技术特征：
1.一种铁电半导体器件，其特征在于，包括衬底；位于所述衬底表面的栅极；位于所述栅极表面的质子存储层；位于所述质子存储层表面的漏极、源极；位于所述质子存储层表面且位于所述漏极和所述源极之间的铁电半导体沟道。2.根据权利要求1所述的铁电半导体器件，其特征在于，所述铁电半导体沟道具体为二维铁电半导体沟道，所述质子存储层具体为多孔氧化硅层。3.根据权利要求1所述的铁电半导体器件，其特征在于，所述源极连接外部直流电压源的负极，所述栅极连接外部直流电压源的正极，形成外电路。4.一种铁电半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的漏极、源极；位于所述衬底表面且位于所述漏极和所述源极之间的铁电半导体沟道；位于所述铁电半导体沟道表面的质子存储层；位于所述质子存储层表面的栅极。5.根据权利要求4所述的铁电半导体器件，其特征在于，所述铁电半导体沟道具体为二维铁电半导体沟道，所述质子存储层具体为多孔氧化硅层。6.根据权利要求4所述的铁电半导体器件，其特征在于，所述源极连接外部直流电压源的负极，所述栅极连接外部直流电压源的正极，形成外电路。7.一种铁电半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面形成栅极；在所述栅极表面形成质子存储层；在所述质子存储层表面形成漏极、源极和位于所述漏极和所述源极之间的铁电半导体沟道。8.一种铁电半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面形成漏极、源极和位于所述漏极和所述源极之间的铁电半导体沟道；在所述铁电半导体沟道表面形成质子存储层；在所述质子存储层表面形成栅极。9.一种基于如权利要求1或4所述的铁电半导体器件实现多铁电相的方法，其特征在于，包括以下步骤：对所述栅极施加正电压，使得带正电的质子从质子存储层注入到所述铁电半导体沟道中，带正电的质子对所述铁电半导体沟道进行质子化，从而产生多个新的铁电相，同时将带负电的电子注入到所述铁电半导体沟道中，从而改变铁电半导体的导电性。10.根据权利要求9所述的实现多铁电相的方法，其特征在于，随着向栅极施加电压的增大，当所述铁电半导体器件具体为n型时，则导电性变大，当所述铁电半导体器件具体为p型时，则导电性变小。
技术总结
本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种铁电半导体器件、制备方法以及实现多铁电相的方法，通过对栅极施加正电压，使得带正电的质子从质子存储层注入到铁电半导体沟道中，带正电的质子对铁电半导体沟道中的铁电半导体材料进行质子化，从而产生多个新的铁电相，同时将带负电的电子注入到所述铁电半导体沟道中，从而改变铁电半导体的导电性。本发明将质子注入到铁电材料中，诱导材料发生相变，从而产生多个铁电相，从而提高信息存储容量。从而提高信息存储容量。从而提高信息存储容量。
技术研发人员：薛飞 何鑫 汪华
受保护的技术使用者：浙江大学杭州国际科创中心
技术研发日：2022.12.05
技术公布日：2022/12/30