一种倒装车灯LED芯片电极结构及其生成方法与流程

一种倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法
技术领域
1.本发明涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法。


背景技术：

2.led(light emitting diode)即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。作为新型的发光器件，led具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，因此被称为最有潜力的新一代光源，在照明领域应用领域极为常见。随着经济的不断发展，汽车作为代步工具越加普及到各个家庭。近十多年来，led作为车灯照明的趋势越加显著，从工艺路线上看，车用照明的led芯片全部采用倒装芯片结构，主要是由于倒装芯片无需打线，缩小封装模组的体积，同时适合多种材质的封装基板。
3.在led半导体的生产过程中，需要二氧化硅使用覆盖电极，避免电极漏电，相关结构如下：
4.银镜反射层，用于反射光线，使光线朝正确的方向发射。
5.银镜保护层，覆盖在银镜反射层上方，用于保护银镜反射层，也作为led电极的一部分。
6.二氧化硅层，覆盖在银镜保护层上方。
7.现有技术中，需要在二氧化硅层在开孔，以使银镜保护层连接外部电源；为了在二氧化硅层上腐蚀出完整的电极开孔，通常会使用过量腐蚀的方法。但是造成了腐蚀液容易腐蚀穿透银镜保护层，腐蚀银镜反射层；银镜反射层在被腐蚀后反光效果明显下降，降低了led半导体的发光效率。故而如何提高银镜保护层的抗腐蚀性成为了本领域技术人员的难题。


技术实现要素：

8.本发明所要解决的技术问题是：提供一种倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法，其提高银镜保护层的抗腐蚀性，避免了银镜反射层被腐蚀。
9.为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：一种倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法，包括如下步骤：
10.s1：在led的银镜保护层本体上蒸镀cr；
11.s2：停止蒸镀cr；蒸镀pt；
12.s3：停止蒸镀pt，蒸镀cr；
13.s4：停止蒸镀cr，蒸镀pt；
14.s5：停止蒸镀pt，蒸镀au；
15.s6：停止蒸镀au，蒸镀ti；停止ti的蒸镀，得到所述倒装车灯led芯片电极结构。
16.本发明的有益效果在于：本发明提供的倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法中，cr抗腐蚀型优良，在腐蚀液过腐蚀二氧化硅时，cr尽可能地避免腐蚀液穿透cr，故而cr
避免其下方的银镜保护层本体被腐蚀。
17.设置两层cr提供银镜保护层本体的双层保护。
18.设置au的益处在于，二氧化硅的腐蚀液可能存在多种规格，au对某些规格腐蚀液的抗腐蚀性比cr更优良，故而设置au避免某些腐蚀液穿透cr。
19.最上层的ti提高银镜保护层本体与后续需要沉积的二氧化硅层的粘附性。
20.pt能保护其接触的金属层，延缓金属层老化速度。
21.故本发明提供的倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法所生成的倒装车灯led芯片电极结构提供对银镜反射层的多重保护，对二氧化硅腐蚀液的抗腐蚀性优良，抗老化性、可靠性优良。
附图说明
22.图1为本发明具体实施方式的一种倒装车灯led芯片电极结构的部分结构示意图；
23.标号说明：
24.1、第一cr层；2、第一alcu层；3、第一ti层；4、第二alcu层；5、第二ti层；6、第三alcu层；7、第三ti层；8、第二cr层；9、第一pt层；10、第三cr层；11、第二pt层；12、第一au层；13、第四ti层。
具体实施方式
25.为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
26.请参照图1，一种倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法，包括如下步骤：
27.s1：在led的银镜保护层本体上蒸镀cr；
28.s2：停止蒸镀cr；蒸镀pt；
29.s3：停止蒸镀pt，蒸镀cr；
30.s4：停止蒸镀cr，蒸镀pt；
31.s5：停止蒸镀pt，蒸镀au；
32.s6：停止蒸镀au，蒸镀ti；停止ti的蒸镀，得到所述倒装车灯led芯片电极结构。
33.由上描述可知，本发明的有益效果在于：本发明提供的倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法中，cr抗腐蚀型优良，在腐蚀液过腐蚀二氧化硅时，cr尽可能地避免腐蚀液穿透cr，故而cr避免其下方的银镜保护层本体被腐蚀。
34.设置两层cr提供银镜保护层本体的双层保护。
35.设置au的益处在于，二氧化硅的腐蚀液可能存在多种规格，au对某些规格腐蚀液的抗腐蚀性比cr更优良，故而设置au避免某些腐蚀液穿透cr。
36.最上层的ti提高银镜保护层本体与后续需要沉积的二氧化硅层的粘附性。
37.pt能保护其接触的金属层，延缓金属层老化速度。
38.故本发明提供的倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法所生成的倒装车灯led芯片电极结构提供对银镜反射层的多重保护，对二氧化硅腐蚀液的抗腐蚀性优良，抗老化性、可靠性优良。
39.进一步地，还包括s1前的s0.1、s0.2和s0.3；
40.所述s0.1：采用金属有机化学气相沉积方法及制备在蓝宝石衬底上依次生长氮化镓基的n层、量子阱层，以及p型半导体层；
41.所述s0.2：在p层上溅射银镜反射层；
42.所述s0.3：在银镜反射层上蒸镀银镜保护层本体。
43.由上描述可知，提供一种简单高效的银镜反射层生成方法。
44.进一步地，所述s0.3具体为：在银镜反射层上依次蒸镀第一cr层1、第一alcu层2、第一ti层3、第二alcu层4、第二ti层5、第三alcu层6和第三ti层7。
45.由上描述可知，提供一种简单高效的银镜保护层本体结构，以及生成方法。
46.进一步地，所述s0.2具体为：在p层上蒸镀ito层，所述ito层边沿距离p层10-18微米，在p层和ito层上溅射银镜反射层。
47.由上描述可知，所述ito层均匀流过p层的电流，避免电流集中在p层上的一点，提高所述倒装车灯led芯片的发光量。
48.进一步地，所述s6的“停止ti的蒸镀，得到所述倒装车灯led芯片电极结构”具体为停止ti的蒸镀，沉积二氧化硅层，并在二氧化硅层上开设用于电连接银镜保护层的p极开孔，得到所述倒装车灯led芯片电极结构。
49.由上描述可知，所述二氧化硅层并非所述倒装车灯led芯片上的所有二氧化硅层，所述二氧化硅层没有覆盖在n层上，故而所述二氧化硅层上没有开设n极开孔，上述设置提供了一种简单高效的二氧化硅层的生成方法。
50.进一步地，所述s6的“停止ti的蒸镀，沉积二氧化硅层”具体为：停止ti的蒸镀，得到led半成品，将led半成品置入沉积腔，设置沉积腔200-260度，沉积二氧化硅，同时以150-250sccm向沉积腔输入硅烷，同时以1000-1500sccm向沉积腔输入一氧化二氮；二氧化硅沉积厚度
51.由上描述可知，上述设置提供了一种简单高效的二氧化硅层的生成方法。
52.进一步地，所述倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法具体为：s1：在led的银镜保护层本体上以的镀率蒸镀cr；
53.s2：停止蒸镀cr；“以蒸镀cr；停止蒸镀cr”得到的第二cr层8，在第二cr层8上以蒸镀pt；
54.s3：停止蒸镀pt；“以蒸镀pt；停止蒸镀pt”得到的第一pt层9，在第一pt层9上以蒸镀cr；
55.s4：停止蒸镀cr；“以蒸镀cr；停止蒸镀cr”得到的第三cr层10，在第三cr层10以蒸镀pt；
56.s5：停止蒸镀pt；“以蒸镀pt；停止蒸镀pt”得到第二pt层11，在第二pt层11上以蒸镀au；
57.s6：停止蒸镀au；“以蒸镀au，停止蒸镀au”得到第一au层12，在第一au上以蒸镀ti；停止ti的蒸镀；“以蒸镀ti；停止ti的蒸镀”得到的第四ti层13；得到所述倒装车灯led芯片电极结构。
58.由上描述可知，上述设置提供一种第二cr层8、第一pt层9、第三cr层10、第二pt层11、第一au层12和第四ti层13生成工艺，以上述工艺参数生成上述金属层，使上述金属层更致密，粘附性优良，抗腐蚀性更优良。
59.进一步地，所述s0.3的第一cr层1的蒸镀工艺为：以的镀率蒸镀所述s0.3的第一alcu层2、第二alcu层4和第三alcu层6的蒸镀工艺均为：先以蒸镀随后以蒸镀最后以蒸镀
60.由上描述可知，上述第一alcu层2、第二alcu层4和第三alcu层6的蒸镀工艺使第一alcu层2、第二alcu层4和第三alcu层6结构更致密，与各金属层的粘附性更优良。alcu能增加银镜反射层对光线反射率。
61.进一步地，所述s0.3的第一ti层3、第二ti层5和第三ti层7的蒸镀工艺均为：先以蒸镀最后以蒸镀
62.由上描述可知，所述第一ti层3、第二ti层5和第三ti层7增加各金属层之间的粘附性，以上述工艺参数生成第一ti层3、第二ti层5和第三ti层7使其结构更稳定。
63.实施例一
64.请参照图1，一种倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法，包括如下步骤：
65.s0.1：采用金属有机化学气相沉积方法及制备在蓝宝石衬底上依次生长氮化镓基的n层、量子阱层，以及p层；
66.s0.11：采用光刻和等离子刻蚀的方式刻蚀p层和量子阱层(刻蚀深度)使n层裸露出。
67.s0.12：清洗采用光刻和等离子刻蚀产生的残留物质，充分保证n层裸露出的表面的清洁度。
68.具体为：将上述步骤生成结构放入清洗槽，鼓泡清洗120s后排放。加强对刻蚀槽内的浸润；
69.甩干机设定转速500r/min，冲水维持100s，中速离子水冲水下将孔状结构中的水进进行置换，甩离残留物；
70.甩干机设定转速2000r/min，并关闭冲水，打开吹气阀门，维持360s吹气，保证表面完全干燥。
71.s0.2：在p层上蒸镀ito层，所述ito层边沿距离p层10-18微米，在p层和ito层上溅射银镜反射层；
72.s0.3：在银镜反射层上蒸镀银镜保护层本体；“蒸镀银镜保护层本体”具体为：在银镜反射层上依次蒸镀第一cr层、第一alcu层、第一ti层、第二alcu层、第二ti层、第三alcu层和第三ti层；
73.所述第一cr层的蒸镀工艺为：以的镀率蒸镀所述第一alcu层、第二alcu层和第三alcu层的蒸镀工艺均为：先以蒸镀随后以蒸镀最后以蒸镀
74.75.所述第一ti层、第二ti层和第三ti层的蒸镀工艺均为：先以蒸镀最后以蒸镀
76.s1：在led的银镜保护层本体上以的镀率蒸镀cr；
77.s2：停止蒸镀cr；“以蒸镀cr；停止蒸镀cr”得到的第二cr层，在第二cr层上以蒸镀pt；
78.s3：停止蒸镀pt；“以蒸镀pt；停止蒸镀pt”得到的第一pt层，在第一pt层上以蒸镀cr；
79.s4：停止蒸镀cr；“以蒸镀cr；停止蒸镀cr”得到的第三cr层，在第三cr层以蒸镀pt；
80.s5：停止蒸镀pt；“以蒸镀pt；停止蒸镀pt”得到第二pt层，在第二pt层上以蒸镀au；
81.s6：停止蒸镀au；“以蒸镀au，停止蒸镀au”得到第一au层，在第一au上以蒸镀ti；停止ti的蒸镀；“以蒸镀ti；停止ti的蒸镀”得到的第四ti层；得到led半成品，将led半成品置入沉积腔，设置沉积腔200-260度，沉积二氧化硅，同时以150-250sccm向沉积腔输入硅烷，同时以1000-1500sccm向沉积腔输入一氧化二氮；二氧化硅沉积厚度得到所述倒装车灯led芯片电极结构。
82.实施例二
83.请参照图1，一种倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法，包括如下步骤：
84.s0.1：采用金属有机化学气相沉积方法及制备在蓝宝石衬底上依次生长氮化镓基的n层、量子阱层，以及p层；
85.s0.11：采用光刻和等离子刻蚀的方式刻蚀p层和量子阱层(刻蚀深度)使n层裸露出。
86.s0.12：清洗采用光刻和等离子刻蚀产生的残留物质，充分保证n层裸露出的表面的清洁度。
87.具体为：将上述步骤生成结构放入清洗槽，鼓泡清洗120s后排放。加强对刻蚀槽内的浸润；
88.甩干机设定转速500r/min，冲水维持100s，中速离子水冲水下将孔状结构中的水进进行置换，甩离残留物；
89.甩干机设定转速2000r/min，并关闭冲水，打开吹气阀门，维持360s吹气，保证表面完全干燥。
90.s0.2：在p层上蒸镀ito层，所述ito层边沿距离p层10-18微米，在p层和ito层上溅射银镜反射层；
91.s0.3：在银镜反射层上蒸镀银镜保护层本体；“蒸镀银镜保护层本体”具体为：在银镜反射层上依次蒸镀第一cr层、第一alcu层、第一ti层、第二alcu层、第二ti层、第三alcu层和第三ti层；
92.所述第一cr层的蒸镀工艺为：以的镀率蒸镀所述第一alcu层、第二alcu层和第三alcu层的蒸镀工艺均为：先以蒸镀随后以蒸镀最后以蒸镀
93.所述第一ti层、第二ti层和第三ti层的蒸镀工艺均为：先以蒸镀最后以蒸镀
94.s1：在led的银镜保护层本体上以的镀率蒸镀cr；
95.s2：停止蒸镀cr；“以蒸镀cr；停止蒸镀cr”得到的第二cr层，在第二cr层上以蒸镀pt；
96.s3：停止蒸镀pt；“以蒸镀pt；停止蒸镀pt”得到的第一pt层，在第一pt层上以蒸镀cr；
97.s4：停止蒸镀cr；“以蒸镀cr；停止蒸镀cr”得到的第三cr层，在第三cr层以蒸镀pt；
98.s5：停止蒸镀pt；“以蒸镀pt；停止蒸镀pt”得到第二pt层，在第二pt层上以蒸镀au；
99.s6：停止蒸镀au；“以蒸镀au，停止蒸镀au”得到第一au层，在第一au上以蒸镀ti；停止ti的蒸镀；“以蒸镀ti；停止ti的蒸镀”得到的第四ti层；得到led半成品，将led半成品置入沉积腔，设置沉积腔230度，沉积二氧化硅，同时以200sccm向沉积腔输入硅烷，同时以1250sccm向沉积腔输入一氧化二氮；二氧化硅沉积厚度得到所述倒装车灯led芯片电极结构。
100.实施例三
101.请参照图1，一种倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法，包括如下步骤：
102.s0.1：采用金属有机化学气相沉积方法及制备在蓝宝石衬底上依次生长氮化镓基的n层、量子阱层，以及p层；
103.s0.2：在p层上蒸镀ito层，所述ito层边沿距离p层10-18微米，在p层和ito层上溅射银镜反射层；
104.s0.3：在银镜反射层上蒸镀银镜保护层本体；“蒸镀银镜保护层本体”具体为：在银镜反射层上依次蒸镀第一cr层、第一alcu层、第一ti层、第二alcu层、第二ti层、第三alcu层和第三ti层；
105.所述第一cr层的蒸镀工艺为：以的镀率蒸镀所述第一alcu层、第二alcu层和第三alcu层的蒸镀工艺均为：先以蒸镀随后以蒸镀最后以蒸镀
106.所述第一ti层、第二ti层和第三ti层的蒸镀工艺均为：先以蒸镀最后以蒸镀
107.s1：在led的银镜保护层本体上以的镀率蒸镀cr；
108.s2：停止蒸镀cr；“以蒸镀cr；停止蒸镀cr”得到的第二cr层，在第二cr层上以蒸镀pt；
109.s3：停止蒸镀pt；“以蒸镀pt；停止蒸镀pt”得到的第一pt层，在第一pt层上以蒸镀cr；
110.s4：停止蒸镀cr；“以蒸镀cr；停止蒸镀cr”得到的第三cr层，在第三cr层以蒸镀pt；
111.s5：停止蒸镀pt；“以蒸镀pt；停止蒸镀pt”得到第二pt层，在第二pt层上以蒸镀au；
112.s6：停止蒸镀au；“以蒸镀au，停止蒸镀au”得到第一au层，在第一au上以蒸镀ti；停止ti的蒸镀；“以蒸镀ti；停止ti的蒸镀”得到的第四ti层；得到所述倒装车灯led芯片电极结构。
113.实施例四
114.请参照图1，一种倒装车灯led芯片电极结构及其生成方法，包括如下步骤：
115.s1：在led的银镜保护层本体上以的镀率蒸镀cr；
116.s2：停止蒸镀cr；“以蒸镀cr；停止蒸镀cr”得到的第二cr层，在第二cr层上以蒸镀pt；
117.s3：停止蒸镀pt；“以蒸镀pt；停止蒸镀pt”得到的第一pt层，在第一pt层上以蒸镀cr；
118.s4：停止蒸镀cr；“以蒸镀cr；停止蒸镀cr”得到的第三cr层，在第三cr层以蒸镀pt；
119.s5：停止蒸镀pt；“以蒸镀pt；停止蒸镀pt”得到第二pt层，在第二pt层上以蒸镀au；
120.s6：停止蒸镀au；“以蒸镀au，停止蒸镀au”得到第一au层，在第一au上以蒸镀ti；停止ti的蒸镀；“以蒸镀ti；停止ti的蒸镀”得到的第四ti层；得到所述倒装车灯led芯片电极结构。
121.以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。