150b可以电性连接开关元件sw的源极140s。在一些实施例中，感测装置10还可以包括共用电极cm以及绝缘层i3，共用电极cm可以设置于感测元件150上方，绝缘层i3可以设置于感测元件150与共用电极cm之间，且感测元件150的上电极150t可以电性连接共用电极cm。如此一来，感测元件150可以将接收的光能转换成电信号，且感测装置10可以通过开关元件140来读取感测元件150测得的电信号。
91.在一些实施例中，感测装置10还可以包括扫瞄线sl以及数据线dl，其中扫瞄线sl可与开关元件140的栅极140g属于相同膜层，且扫瞄线sl可以电性连接栅极140g；数据线dl可与开关元件140的源极140s以及漏极140d属于相同膜层，且数据线dl可以电性连接漏极140d。在一些实施例中，扫瞄线sl于可挠基板110的正投影与感测元件150于可挠基板110的正投影之间的间隙g1可以完全重叠凹槽112于可挠基板110的正投影，且数据线dl于可挠基板110的正投影与感测元件150于可挠基板110的正投影之间的间隙g2可以完全重叠凹槽112于可挠基板110的正投影，如此一来，穿过间隙g1、g2的光能够被侧表面112w及底表面112b聚焦，使其反射光不易漫射至两侧感测元件150，使图像解析度有提升效果。
92.在一些实施例中，感测装置10还可以包括阻挡层160，阻挡层160可以设置于开关元件140以及感测元件150与平坦层之间，以避免杂质进入开关元件140及感测元件150中而影响感测装置10的感测性能。
93.在一些实施例中，感测装置10还可以包括波长转换层170及绝缘层i4，波长转换层170可以设置于感测元件150上方，且绝缘层i4可以设置于感测元件150与波长转换层170之间。绝缘层i3、i4可以分别包括例如有机绝缘材料或有机绝缘材料与无机绝缘材料的叠层，以于感测元件150上侧形成平坦的表面，而有利于波长转换层170的设置。波长转换层170可以将来自感测装置10上方的光线的波长转换成适合感测元件150吸收的波长，以利感测元件150产生对应的电信号。举例而言，来自感测装置10上方的光线可以是x射线(x-ray)，且x射线可以在入射波长转换层170之后被吸收并转换成可见光，可见光再前进至感测元件150后被光电转换层150p吸收并产生电信号。波长转换层170的材质可以是闪烁体(scintillator)材料，例如碘化铯(csi)、掺杂铊的碘化铯(csi:tl)、掺杂钠的碘化铯(csi:na)、掺杂铊的碘化钠(nai:tl)、掺杂铕的氟化锂(lif:eu)、掺杂铽的硫氧化钆(gd2o2s:tb)、
掺杂镨及铈的硫氧化钆(gd2o2s:pr,ce)、掺杂镨、铈或氟的硫氧化钆(gd2o2s:pr,ce,f)、掺杂铈的钇铝石榴石(yag:ce)、掺杂铕的碘化镉(cdi2:eu)、掺杂铽的三氧化二镏(lu2o3:tb)、聚(3-己基噻吩-2,5-二基)(p3ht)、锗酸铋(bi4ge3o
12
)、铯铅溴化物(cspbbr3)、镉钨氧化物(cdwo4)、掺杂银的硫化锌(zns:ag)、掺杂铈的钇铝氧化物(yalo3:ce)、掺杂铈的硅酸镏(lu2si2o5:ce)、掺杂铈的镧铝氧化物(laalo3:ce)或溴化镧(labr3)。
94.在一些实施例中，感测装置10还可以包括背板180，背板180可以位于可挠基板110上与平坦层130相对的一侧，用以增强感测装置10的抗挠性(stiffness)。换句话说，背板180的刚性(rigidity)可以不同于可挠基板110的刚性，且背板180的刚性可以大于可挠基板110的刚性。
95.图2a至图2d是依照本发明一实施例的感测装置10的制造方法的步骤流程的剖面示意图。以下，配合图2a至图2d说明感测装置10的制作方法。
96.请参照图2a，首先，形成可挠基板110于载板ca上。举例而言，可以采用贴合的方式将可挠基板110的表面113贴合于载板ca的表面上。载板ca的刚性可以大于可挠基板110的刚性，且载板ca的玻璃转移温度可以高于可挠基板110的玻璃转移温度，以有助于后续步骤的进行。在本实施例中，载板ca较佳是玻璃基板，但不限于此。可挠基板110的表面111形成有多个凹槽112，且凹槽112可以通过压印(imprinting)的方式形成，但本发明不以此为限。
97.请参照图2b，接着，形成反射层120于可挠基板110上，且反射层120可以至少顺应于凹槽112的侧表面112w。举例而言，反射层120可以顺应地贴合于凹槽112的侧表面112w及底表面112b以及可挠基板110的表面111。
98.请参照图2c，接着，形成平坦层130于反射层120上，且平坦层130填充多个凹槽112，以免凹槽112的高低起伏影响后续步骤的进行。平坦层130可以通过涂布的方式形成，例如辊式涂布(roll coat)、旋转涂布(spin coat)、棒式涂布(bar coat)、网版涂布(screen coat)、刮刀涂布(blade coat)等，使得平坦层130的表面131可以具有不小于90％的表面平坦度。
99.接着，请同时参照图1a及图2d，形成多个开关元件140、多个感测元件150、扫描线sl以及数据线dl于平坦层130上，且多个感测元件150分别电性连接多个开关元件140，多个开关元件140皆电性连接至扫描线sl以及数据线dl。举例而言，感测元件150的下电极150b可以电性连接或实体连接开关元件140的源极140s，开关元件140的栅极140g电性连接扫描线sl，且开关元件140的漏极140d电性连接数据线dl。在一些实施例中，还可以在形成开关元件140之前先形成阻挡层160于平坦层130的表面131上，以避免杂质进入开关元件140中而影响开关元件140的性能。
100.在一些实施例中，还可以在形成开关元件140及感测元件150之后形成绝缘层i3及共用电极cm于开关元件140及感测元件150之上，且绝缘层i3位于共用电极cm与开关元件140及感测元件150之间。在一些实施例中，还可以在形成开关元件140及感测元件150之后形成绝缘层i4及波长转换层170于开关元件140及感测元件150之上，且绝缘层i4位于波长转换层170与开关元件140及感测元件150之间。绝缘层i3、i4可以提供平坦的顶表面来设置共用电极cm及波长转换层170，波长转换层170可以将来自感测装置10上方的光线的波长转换成适合感测元件150吸收的波长。接着，可以移除载板ca，以露出可挠基板110的表面113。
101.接着，可以将可挠基板110贴合于背板180上，以完成如图1a至图1c所示的感测装
置10。在一些实施例中，背板180的刚性可以大于可挠基板110的刚性，以增强感测装置10的抗挠性。举例而言，可以使用黏着材料来将可挠基板110的表面113黏合于背板180的表面。背板180的材质可以是聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)或聚酰亚胺(pi)，但不限于此。
102.以下，使用图3a至图6继续说明本发明的其他实施例，并且，沿用图1a至图1c的实施例的元件标号与相关内容，其中，采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明，可参考图1a至图1c的实施例，在以下的说明中不再重述。
103.图3a是依照本发明一实施例的感测装置30的俯视示意图。图3b是沿图3a的剖面线c-c’所作的剖面示意图。请参照图3a至图3b，感测装置30包括表面具有多个凹槽312的可挠基板310、反射层320、平坦层130、多个开关元件140、多个感测元件150、阻挡层160、波长转换层170、数据线dl、扫瞄线sl以及背板180。
104.图3a至图3b所示的感测装置30与如图1a至图1c所示的感测装置10的主要差异在于：感测装置30的凹槽312可以围绕四个感测元件150及四个开关元件140。如此一来，可以减少凹槽312的分布面积，且反射层320位于凹槽312中的部分仍可抑制反射光漫射至两侧的感测元件150，以使图像解析度有提升效果，从而改善感测装置30的感测品质。在其他实施例中，凹槽312还可以围绕更多个感测元件150及开关元件140。
105.图4是依照本发明一实施例的感测装置40的剖面示意图。感测装置40包括表面具有多个凹槽412的可挠基板410、反射层420、平坦层130、多个感测元件150、阻挡层160、波长转换层170、扫瞄线sl、绝缘层i1～i4以及背板180。图4所示的感测装置40与如图1a至图1c所示的感测装置10的主要差异在于：感测装置40的凹槽412的内表面is4可以具有弧形表面，且感测元件150之间的区域a1完全重叠于凹槽412的内表面is4。如此一来，反射层420位于凹槽412的内表面is4上的部分也具有弧形的表面，使得经由区域a1入射至反射层420的光能够被弧形表面聚焦，使其反射光不易漫射至两侧感测元件150，使图像解析度有提升效果。
106.图5是依照本发明一实施例的感测装置50的剖面示意图。感测装置50包括表面具有多个凹槽512的可挠基板510、反射层520、平坦层130、多个感测元件150、阻挡层160、波长转换层170、扫瞄线sl、绝缘层i1～i4以及背板180。图5所示的感测装置50与如图1a至图1c所示的感测装置10的主要差异在于：感测装置50的每个感测元件150于可挠基板510的正投影可以完全落入每个凹槽512于可挠基板510的正投影内。在一些实施例中，感测元件150可以重叠凹槽512的底表面512b，感测元件150之间的区域a1可以重叠凹槽512的侧表面512w，且每一凹槽512仅重叠一个感测元件150。如此一来，经由区域a1入射的光能够被设置于侧表面512w上的反射层520以均匀的方式反射至感测元件150，且设置于底表面512b上的反射层520能够将来自上方的入射光直接反射至感测元件150，进而提高感测装置50的光利用率。
107.图6是依照本发明一实施例的感测装置60的剖面示意图。感测装置60包括表面具有多个凹槽612的可挠基板610、反射层620、平坦层130、多个感测元件150、阻挡层160、波长转换层170、扫瞄线sl、绝缘层i1～i4以及背板180。图6所示的感测装置60与如图5所示的感测装置50的主要差异在于：感测装置60的凹槽612可以重叠多个感测元件150，例如两个、四
个、或九个感测元件150。如此一来，可以减少凹槽612的侧表面的分布面积，且反射层620仍可以均匀的方式将光反射至感测元件150，从而提高感测装置60的光利用率。
108.综上所述，本发明的感测装置通过在可挠基板上制作规则的凹槽，且于凹槽上设置的反射层，能够提高反射光的均匀性而改善感测品质，同时还能够提高光利用率。
109.虽然本发明已以实施例公开如上，然而其并非用以限定本发明，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视随附的权利要求所界定者为准。