1.一种微型led器件制备方法，其中，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的微型led器件制备方法，其中，所述消光层包括第一消光部和绝缘部，在所述第一中间结构上设置消光层，并在所述消光层上开设多个接触孔以暴露出所述金属层包括：
3.根据权利要求2所述的微型led器件制备方法，其中，所述第一消光部包括黑色色阻，在暴露的第一半导体层上设置第一消光部包括：
4.根据权利要求2所述的微型led器件制备方法，其中，所述第一消光部的高度与所述第一半导体层上的金属层的高度齐平。
5.根据权利要求2所述的微型led器件制备方法，其中，所述绝缘部包括绝缘光阻层。
6.根据权利要求1所述的微型led器件制备方法，其中，所述消光层包括第二消光部，在所述第一中间结构上设置消光层，并在所述消光层上开设多个接触孔以暴露出所述金属层包括：
7.根据权利要求1所述的微型led器件制备方法，其中，通过所述金属块将所述微型led芯片阵列与驱动基板倒装键合，得到微型led器件包括：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的微型led器件制备方法，其中，在每个凸台的第二半导体层上并且在暴露的第一半导体层设置金属层包括：
9.一种微型led器件，其中，所述微型led器件包括微型led芯片阵列和驱动基板，
10.根据权利要求7所述的微型led器件，其中，所述消光层包括第一消光部和绝缘部，所述第一消光部设置在暴露的第一半导体层上，所述绝缘部设置在设有所述第一消光部的第一中间结构上，并且所述绝缘部上开设有多个接触孔以暴露出所述金属层。
11.根据权利要求7所述的微型led器件，其中，所述第一消光部的高度与所述第一半导体层上的金属层的高度齐平。
12.根据权利要求7所述的微型led器件，其中，所述绝缘部包括绝缘光阻层。
13.根据权利要求7所述的微型led器件，其中，所述消光层包括第二消光部，所述第二消光部设置在所述第一中间结构上，并且所述第二消光部上开设有多个接触孔以暴露出所述金属层。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的微型led器件，其中，所述微型led芯片阵列还包括电流扩展层，所述电流扩展层设置在在每个凸台的第二半导体层上和暴露的第一半导体层上，并且所述金属层设置在所述电流扩展层上。
15.一种显示装置，其中，所述显示装置包括权利要求9至14中任一项所述的微型led器件。