显示面板以及显示装置的制作方法

本发明涉及显示装置，特别是涉及一种显示面板以及显示装置。

背景技术：

1、当前微型发光二极管(mled，micro light emitting diode)技术已经成为未来显示市场发展的一大热点。无论是mled直显还是背光产品，am(active matrix，有源矩阵)驱动方式无疑是以后的发展方向，一般am驱动方式有ic(integrated circuit，集成电路)驱动和tft(thin film transistor，薄膜晶体管)驱动等驱动方式。然而，无论是ic驱动，还是tft驱动，都存在一定程度的漏电，即在关闭电路的时候仍然有电流流出，通常漏电电流流过外延发光层，led就会发光，进而导致显示面板在0灰阶下出现弱亮。

技术实现思路

1、本发明实施例的目的在于提供一种显示面板以及显示装置，以改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题，进而提高显示面板的品质。具体技术方案如下：

2、本技术第一方面的实施例提出了一种显示面板，所述显示面板包括基板以及设置于所述基板的led芯片、第一电极、第二电极、驱动电路和分流电阻；所述led芯片包括p型电极和n型电极，所述p型电极与所述第一电极连接，所述n型电极与所述第二电极连接；所述驱动电路包括第一电流端和第二电流端，所述第一电流端与所述第一电极连接，所述第二电流端与所述第二电极连接，所述驱动电路用以驱动所述led芯片发光；所述分流电阻与所述led芯片并联在所述第一电流端和所述第二电流端之间，所述分流电阻配置为在0灰阶下，使得流过所述led芯片的电流小于所述led芯片的起亮电流。

3、根据本技术的显示面板，其包括基板以及设置于所述基板的led芯片、第一电极、第二电极、驱动电路和分流电阻。驱动电路驱动led芯片发光，led芯片包括p型电极和n型电极，p型电极与第一电极连接，n型电极与第二电极连接，驱动电路包括第一电流端和第二电流端，第一电流端与第一电极连接，第二电流端与第二电极连接，分流电阻与led芯片并联在第一电流端和第二电流端之间，分流电阻配置为在0灰阶下，使得流过led芯片的电流小于led芯片的起亮电流。在led芯片的两端并联一个分流电阻，在0灰阶下，若驱动电路发生漏电产生漏电电流，原本应全部流过led芯片的漏电电流被分流电阻分流，部分漏电电流流过分流电阻，剩余漏电电流流过led芯片，从而减小了流过led芯片的电流，通过合理设置分流电阻的阻值，可以实现在0灰阶下，流过所述led芯片的电流小于所述led芯片的起亮电流，此时led芯片不起亮，从而改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题，进而提高显示面板的品质。

4、另外，根据本技术实施例的显示面板，还可具有如下技术特征：

5、在本技术的一些实施例中，所述led芯片具有等效电阻，所述分流电阻的阻值与在0灰阶下，所述驱动电路的第一电流端输出的电流流过所述led芯片时所述led芯片的等效电阻的电阻值相等。

6、在本技术的一些实施例中，所述基板上设有连接单元，所述连接单元包括第一连接部、第二连接部、第三连接部和第四连接部；

7、一个所述led芯片对应一个所述连接单元，所述第一连接部用以连接所述第一电极和所述led芯片的p型电极；所述第二连接部用以连接所述第二电极和所述led芯片的n型电极；所述第三连接部用以连接所述第一电流端和所述分流电阻的一端；所述第四连接部用以连接所述第二电流端和所述分流电阻的另一端。

8、在本技术的一些实施例中，所述基板包括基底，以及沿远离所述基底的方向依次设置的第一缓冲层、金属走线层、第一层组和第二层组；

9、所述金属走线层包括间隔设置的第一金属走线和第二金属走线，所述第一金属走线为第一电流端，所述第二金属走线为第二电流端；

10、所述第一电极和所述第二电极均位于所述第一层组和所述第二层组之间，所述第一电极与所述第二电极间隔分布；

11、所述led芯片位于所述第二层组远离所述基底的一侧；

12、所述第一层组上间隔开设有贯穿所述第一层组的第一过孔和第二过孔，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一金属走线连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二金属走线连接；

13、所述第二层组上间隔开设有贯穿所述第二层组的第三过孔和第四过孔，所述第一连接部设置在所述第三过孔内，所述第一连接部连接所述第一电极和所述led芯片的p型电极，所述第二连接部设置在所述第四过孔内，所述第二连接部连接所述第二电极和所述led芯片的n型电极。

14、在本技术的一些实施例中，所述分流电阻位于所述第二层组远离所述基底的一侧；

15、所述第一层组和第二层组上开设有贯穿所述第一层组和第二层组的第五过孔和第六过孔，第三连接部设置在所述第五过孔内，所述第三连接部连接所述第一金属走线和所述分流电阻的一端，所述第四连接部设置在所述第六过孔内，所述第四连接部连接所述第二金属走线和所述分流电阻的另一端。

16、在本技术的一些实施例中，所述分流电阻位于所述第一缓冲层和所述第一钝化层之间；

17、所述第一层组上间隔开设有贯穿所述第一层组的第七过孔和第八过孔，所述第一钝化层上间隔开设有贯穿所述第一钝化层的第九过孔和第十过孔，所述第三连接部的至少部分设置在所述第九过孔内并与所述分流电阻的一端连接，所述第四连接部的至少部分设置在所述第十过孔内并与所述分流电阻的另一端连接，所述第一电极通过所述第七过孔与所述第三连接部连接，所述第二电极通过所述第八过孔与所述第四连接部连接。

18、在本技术的一些实施例中，所述驱动电路包括ic驱动、第一供电走线、第二供电走线、接地走线和数据线，所述第一金属走线与所述第一供电走线连接，所述ic驱动与所述第二金属走线、所述第二供电走线、所述接地走线以及所述数据线电连接。

19、在本技术的一些实施例中，一个所述ic驱动对应一个所述led芯片；

20、所述第一层组和第二层组上开设有贯穿所述第一层组和第二层组的第十一过孔，所述第十一过孔内均设置有第五连接部，所述第五连接部连接所述第二金属走线和所述ic驱动。

21、在本技术的一些实施例中，所述第二电流端包括多个第二子电流端，一个所述ic驱动对应多个所述led芯片，所述led芯片的数量与所述第二子电流端的数量相同；

22、所述第一层组和第二层组上开设有贯穿所述第一层组和所述第二层组的多个第十一过孔，每一个所述第十一过孔内均设置有第六连接部，一个所述第六连接部为一个所述第二子电流端，每一个所述第六连接部与所述第二金属走线连接，所有所述第六连接部与所述ic驱动连接。

23、在本技术的一些实施例中，所述基板包括基底，以及沿远离所述基底的方向依次设置的第一缓冲层、第三层组、第一层组和第二层组；

24、所述第一电极和第二电极均位于所述第一层组和所述第二层组之间，所述第一电极与所述第二电极间隔分布，所述第一电极作为所述第一电流端，所述第二电极作为所述第二电流端；

25、所述led芯片位于所述第二层组远离所述基底的一侧；

26、所述第二层组上开设有贯穿所述第二层组的第十二过孔和第十三过孔；

27、所述第一连接部设置在第十二过孔内，所述第一连接部连接所述第一电极和所述led芯片的p型电极；

28、所述第二连接部设置在所述第十三过孔内，所述第二连接部连接所述第二电极和所述led芯片的n型电极。

29、在本技术的一些实施例中，所述分流电阻位于所述第二层组远离所述基底的一侧；

30、所述第二层组上开设有贯穿所述第二层组的第十四过孔和第十五过孔；

31、所述第三连接部设置在所述第十四过孔内，所述第三连接部连接第一电极和所述分流电阻的一端；

32、所述第四连接部设置在所述第十五过孔内，所述第四连接部连接第二电极和所述分流电阻的另一端。

33、在本技术的一些实施例中，所述分流电阻位于所述第一缓冲层和所述第三层组之间；

34、所述第一层组上间隔开设有贯穿所述第一层组的第十六过孔和第十七过孔，所述第三层组上间隔开设有贯穿所述第三层组的第十八过孔和第十九过孔；

35、所述第三连接部设置在所述第十八过孔内，所述第四连接部设置在所述第十九过孔内；

36、所述第一电极通过所述第十六过孔与所述第三连接部连接，所述第二电极通过所述第十七过孔与所述第四连接部连接；

37、所述第三连接部还与所述分流电阻的一端连接，所述第四连接部还与所述分流电阻的另一端。

38、在本技术的一些实施例中，所述驱动电路包括像素电路、vdd走线和vss走线，一个所述led芯片对应一个所述像素电路，所述像素电路包括输入端和输出端，所述vdd走线与所述像素电路的输入端连接，所述第一电极与所述像素电路的输出端连接，所述第二电极与所述vss走线连接。

39、在本技术的一些实施例中，所述分流电阻为n型掺杂半导体，n型掺杂半导体包括氮族元素和氧族元素中的任意一种及a-si。

40、在本技术的一些实施例中，所述分流电阻为n型掺杂半导体，n型掺杂半导体包括氮族元素和氧族元素中的任意一种及p-si；

41、或者，所述分流电阻为p型掺杂半导体，p型掺杂半导体包括碱土元素和磞族元素中的任意一种及p-si。

42、在本技术的一些实施例中，所述分流电阻为正温度系数热敏电阻。

43、在本技术的一些实施例中，所述显示面板还包括突跳式温控开关，所述突跳式温控开关的一端与所述分流电阻的一端连接，所述突跳式温控开关的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的一者连接，所述分流电阻的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的另一者连接，所述突跳式温控开关配置为在预设温度下断开。

44、在本技术的一些实施例中，所述预设温度在0灰阶时所述显示面板的温度与5灰阶时所述显示面板的温度之间。

45、在本技术的一些实施例中，所述显示面板还包括光控开关，所述光控开关的一端与所述分流电阻的一端连接，所述光控开关的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的一者连接，所述分流电阻的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的另一者连接，所述光控开关配置为在预设光照强度下断开。

46、在本技术的一些实施例中，所述预设光照强度为0.5nit。

47、在本技术的一些实施例中，所述led芯片还包括：

48、衬底；

49、第一半导体层，所述第一半导体层位于所述衬底上；

50、发光层，所述发光层位于所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧；

51、第二半导体层，所述第二半导体层位于所述发光层的远离所述衬底的一侧；

52、dbr层，所述dbr层位于所述第二半导体层上，所述dbr层外延至所述衬底，且所述dbr层覆盖所述第一半导体层和所述发光层，所述dbr层包括层叠设置的二氧化硅层和二氧化钛层，所述dbr层的最远离所述衬底的一层为二氧化钛层，

53、所述p型电极和n型电极间隔设置在所述dbr层的背离所述衬底的一侧，所述p型电极通过第二十过孔与所述第二半导体层连接，所述n型电极通过第二十一过孔与所述第一半导体层连接，所述第二十过孔和第二十一过孔间隔开设在所述dbr层；

54、所述p型电极和n型电极的沿平行于所述衬底的方向上且相互靠近的两个面之间形成电测间隔，所述电测间隔的数值范围为所述led芯片长度的33％～66％。

55、本技术第二方面的实施例提出了一种显示装置，包括第一方面实施例中的显示面板。

56、根据本技术实施例的显示装置，其包括显示面板，显示面板包括基板以及设置于所述基板的led芯片、第一电极、第二电极、驱动电路和分流电阻。通过在led芯片的两端并联一个分流电阻，原本应全部流过led芯片的漏电电流被分流电阻分流，部分漏电电流流过分流电阻，剩余漏电电流流过led芯片，从而减小了流过led芯片的电流，通过合理设置分流电阻的阻值，可以实现在0灰阶下，流过所述led芯片的电流小于所述led芯片的起亮电流，从而改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题，提高显示面板的品质，进而提高显示装置的品质。

57、当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。