1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，沿所述沟槽的深度方向，所述沟槽包括主体部和凸出部，所述凸出部自所述主体部朝所述衬底凸出。
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述主体部的宽度大于所述凸出部的宽度。
5.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述沟槽内具有一个栅极，所述栅极包括位于所述凸出部的第一部分和位于所述主体部的第二部分，所述第一部分的外侧壁和所述凸出部的内侧壁之间的所述第一氧化层为栅氧化层，且所述第二部分的外侧壁和所述主体部的内侧壁之间的所述第一氧化层为场氧化层。
6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。
7.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述沟槽内具有两个相互电连通的栅极，其中一个栅极为上栅极，另一个栅极为下栅极，所述上栅极位于所述主体部，所述下栅极位于所述凸出部，所述下栅极的外侧壁与所述凸出部的内侧壁之间的所述第一氧化层为栅氧化层，所述上栅极的外侧壁和所述主体部的内侧壁之间的所述第一氧化层为场氧化层。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，在所述沟槽内，所述上栅极和所述下栅极之间的区域沿所述沟槽的宽度方向延伸后对应的区域为夹持区域，所述夹持区域内具有绝缘层，所述沟槽的宽度方向垂直于所述沟槽的深度方向。
9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述沟槽内具有多个栅极，所述多个栅极之间是电连通的，所述多个栅极沿所述沟槽的深度方向排布的，所述多个栅极中与所述沟槽的槽底距离最近的栅极的底面与所述沟槽的槽底之间具有第二氧化层，所述多个栅极中与所述沟槽的槽底距离最近的栅极的外侧壁与所述沟槽的内侧壁之间的第一氧化层为栅氧化层，其他每一栅极的外侧壁与所述沟槽的内侧壁之间的第一氧化层均为场氧化层。
10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，沿所述沟槽的槽底到所述沟槽的槽口的方向，所述多个栅极的宽度逐渐变小，所述宽度所在的方向垂直于所述沟槽的深度方向。
11.根据权利要求9或10所述的器件，其特征在于，在所述沟槽内，相邻两个栅极之间的区域沿所述沟槽的宽度方向的延伸后得到的区域内具有绝缘层，所述沟槽的宽度方向垂直于所述沟槽的深度方向。
12.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件还包括本体电极，所述本体电极位于所述外延层内且靠近所述外延层的外表面，至少一个元胞位于所述本体电极围合的区域内。
13.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件还包括本体电极和位于所述沟槽内且呈孤岛状的阱区，所述本体电极位于所述阱区内且靠近所述阱区的外表面，所述阱区的掺杂类型为所述第一类型。
14.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述栅极、所述第一漏极和所述第二漏极的电极均引出到所述器件的外表面。
15.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一漏极和所述第二漏极对称分布在所述沟槽的两侧。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的器件，其特征在于，所述半导体器件为无源极电极结构。
17.一种终端设备，其特征在于，包括半导体器件和控制器，所述半导体器件为如权利要求1至16任一项所述的半导体器件，所述控制器用于控制所述半导体器件的导通和/或关断。
18.一种充电设备，其特征在于，包括半导体器件和控制器，所述半导体器件为如权利要求1至16任一项所述的半导体器件，所述控制器用于控制所述半导体器件的导通和/或关断。