显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。


背景技术：

2.显示面板向大尺寸、高刷新率等方向发展，对显示面板的薄膜晶体管的迁移率和稳定性提出了更高的要求。
3.因此，如何在提高显示面板的薄膜晶体管的迁移率的同时，保证薄膜晶体管的稳定性，是目前迫切需要解决的技术问题。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种显示面板，以提高显示面板的薄膜晶体管的迁移率的同时，保证显示面板的薄膜晶体管的稳定性。
5.第一方面，本技术提供一种显示面板，所述显示面板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；以及金属氧化物层，包括：下金属氧化物层，所述下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物；以及上金属氧化物层，与所述下金属氧化物层叠置且位于所述下金属氧化物层靠近所述源极和所述漏极的表面上，所述源极和所述漏极与所述上金属氧化物层连接，所述上金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，所述上金属氧化物层包括多晶相。
6.有益效果：由于金属氧化物层包括下金属氧化物层和上金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，镧系元素的离子半径与铟的离子半径相近，镧系元素几乎不影响铟的外层电子轨道交叠，所以有利于包括下金属氧化物层的薄膜晶体管实现高迁移率，由于上金属氧化物层包括多晶相，多晶相相较于非晶相和微晶相具有更好的稳定性，所以有利于提高包括上金属氧化物层的薄膜晶体管稳定性。
7.而且，由于下金属氧化物层和上金属氧化物层均包括镧系元素的氧化物，镧系元素的高断键、低点电负性减少了下金属氧化物层和上金属氧化物层中的深能级缺陷，同时，镧系元素也抑制氧空位，进而减少下金属氧化物层的氧空位浓度，所以有利于提高下金属氧化物层和上金属氧化物层的光稳定性，进而进一步地提高薄膜晶体管的稳定性。
8.此外，薄膜晶体管为背沟道蚀刻型薄膜晶体管，源极和漏极与上金属氧化物层连接，在采用蚀刻液蚀刻金属层以得到源极和漏极时，由于上金属氧化物层中的多晶相对蚀刻液具有良好的抗腐蚀性，所以上金属氧化物层对下金属氧化物层起到保护作用，进而避免下金属氧化物层受到腐蚀而损伤，更进一步地提高薄膜晶体管的稳定性。
附图说明
9.图1为本技术一实施例的显示面板的截面示意图；图2为由锡的氧化物、铟的氧化物和镧系元素的氧化物lno组成的第二金属氧化物膜中sn1/(sn1+in21+ln21)为0.1时，第二金属氧化物膜经过蚀刻后的sem图；图3为由锡的氧化物、铟的氧化物和镧系元素的氧化物lno组成的第二金属氧化物膜中sn1/(sn1+in21+ln21)为0.05时，第二金属氧化物膜经过蚀刻后的sem图；图4为薄膜晶体管的有源层为表1中氧化铟镓锌层时在负栅偏压加光照下的转移特性曲线；图5为薄膜晶体管的有源层为表1中氧化铟镓锌层时在正栅压应力下的转移特性曲线；图6为薄膜晶体管的有源层为表1中下金属氧化物层3时在负栅偏压加光照下的转移特性曲线；图7为薄膜晶体管的有源层为表1中下金属氧化物层3时在正栅压应力下的转移特性曲线。
具体实施方式
10.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
11.本技术提供的显示面板可以为液晶显示面板，但不限于此，显示面板也可以为有机发光二极管显示面板、量子点发光显示面板、微型发光二极管显示面板或者次毫米发光二极管显示面板。
12.请参阅图1，其为本技术一实施例的显示面板的截面示意图。显示面板100包括阵列基板10、对置基板20以及设置于阵列基板10与对置基板20之间的液晶层30。
13.在本实施例中，阵列基板10包括第一基板101、栅极层、栅极绝缘层103、金属氧化物层104、源漏电极层、第一钝化层106、平坦化层107、公共电极108、第二钝化层109以及像素电极层。
14.在本实施例中，对置基板20包括第二基板201和设置于第二基板201靠近第一基板101的表面上的滤光层，滤光层包括红色色阻、蓝色色阻、绿色色阻以及黑色矩阵。
15.可以理解的是，对置基板20上也可以不设置滤光层，此时，可以将滤光层可以设置于阵列基板10上。
16.其中，第一基板101为玻璃基板。栅极层设置于第一基板101的表面上。栅极层包括同层间隔设置的栅极1021和第一连接部1022。栅极层可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，栅极层包括但不限于金(au)、银(ag)、铝(al)、铂(pt)、镍(ni)、钛(ti)、钯(pd)、镁(mg)、钙(ca)、锂(li)、铬(cr)、钽(ta)、钼(mo)、钪(sc)、钕(nd)、铱(ir)、铝(al)合金、氮化铝(alnx)、银(ag)合金、钨(w)、氮化钨(wnx)、铜(cu)合金、钼(mo)合金的至少一种。
17.栅极绝缘层103覆盖第一基板101和栅极层。栅极绝缘层103包括第一接触孔103a，
第一接触孔103a对应第一连接部1022设置。栅极绝缘层103包括无机绝缘材料。例如，栅极绝缘层103包括但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及氧化铝中的至少一种。
18.金属氧化物层104设置于栅极绝缘层103上，且对应栅极1021设置。金属氧化物层104包括金属氧化物材料。
19.源漏电极层包括同层且间隔设置的源极1051、漏极1052以及第二连接部1053。源极1051、漏极1052设置于金属氧化物层104远离栅极1021的表面上。第二连接部1053设置于栅极绝缘层103上且对应第一连接部1022设置，第二连接部1053与第一连接部1022通过栅极绝缘层103上的第一接触孔103a接触。源漏电极层包括导电材料，例如，源漏电极层包括钼(mo)、铜(cu)、铝(al)或钛(ti)。
20.需要说明的是，阵列基板包括薄膜晶体管t，薄膜晶体管t包括栅极1021、源极1051、漏极1052、下金属氧化物层1041以及上金属氧化物层1042。
21.第一钝化层106覆盖源漏电极层以及栅极绝缘层。第一钝化层106包括无机绝缘材料。例如，第一钝化层106包括但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及氧化铝中的至少一种。
22.平坦化层107覆盖第一钝化层106。平坦化层107包括有机绝缘材料。例如，平坦化层107包括但不限于聚酰亚胺和聚丙烯酸酯中的至少一种。
23.公共电极108设置于平坦化层107上。公共电极108包括透明导电材料，例如透明导电材料包括氧化铟锡或氧化铟锌。
24.第二钝化层109覆盖公共电极108和平坦化层107。第二钝化层109包括第二接触孔109a，第二接触孔109a对应公共电极108设置。第二钝化层109包括无机绝缘材料，例如，第二钝化层109包括但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝中的至少一种。
25.阵列基板10还包括第三接触孔10a和第四接触孔10b，第三接触孔10a和第四接触孔10b均贯穿第二钝化层109、平坦化层107以及第一钝化层106，第三接触孔10a对应漏极1052设置，第四接触孔10b对应第二连接部1053设置。
26.像素电极层包括同层且间隔设置的像素电极110和桥接部111，桥接部111与公共电极108和第二连接部1053重叠，像素电极110与漏极1052重叠，像素电极110包括狭缝。像素电极110通过第三接触孔10a与漏极1052连接。桥接部111通过第四接触孔10b与第二连接部1053连接，且桥接部111通过第二接触孔109a与公共电极108连接。像素电极层包括透明导电材料，透明导电材料包括氧化铟锡或氧化铟锌。
27.在本实施例中，如图1所示，金属氧化物层104包括下金属氧化物层1041和上金属氧化物层1042，上金属氧化物层1042与下金属氧化物层1041叠置，且上金属氧化物层1042位于下金属氧化物层1041靠近源极1051和漏极1052的表面上，源极1051和漏极1052与上金属氧化物层1042连接。
28.上金属氧化物层1042和下金属氧化物层1041均包括铟的氧化物in2o3和镧系元素的氧化物lno。
29.其中，铟的氧化物in2o3是一种n型半导体，具有稳定的立方方铁锰矿结构，铟的氧化物in2o3的本征载流子浓度高达10
20
cm-3
，铟的氧化物in2o3也容易结晶。
30.其中，镧系元素包括镧（la)、铈（ce)、镨（pr)、钦（nd)、钜（pm)、钐（sm)、铕（eu)、钆（gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)和镥(lu)，总共15种金属元素。
31.需要说明的是，ga的离子轨道半径比in的离子轨道半径小很多，掺入ga会减少in的外层电子轨道的交叠而降低迁移率。镧系元素的离子轨道半径与铟的离子轨道半径相近，镧系元素几乎不影响铟的外层电子轨道交叠，有利于保证包括镧系元素的氧化物与铟的氧化物的金属氧化物层具有高迁移率。而且，镧系元素的氧化物为具有高断键能的氧化物，镧系元素具有低点电负性，有利于减少金属氧化物层中的深能级缺陷，进而提高包括镧系元素的氧化物的金属氧化物层的光稳定性。
32.在本实施例中，下金属氧化物层1041作为有源层，且下金属氧化物层1041为非晶金属氧化物层，非晶相使载流子更容易在下金属氧化物层1041中传输，保证下金属氧化物层1041具有高迁移率。
33.需要说明的是，下金属氧化物层1041是以包括铟的氧化物in2o3和镧系元素的氧化物lno的第一金属氧化物靶材作为原料，采用磁控溅射沉积得到第一金属氧化物膜，再对第一金属氧化物膜进行图案化处理得到的。
34.可以理解的是，下金属氧化物层1041也可以包括结晶相，包括结晶相的下金属氧化物层1041会失去半导体特性而具有导体特性。
35.在本实施例中，上金属氧化物层1042作为下金属氧化物层1041的保护层。上金属氧化物层1042包括多晶相，多晶相相较于非晶相和微晶具有更好的稳定性，且多晶相对湿法蚀刻以形成源极和漏极的蚀刻液具有良好的抗腐蚀性，进而避免下金属氧化物层1041受到蚀刻液腐蚀而损伤。
36.需要说明的是，多晶相是稳态，多晶相由多个晶粒组成，相邻两个晶粒之间有晶界，而微晶相是亚稳态，非晶相是无定形态，多晶相比微晶相和非晶相更稳定，因此，包括多晶相的上金属氧化物层1042比包括非晶或者微晶的金属氧化物层具有更好的稳定性。
37.还需要说明的是，上金属氧化物层1042是以包括铟的氧化物in2o3和镧系元素的氧化物lno的第二金属氧化物靶材作为原料，采用磁控溅射工艺得到第二金属氧化物膜，第二金属氧化物膜经过图案化处理后再通过激光退火或加热退火结晶得到。其中，加热退火实现结晶时，加热温度大于或等于250摄氏度且小于或等于450摄氏度。
38.在本实施例中，下金属氧化物层1041中，铟的原子数目为in1，镧系元素的原子数目为ln1；上金属氧化物层1042中，铟的原子数目为in2，镧系元素的原子数目为ln2；其中，in2/(in2+ln2)＞in1/(in1+ln1)，换言之，上金属氧化物层1042中铟的原子数目与铟的原子数目和镧系元素的原子数目之和的比值大于下金属氧化物层1041中铟的原子数目与铟的原子数目和镧系元素的原子数目之和的比值。
39.本实施例显示面板的薄膜晶体管t的上金属氧化物层1042和下金属氧化物层1041均包括镧系元素的氧化物和铟的氧化物，上金属氧化物层1042中铟的原子数目占比大于下金属氧化物层1041中铟的原子数目占比，使上金属氧化物层1042结晶处理后更容易形成多晶相的同时，下金属氧化物层1041在上金属氧化物层1042结晶处理过程中更容易保持非晶相。
40.在本实施例中，在上金属氧化物层1042中，0.8≤in2/(in2+ln2)＜1，使上金属氧化物层1042中含有更多铟的氧化物，结晶处理以得到上金属氧化物层1042所需的结晶温度更低，上金属氧化物层1042更容易形成多晶相，以提高上金属氧化物层1042的稳定性和对蚀刻液的抗腐蚀性，进而提高薄膜晶体管t的稳定性。
41.在上金属氧化物层1042中，in2/(in2+ln2)≤0.95，以避免上金属氧化物层1042中含有过多铟的氧化物，导致包括过多铟的氧化物的第二金属氧化物膜难以蚀刻，而较难制备上金属氧化物层1042。
42.可以理解的是，上金属氧化物层1042中，0.85≤in2/(in2+ln2)≤0.98，或者，0.88≤in2/(in2+ln2)≤0.96，或者，0.90≤in2/(in2+ln2)≤0.94。例如，in2/(in2+ln2)为0.82、0.85、0.88、0.9、0.92、0.93或者0.95。
43.在上金属氧化物层1042中，0.01≤ln2/(in2+ln2)≤0.2。镧系元素在上金属氧化物层1042中的原子占比大于0.2，会对上金属氧化物层1042中主要成分铟的氧化物形成多晶相造成不利影响。镧系元素在上金属氧化物层1042中的原子占比小于0.01，不利于保证上金属氧化物层1042的光稳定性。
44.可以理解的是，上金属氧化物层1042中，0.02≤ln2/(in2+ln2)≤0.1，或者，0.03≤ln2/(in2+ln2)≤0.07，或者，0.04≤ln2/(in2+ln2)≤0.065。例如，ln2/(in2+ln2)为0.01、0.025、0.03、0.05、0.07、0.09、0.1、0.12、0.15或者0.2。
45.在上金属氧化物层1042中，上金属氧化物层1042还包括锡的氧化物sno2，锡的原子数目为sn，sn/（in2+ln2+sn）＜ln2/（in2+ln2+sn），换言之，上金属氧化物层1042中锡的原子数目少于上金属氧化物层1042中镧系元素的原子数目。
46.本实施例显示面板的薄膜晶体管t通过上金属氧化物层1042包括锡的氧化物，锡的氧化物的结晶温度比铟的氧化物的结晶温度更低，以进一步使上金属氧化物层1042在结晶处理后容易形成多晶相，而上金属氧化物层1042中锡的原子数目少于上金属氧化物层1042中镧系元素的原子数目，避免上金属氧化物层1042中锡的含量过高，导致包括含量过多的锡的氧化物的第二金属氧化物膜难以蚀刻，而较难制备上金属氧化物层1042。
47.在上金属氧化物层1042中，0.01≤sn/(sn+in2+ln2)≤0.05。可以理解的是，0.02≤sn/(sn+in2+ln2)≤0.04，或者，0.03≤sn/(sn+in2+ln2)≤0.045。例如，sn/(sn+in2+ln2)为0.01、0.02、0.03、0.04或者0.05。
48.如图2和图3所示，图2为由锡的氧化物、铟的氧化物和镧系元素的氧化物lno组成的第二金属氧化物膜中sn1/(sn1+in21+ln21)为0.1时第二金属氧化物膜经过蚀刻后的sem图，图3为由锡的氧化物、铟的氧化物和镧系元素的氧化物lno组成的第二金属氧化物膜中sn1/(sn1+in21+ln21)为0.05时第二金属氧化物膜经过蚀刻后的sem图。其中，sn1为第二金属氧化物膜中锡的原子数目，in21为第二金属氧化物膜中铟的原子数目，ln21为第二金属氧化物膜中镧系元素的原子数目。
49.结合图2可知，第二金属氧化物膜中sn1/(sn1+in21+ln21)为0.1时，第二金属氧化物膜蚀刻后出现大量的残留；结合图3可知，第二金属氧化物膜中sn1/(sn1+in21+ln21)为0.05时，第二金属氧化物膜蚀刻后出现轻微的残留。
50.在上金属氧化物层1042中，上金属氧化物层1042还包括锌的氧化物zno，锌的原子数目为zn2，0.01≤zn2/(sn+in2+ln2+zn2)≤0.2。zn2/(sn+in2+ln2+zn2)大于0.2，会对上金属氧化物层1042中主要成分铟的氧化物形成多晶相造成不利影响。氧化锌为稳定的四面体结构，zn2/(sn+in2+ln2+zn2)小于0.01，不利于上金属氧化物层1042保持稳定性。
51.可以理解的是，0.015≤zn2/(sn+in2+ln2+zn2)≤0.1，或者，0.02≤zn2/(sn+in2+ln2+zn2)≤0.06，或者，0.03≤zn2/(sn+in2+ln2+zn2)≤0.05。例如，zn2/(sn+in2+ln2+
zn2)为0.01、0.02、0.04、0.05或者0.08。
52.上金属氧化物层1042的厚度大于或等于100埃且小于或等于200埃。上金属氧化物层1042的厚度小于100埃，上金属氧化物层1042的制备难度较大而难以实现量产。上金属氧化物层1042的厚度大于200埃，上金属氧化物层1042容易具有导体特性。例如，上金属氧化物层1042的厚度为100埃、120埃、150埃、160埃、180埃或者200埃。
53.在本实施例中，在下金属氧化物层1041中，0.5≤in1/(in1+ln1)≤0.9。in1/(in1+ln1)大于0.9，不利于下金属氧化物层1041形成非晶相。下金属氧化物层1041小于0.5，不利于保证下金属氧化物层1041具有高迁移率。
54.可以理解的是，下金属氧化物层1041中，0.5≤in1/(in1+ln1)≤0.8，或者，0.55≤in1/(in1+ln1)≤0.75，或者，0.6≤in1/(in1+ln1)≤0.7，或者，0.65≤in1/(in1+ln1)≤0.7。例如，in1/(in1+ln1)为0.52、0.55、0.58、0.6、0.62、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85或者0.9。
55.在下金属氧化物层1041中，0.01≤ln1/(in1+ln1)≤0.5。ln1/(in1+ln1)大于0.5，镧系元素过多，会对下金属氧化物层1041的迁移率造成不利影响。ln1/(in1+ln1)小于0.01，镧系元素过少，不利于提高下金属氧化物层1041的光稳定性。
56.可以理解的是，0.02≤ln1/(in1+ln1)≤0.2，或者，0.04≤ln1/(in1+ln1)≤0.16，0.08≤ln1/(in1+ln1)≤0.12。例如，ln1/(in1+ln1)为0.01、0.03、0.05、0.07、0.09、0.1、0.12、0.14或者0.16。
57.在下金属氧化物层1041中，下金属氧化物层1041包括锌的氧化物zno，锌的原子数目为zn1，0.05≤zn1/(in1+ln1+zn1)≤0.5。zn1/(in1+ln1+zn1)大于0.5，会对下金属氧化物层1041的迁移率造成不利影响。氧化锌为稳定的四面体结构，有利于下金属氧化物层1041形成稳定的非晶相，zn1/(in1+ln1+zn1)小于0.05，不利于保证下金属氧化物层1041形成稳定的非晶相。
58.可以理解的是，0.08≤zn1/(in1+ln1+zn1)≤0.4，或者，0.12≤zn1/(in1+ln1+zn1)≤0.35，或者，0.14≤zn1/(in1+ln1+zn1)≤0.3，或者，0.2≤zn1/(in1+ln1+zn1)≤0.25。例如，zn1/(in1+ln1+zn1)为0.08、0.1、0.12、0.15、0.2、0.25、0.3或者0.45。
59.下金属氧化物层1041的厚度大于或等于100埃且小于或等于200埃。下金属氧化物层1041的厚度小于100埃，下金属氧化物层1041的制备难度较大而难以实现量产。下金属氧化物层1041的厚度大于200埃，下金属氧化物层1041容易具有导体特性，不利于下金属氧化物层1041作为有源层使用。例如，下金属氧化物层1041的厚度为100埃、120埃、150埃、160埃、180埃或者200埃。
60.下表1为薄膜晶体管的有源层分别为下金属氧化物层1-4以及氧化铟镓锌层时的迁移率，其中，in1为下金属氧化物层中铟的原子数目的占比，zn1为下金属氧化物层中锌的原子数目的占比，pr、la以及yb为下金属氧化物层中镧系元素的原子数目的占比，in为氧化铟镓锌层中铟的原子数目的占比，zn为氧化铟镓锌层中锌的原子数目的占比，ga为氧化铟镓锌层中镓的原子数目的占比。
61.表1有源层组成迁移率（cm2/vs）下金属氧化物层1in1:zn1:la=0.5:0.4:0.120
下金属氧化物层2in1:zn1:pr=0.9:0.05:0.0528下金属氧化物层3in1:zn1:yb=0.7:0.29:0.0135下金属氧化物层4in1:zn1:la=0.34:0.33:0.3315氧化铟镓锌层in:zn:ga=0.34:0.33:0.338结合表1可知，金属氧化物层的金属元素由铟、锌以及镧系元素组成时，薄膜晶体管的迁移率高达15cm2/vs-35cm2/vs，高于包括氧化铟镓锌层的薄膜晶体管的迁移率。而且，根据下金属氧化物层1-4对应的迁移率可知，铟的原子数目的占比太低且镧系元素的原子数目的占比太高，不利于提高薄膜晶体管的迁移率。
62.如图4-图7所示，图4为薄膜晶体管的有源层为表1中氧化铟镓锌层时在负栅偏压加光照(negative bias illumination stress，nbis)下的转移特性曲线，图5为薄膜晶体管的有源层为表1中氧化铟镓锌层时在正栅压应力(positive bias stress，pbs)下的转移特性曲线，图6为薄膜晶体管的有源层为表1中下金属氧化物层3时在负栅偏压加光照下的转移特性曲线，图7为薄膜晶体管的有源层为表1中下金属氧化物层3时在正栅压应力下的转移特性曲线。下表2为图4至图7中转移特性曲线的阈值电压偏移。
63.表2阈值电压偏移/v氧化铟镓锌层下金属氧化物层3nbis-1.71v-0.18vpbs+3.08v+1.4v结合表2可知，在光照加负栅压应力下，包括表1中下金属氧化物层3的薄膜晶体管的阈值电压的偏移值比包括表1中氧化铟镓锌层的薄膜晶体管的阈值电压的偏移值小。在正栅压应力下，包括下金属氧化物层3的薄膜晶体管的阈值电压的偏移值也比包括表1中氧化铟镓锌层的薄膜晶体管的阈值电压的偏移值小。因此，本技术显示面板的薄膜晶体管的下金属氧化物层具有更好的稳定性。
64.需要说明的是，当显示面板为有机发光二极管显示面板、量子点发光显示面板、微型发光二极管显示面板以及次毫米发光二极管显示面板时，显示面板包括阵列基板以及设置于阵列基板上的发光器件，阵列基板包括基板和设置于基板上的驱动电路层，驱动电路层包括多个上述薄膜晶体管，发光器件与至少一个上述薄膜晶体管连接。
65.其中，在本技术的显示面板为有机发光二极管显示面板的情况下，显示面板包括阵列基板、设置于阵列基板上的有机发光器件以及封装层。上述阵列基板包括上述薄膜晶体管，有机发光器件与至少一个上述薄膜晶体管连接。
66.其中，在本技术的显示面板为微型发光二极管显示面板或次毫米发光二极管显示面板的情况下，显示面板包括阵列基板、设置于阵列基板上的无机发光器件（微型发光二极管发光器件或次毫米发光二极管发光器件）以及封装层。阵列基板包括上述薄膜晶体管，无机发光器件与至少一个上述薄膜晶体管连接。
67.其中，在本技术的显示面板为量子点发光显示面板的情况下，显示面板包括阵列基板、设置于阵列基板上的蓝光发光器件以及量子点光转换层，或者，显示面板包括阵列基板、设置于阵列基板上的量子点发光层。阵列基板包括上述薄膜晶体管，蓝光发光器件或者量子点发光层与至少一个上述薄膜晶体管连接。
68.以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的
普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。