烧结钕铁硼永磁体及其制备方法与流程

文档序号:33479960发布日期:2023-03-15 11:50阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种烧结钕铁硼永磁体的制备方法,其特征在于,所述烧结钕铁硼永磁体的制备方法包括以下步骤:获取钕铁硼氢破粉和镨铝铜氢破粉;在无氧条件下,对所述钕铁硼氢破粉和所述镨铝铜氢破粉进行气流磨处理,得到气流磨粉料;在氧含量≤500ppm的条件下,使所述气流磨粉料依次进行压制定型和等静压处理,得到钕铁硼生坯;对所述钕铁硼生坯依次进行真空烧结和回火处理,得到所述烧结钕铁硼永磁体。2.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼永磁体的制备方法,其特征在于,所述钕铁硼氢破粉的原料包括以下重量百分比的组分:pr-nd或nd:28.5%~30.5%、b:0.85%~0.95%、cu:0.01%~0.1%、ga:0.05%~0.15%、co:0.1%~0.5%、zr:0.1%~0.3%、余量为fe。3.根据权利要求1或2所述的烧结钕铁硼永磁体的制备方法,其特征在于,所述镨铝铜氢破粉采用以下方法制得:将镨单质、铝单质和铜单质进行第一熔炼速凝甩带处理,得到镨铝铜合金甩带片;将所述镨铝铜合金甩带片进行第一氢破处理,得到所述镨铝铜氢破粉;所述钕铁硼氢破粉采用以下方法制得:将钕铁硼磁体原料进行第二熔炼速凝甩带处理,得到钕铁硼甩带片;将所述钕铁硼甩带片经过第二氢破处理,得到所述钕铁硼氢破粉;优选地,所述镨单质、所述铝单质和所述铜单质的原子百分比为:pr:60~80%、al:10~20%、cu:10~20%;优选地,所述钕铁硼甩带片和所述镨铝铜合金甩带片的预设平均厚度为3
±
0.5mm。4.根据权利要求3所述的烧结钕铁硼永磁体的制备方法,其特征在于,所述第一氢破处理过程和所述第二氢破处理过程中,吸氢压力分别独立地选自0.08~0.15mpa,脱氢的温度分别独立地选自540~590℃。5.根据权利要求1至4中任一项所述的烧结钕铁硼永磁体的制备方法,其特征在于,所述气流磨处理过程中,所述镨铝铜氢破粉的比例为1~10wt%。6.根据权利要求5所述的烧结钕铁硼永磁体的制备方法,其特征在于,所述气流磨处理过程中,气流磨的研磨气体压力为500~700kpa,气流磨的分级轮转速为3800~5000rpm。7.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼永磁体的制备方法,其特征在于,在进行所述压制定型过程之前,所述烧结钕铁硼永磁体的制备方法还包括:对所述气流磨粉料进行预取向,然后使经所述预取向过程后得到的气流磨粉料与第一润滑剂混合后进行所述压制定型过程;优选地,所述预取向过程中采用的取向装置由电磁感应线圈制成,施加的取向磁场为0.8~1.5t。8.根据权利要求1至4中任一项所述的烧结钕铁硼永磁体的制备方法,其特征在于,所述压制定型过程的磁场强度为1.5~5t,所述等静压处理过程的压力为150~300mpa;所述真空烧结过程的温度为980~1070℃,烧结时间为2-20h。9.根据权利要求8所述的烧结钕铁硼永磁体的制备方法,其特征在于,所述回火处理过程包括:第一回火过程和第二回火过程;优选地,所述第一回火过程的温度为780~920℃,
时间为2~5h;优选地,所述第二回火过程的温度为440~550℃,时间为2~8h。10.一种烧结钕铁硼永磁体,其特征在于,所述烧结钕铁硼永磁体采用权利要求1至9中任一项所述的烧结钕铁硼永磁体的制备方法制得。

技术总结
本发明提供了一种烧结钕铁硼永磁体及其制备方法,包括:获取钕铁硼氢破粉和镨铝铜氢破粉;在无氧条件下,对上述氢破粉进行气流磨处理,得到气流磨粉料;在氧含量≤500ppm下,使气流磨粉料进行压制定型和等静压处理,得到钕铁硼生坯;对钕铁硼生坯进行真空烧结和回火处理,得到烧结钕铁硼永磁体。在气流磨处理时加入镨铝铜氢破粉能制得有效提高晶界扩散效果的烧结钕铁硼永磁体。Pr能取代晶粒表面的Nd,形成了(Nd,Pr)2Fe


技术研发人员:赵宇 李欢 樊金奎 徐道兵 张钢 付开龙
受保护的技术使用者:杭州永磁集团振泽磁业有限公司
技术研发日:2022.11.17
技术公布日:2023/3/14
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