一种晶圆键合方法及系统与流程

1.本技术涉及半导体领域，特别是涉及一种晶圆键合方法及系统。


背景技术：

2.在半导体器件的键合工艺中，芯片一般经过临时键合、减薄、切割、清洗等工序后通过c2w键合机台与晶圆键合。在c2w键合机台中一般会经过取芯片、对准和键合实现整个工艺过程。在键合工艺中，芯片和晶圆之间的距离对键合精度和质量至关重要，因此在键合前，维持键合基体之间距离的稳定对工艺过程的稳定至关重要。
3.为了解决这个问题，现有技术通过量测不同芯片的厚度差异，反馈到键合过程中芯片和晶圆之间的距离，从而保证键合前芯片和晶圆之间的距离稳定，但是这些方法都需要增加额外的组件从而增加机台的成本，不利于实现利益最大化。


技术实现要素：

4.本技术主要解决的技术问题是提供一种晶圆键合方法及系统，可以利用现有的数据识别组件，稳定键合前两个键合表面之间的距离，提高键合质量。
5.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种晶圆键合方法，该方法包括：将第一键合基体设置于第一承载件上，将第二键合基体设置于第二承载件上，所述第一键合基体具有第一键合表面，所述第二键合基体具有第二键合表面，且所述第一键合表面和所述第二键合表面相对设置；将所述第一键合基体与所述第二键合基体在第一方向上对位后，获得所述第一键合基体和/或所述第二键合基体在与所述第一方向垂直的第二方向上的第一位置信息；基于所述第一位置信息调整所述第一键合基体和/或所述第二键合基体在所述第二方向上的位置，以使得所述第一键合基体与所述第二键合基体在所述第二方向上的距离为预设值；使所述第一键合基体与所述第二键合基体键合。
6.进一步的，所述第一位置信息包括所述第一键合表面的第一相对距离差值和/或所述第二键合表面的第二相对距离差值；其中，所述第一相对距离差值为所述第二方向上所述第一键合表面与所述第二承载件之间的第一相对距离与第一初始相对距离的差值；所述第二相对距离差值为所述第二方向上所述第二键合表面与所述第一承载件之间的第二相对距离与第二初始相对距离的差值。
7.进一步的，利用视觉识别组件获得所述第一相对距离和/或所述第二相对距离。
8.进一步的，所述基于所述第一位置信息调整所述第一键合基体和/或所述第二键合基体在所述第二方向上的位置步骤包括：通过调节所述第一承载件相对所述第二键合表面所述第二方向上的位置和/或调节第二承载件相对第一键合表面第二方向上的位置，将所述第一相对距离差值和/或所述第二相对距离差值分别补偿到所述第一承载件与所述第二键合表面的距离、所述第二承载件与所述第一键合表面的距离。
9.进一步的，所述将所述第一相对距离差值和/或所述第二相对距离差值分别补偿到所述第一承载件与所述第二键合表面的距离、第二承载件与第一键合表面的距离步骤包
括：当所述第一相对距离差值和/或所述第二相对距离差值不小于0时，将所述第一承载件和/或所述第二承载件向所述第一承载件与所述第二承载件相互靠近的方向移动所述第一相对距离差值的绝对值和/或所述第二相对距离差值的绝对值；和/或，当所述第一相对距离差值和/或所述第二相对距离差值小于0时，将所述第一承载件和/或所述第二承载件向所述第一承载件与所述第二承载件相互远离的方向移动所述第一相对距离差值的绝对值和/或所述第二相对距离差值的绝对值。
10.进一步的，所述第一键合基体为至少两个，所述第二键合基体至少具有两个不同厚度的键合区域；将所述至少两个第一键合基体分别键合至所述第二键合基体的至少两个不同厚度的键合区域时，将前一键合过程造成的所述第一相对距离差值和/或所述第二相对距离差值补偿至下一键合过程。
11.进一步的，所述预设值为5-30um。
12.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种晶圆键合系统，用以实现上述晶圆键合方法，该系统包括：第一承载件和第二承载件，所述第一承载件面向所述第二承载件一侧用于承载第一键合基体，所述第二承载件面向所述第一承载件一侧用于承载第二键合基体，所述第一键合基体具有第一键合表面，所述第二键合基体具有第二键合表面，且所述第一键合表面和所述第二键合表面相对设置；数据获取组件，用于在所述第一键合基体与所述第二键合基体在第一方向上对位后获得所述第一键合基体和/或所述第二键合基体在与第一方向垂直的第二方向上的第一位置信息；驱动组件，用于基于所述第一位置信息调整所述第一承载件和/或所述第二承载件在所述第二方向上的位置，以使所述第一键合基体与第二键合基体在所述第二方向上的距离为预设值；键合组件，用于使所述第一键合基体和所述第二键合基体键合。
13.进一步的，所述第一位置信息包括所述第一键合表面的第一相对距离差值和/或所述第二键合表面的第二相对距离差值；其中，所述第一相对距离差值为所述第二方向上所述第一键合表面与所述第二承载件之间的第一相对距离与第一初始相对距离的差值；所述第二相对距离差值为所述第二方向上所述第二键合表面与所述第一承载件之间的第二相对距离与第二初始相对距离的差值。
14.进一步的，所述驱动组件还用于通过调节所述第一承载件相对所述第二键合表面在所述第二方向上的位置和/或调节第二承载件相对第一键合表面在所述第二方向上的位置，将所述第一相对距离差值和/或所述第二相对距离差值分别补偿到所述第一承载件与所述第二键合表面的距离、第二承载件与第一键合表面的距离。
15.区别于现有技术的情况，本技术的有益效果是：该晶圆键合方法包括：将第一键合基体设置于第一承载件上，将第二键合基体设置于第二承载件上，第一键合基体具有第一键合表面，第二键合基体具有第二键合表面，且第一键合表面和第二键合表面相对设置；将第一键合基体与第二键合基体在第一方向上对位后，获得第一键合基体和/或第二键合基体在与第一方向垂直的第二方向上的第一位置信息；基于第一位置信息调整第一键合基体和/或第二键合基体在第二方向上的位置，以使得第一键合基体与第二键合基体在第二方向上的距离为预设值；使第一键合基体与第二键合基体键合。通过上述方式，可以利用现有的数据获取组件在实现键合位置对准同时实现对两个键合基体键合面之间距离的调控，使两个键合基体的键合面在键合前距离恒定，保证互相键合的键合基体之间有最佳键合距
离，提高了键合精度和质量，无需额外增加组件，降低了设备成本。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
17.图1是本技术晶圆键合方法一实施方式的流程示意图；
18.图2是本技术晶圆键合方法一实施方式的结构示意图；
19.图3是本技术晶圆键合方法另一实施方式的结构示意图；
20.图4是本技术晶圆键合系统一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
21.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
22.请参考图1-2，图1为本技术晶圆键合方法一实施方式的流程示意图，图2为本技术晶圆键合方法一实施方式的结构示意图，该晶圆键合方法可以包括以下步骤s101-s104。
23.s101：将第一键合基体1设置于第一承载件41上，将第二键合基体2设置于第二承载件42上，第一键合基体1具有第一键合表面a1，第二键合基体2具有第二键合表面a2，且第一键合表面a1和第二键合表面a2相对设置。
24.第一承载件41面向第二承载件42一侧用于承载第一键合基体1，第二承载件42面向第一承载件41一侧用于承载第二键合基体2。在一实施例中，第一承载件41可以包括但不限于吸附件，用于吸附第一键合基体1背离第一键合表面的一侧表面，第二承载件42可以包括但不限于基台，第二键合基体2可以放置于基台靠近第二键合基体2的一侧表面上。
25.本技术一些实施例用于键合的第一键合基体1和第二键合基体2可以是本领域所熟知的任何基体。第一键合基体1和/或第二键合基体2可以包含但不限于应用于半导体的单晶、多晶或者非晶结构的硅材料。第一键合基体1可以与第二键合基体2的尺寸、厚度、材料或结构相同，也可以不同，优选的，第二键合基体2的尺寸可以远大于第一键合基体1的尺寸。本技术以下实施例中以第一键合基体1为芯片，第二键合基体2为晶圆为例进行说明。当然，在其他实施例中，第一键合基体1可以是芯片或晶圆，第二键合基体2可以是芯片或晶圆，具体不做限定。
26.s102：将第一键合基体1与第二键合基体2在第一方向d1上对位后，获得第一键合基体1和/或第二键合基体2在与第一方向d1垂直的第二方向d2上的第一位置信息。
27.在一实施例中，第一方向d1可以是水平方向，与第一方向d1垂直的第二方向d2可以是竖直方向，具体不做限定。第一键合基体1与第二键合基体2在第一方向d1上对位是指在第一方向d1上第一键合基体1与第二键合基体2满足键合对准要求。
28.第一位置信息包括第一键合表面a1的第一相对距离差值
△
n1(未图示)，和/或第
二键合表面a2的第二相对距离差值
△
n2(未图示)；其中，第一相对距离差值
△
n1为第二方向d2上第一键合表面a1与第二承载件42之间的第一相对距离n1与第一初始相对距离n01(未图示)的差值；第二相对距离差值
△
n2为第二方向d2上第二键合表面a2与第一承载件41之间的第二相对距离n2与第二初始相对距离n02(未图示)的差值。其中，第一初始相对距离n01为第一键合表面a1与第二键合表面a2在第二方向d2上的距离为预设值时第一键合基体1的第一键合表面a1与第二承载件42的第一相对距离；第二初始相对距离n02为第一键合表面a1与第二键合表面a2在第二方向d2上的距离为预设值时第二键合基体2的第二键合表面a2与第一承载件41的第二相对距离。如此，在每次键合前，可以根据第一相对距离差值和/或第二相对距离差值分别调节第一键合表面a1和第二键合表面a2在第二方向d2上的位置，使得每次键合时第一键合表面a1和第二键合表面a2之间的距离能够稳定在预设值，从而保证第一键合基体1和第二键合基体2键合强度的均一性。本技术一些实施例中，第一相对距离n1与第一初始相对距离n01以及第二相对距离n2与第二初始相对距离n02为同一个坐标系下各个用于距离测量的对应参考点保持相对统一。
29.在一实施例中，预设值可以为第一键合基体1与第二键合基体2最先键合的一组键合基体中第一键合表面a1与第二键合表面a2在第二方向d2上之间的距离；在另外的实施例中，预设值也可以为第一键合表面a1和第二键合表面a2在第二方向d2上处于最佳键合距离时的第一键合表面a1与第二键合表面a2之间的距离。优选的，该预设值可以为5-30um(例如5um、10um、15um、20um、25um以及30um等)，在该范围内，第一键合表面a1和第二键合表面a2之间的键合强度较高，此范围可以根据实际的第一键合基体1以及第二键合基体2的最佳键合距离来决定。
30.在一实施例中，可以利用视觉识别组件3获得第一相对距离n1和/或第二相对距离n2。可以将现有的视觉识别组件3复用为获取第二方向d2上第一键合表面a1和第二键合表面a2位置的数据获取组件，减少了外加数据获取组件所带来的设计成本和设备成本。当然，在其他的实施例中，也可以利用其他数据获取组件来获取第二方向d2上第一键合表面a1和第二键合表面a2的位置数据，例如，激光测距组件等。
31.请参考图2，视觉识别组件3可以包括识别第一键合表面a1的第一识别件31和/或识别第二键合表面a2的第二识别件32。第一识别件31位于第二键合基体2背离第一键合基体1一侧，第二识别件32位于第一键合基体1背离第二键合基体2一侧。利用视觉识别组件3的第一识别件31对第一键合表面a1第一对准标记m1进行聚焦可以获得第二方向d2上第一键合基体1的第一键合表面a1与第二承载件42的第一相对距离n1，根据第一相对距离n1与第一初始相对距离n01的差值获得第一键合表面a1的第一相对距离差值
△
n1，其中
△
n1＝n1-n01；和/或，利用视觉识别组件3的第二识别件32对第二键合表面a2第二对准标记m2进行聚焦获得第二方向d2上第二键合基体2的第二键合表面a2与第一承载件41的第二相对距离n2，根据第二相对距离n2与第二初始相对距离n02的差值获得第二键合表面a2的第二相对距离差值
△
n2，其中，
△
n2＝n2-n02。第一对准标记m1和第二对准标记m2为可以被视觉识别组件3识别的可视图形，可以为一根或多根线沟槽，用于标记第一键合基体1和第二键合基体2的位置和方向。
32.s103：基于第一位置信息调整第一键合基体1和/或第二键合基体2在第二方向d2上的位置，以使得第一键合基体1与第二键合基体2在第二方向d2上的距离为预设值。
33.在一实施例中，该步骤可以包括：通过调节第一承载件41相对第二键合表面a2第二方向d2上的位置和/或调节第二承载件42相对第一键合表面a1第二方向d2上的位置，将第一相对距离差值
△
n1和/或第二相对距离差值
△
n2分别补偿到第一承载件41与第二键合表面a2的距离、第二承载件42与第一键合表面a1的距离，以使第一键合表面a1与第二键合表面a2在第二方向上的距离为预设值。如此，在每次键合前，可以根据第一相对距离差值和/或第二相对距离差值分别调节第一键合表面a1和第二键合表面a2在第二方向d2上的位置，使得每次键合时第一键合表面a1和第二键合表面a2之间的距离能够稳定在预设值，从而保证第一键合基体1和第二键合基体2键合强度的均一性。
34.其中，将第一相对距离差值
△
n1和/或第二相对距离差值
△
n2分别补偿到第一承载件41与第二键合表面a2的距离、第二承载件42与第一键合表面a1的距离可以包括但不限于，当第一相对距离差值
△
n1和/或第二相对距离差值
△
n2不小于0时，将第一承载件41和/或第二承载件42向第一承载件41与第二承载件42相互靠近的方向移动第一相对距离差值
△
n1的绝对值和/或第二相对距离差值
△
n2的绝对值；和/或，当第一相对距离差值
△
n1和/或第二相对距离差值
△
n2小于0时，将第一承载件41和/或第二承载件42向第一承载件41与第二承载件42相互远离的方向移动第一相对距离差值
△
n1的绝对值和/或第二相对距离差值
△
n2的绝对值。如此当第一键合表面a1和第二键合表面a2之间在第二方向d2上的键合距离较远或较近时，可以通过调控第一键合基体1和/或第二键合基体2在第二方向d2上的位置将该键合距离缩小或扩大至预设值，减少键合距离的差异，提高键合强度的均一性。
35.例如，在一实施例中，当
△
n1≥0时，可以将第一承载件41向靠近第二承载件42的方向移动|
△
n1|距离；当
△
n1＜0时，可以将第一承载件41向远离第二承载件42的方向移动|
△
n1|距离；当
△
n2≥0时，可以将第二承载件42向靠近第一承载件41的方向移动|
△
n2|距离；当
△
n2＜0时，可以将第二承载件42向远离第一承载件41的方向移动|
△
n2|距离。
36.在其他实施例中，当
△
n1≥0且
△
n2≥0时，可以将第一承载件41向靠近第二承载件42的方向移动|
△
n1|距离、同时将第二承载件42向靠近第一承载件41的方向移动|
△
n2|距离；或者，可以将第一承载件41向远离第二承载件42的方向移动|
△
n1|距离、同时将第二承载件42向靠近第一承载件41的方向移动|
△
n2|+2|
△
n1|距离；或者，可以将第二承载件42向远离第一承载件41的方向移动|
△
n2|距离、同时第一承载件41向靠近第二承载件42的方向移动|
△
n1|+2|
△
n2|距离；当
△
n1≥0且
△
n2＜0时，可以将第一承载件41向靠近第二承载件42的方向移动|
△
n1|距离、同时将第二承载件42向远离第一承载件41的方向移动|
△
n2|距离；或者，可以将第一承载件41向远离第二承载件42的方向移动|
△
n1|距离、同时将第二承载件42向远离第一承载件41的方向移动||
△
n2|-2|
△
n1||距离；或者，可以将第二承载件42向靠近第一承载件41的方向移动|
△
n2|距离、同时将第一承载件41向远离第二承载件42的方向移动|2|
△
n2|-|
△
n1||距离。同样的，当
△
n1＜0且
△
n2≥0时、当
△
n1＜0且
△
n2＜0时可以以此类推。
37.至于将第一承载件41与第二承载件42向相互靠近还是向相互远离的方向移动，以及移动多少距离，可以根据需要进行设置。
38.对于通过调节第一承载件41相对第二键合表面a2第二方向d2上的位置和/或调节第二承载件42相对第一键合表面a1第二方向d2上的位置，将第一相对距离差值
△
n1和/或第二相对距离差值
△
n2分别补偿到第一承载件41与第二键合表面a2的距离、第二承载件42
与第一键合表面a1的距离实现方式可以有多种，以下对该步骤的多种实施方式进行具体的解释。
39.在一实施例中，可以通过调节第一承载件41相对第二键合表面a2第二方向d2上的位置将第一相对距离差值
△
n1补偿到第一承载件41与第二键合表面a2之间的距离以使第一键合表面a1与第二键合表面a2在第二方向上的距离为预设值。例如，将第一键合基体1键合至第二键合基体2之前，利用视觉识别组件3的第一识别件31获得第一键合基体1的第一键合表面a1与第二承载件42的第一相对距离n1，第一相对距离n1相对第一初始相对距离n01差值即第一相对距离差值
△
n1＝n1-n01，将第一承载件41相对第二键合表面a2第二方向d2上靠近或背离第二承载件42移动|
△
n1|距离，将第一相对距离差值
△
n1＝n1-n01补偿到第一承载件41与第二键合表面a2之间的距离以使第一键合表面a1与第二键合表面a2在第二方向上的距离为预设值。通过第一相对距离差值
△
n1，可以获得不同第一键合基体1之间的厚度差，如此可以在不增加额外的组件(例如，红外测距仪、压力传感器等)、增加设备成本的前提下，通过现有的数据获取组件将不同第一键合基体1之间的厚度差通过移动第一承载件41调节第一承载件41与第二键合表面a2之间的距离进行补偿，能够维持第一键合表面a1和第二键合表面a2之间的距离的稳定、提高第一键合基体1和第二键合基体2对准精度。
40.当然，在另一实施例中，也可以通过调节第二承载件42相对第一键合表面a1第二方向d2上的位置将第二相对距离差值
△
n2补偿到第二承载件42与第一键合表面a1的距离以使第一键合表面a1与第二键合表面a2在第二方向d2上的距离为预设值。例如，将第二键合基体2键合至第一键合基体1之前，利用视觉识别组件3的第二识别件32获得第二键合基体2的第二键合表面a2与第一承载件41的第二相对距离n2，第二键合基体2相对第二初始相对距离n02差值即第二相对距离差值
△
n2＝n2-n02，将第二承载件42相对第一键合表面a1第二方向d2上靠近或背离第一承载件41移动|
△
n2|距离，将第二相对距离差值
△
n2＝n2-n02补偿到第二承载件42与第一键合表面a1之间的距离以使第一键合表面a1与第二键合表面a2在第二方向d2上的距离为预设值。通过第二相对距离差值
△
n2，可以获得不同第二键合基体2之间的厚度差，如此可以在不增加额外的组件(例如，红外测距仪、压力传感器等)、增加设备成本的前提下，通过现有的数据获取组件将不同第二键合基体2之间的厚度差通过移动第二承载件42调节第二承载件42与第一键合表面a1之间的距离进行补偿，能够维持第一键合表面a1与第二键合表面a2之间的距离的稳定、提高第一键合基体1和第二键合基体2对准精度。
41.在其他实施例中，在第一键合基体1以及第二键合基体2的厚度均发生变化的情况下，通过调节第一承载件41相对第二键合表面a2第二方向d2上的位置以及调节第二承载件42相对第一键合表面a1第二方向d2上的位置将第一相对距离差值
△
n1和/或第二相对距离差值
△
n2分别补偿到第一承载件41与第二键合表面a2的距离、第二承载件42与第一键合表面a1的距离以使第一键合表面a1与第二键合表面a2在第二方向d2上的距离为预设值。
42.进一步的，第一键合基体1可以为至少两个，第二键合基体2可以至少具有两个不同厚度的键合区域；将至少两个第一键合基体1分别键合至第二键合基体2的至少两个不同厚度的键合区域时，将前一键合过程造成的第一相对距离差值和/或第二相对距离差值补偿至下一键合过程。如此可以在第二键合表面a2不平坦时，也能够保证键合前第一键合表
面a1与第二键合表面a2上的每一个键合区域之间的距离稳定在预设值，从而保证键合强度的均一性。
43.请参考图3，图3是本技术晶圆键合方法另一实施方式的结构示意图，将两个第一键合基体h、第一键合基体k依次分别键合至第二键合基体2的位置x与位置y时，利用视觉识别组件3的第一识别件31获得第一键合基体h的第一键合表面ah与第二承载件42的第一相对距离nh并根据第一相对距离nh相对第一初始相对距离n01的差值获得第一键合基体h的第一相对距离差值
△
h＝nh-n01；可以利用视觉识别组件3的第一识别件31获得第一键合基体k的第一键合表面ak与第二承载件42的第一相对距离nk并根据第一相对距离nk相对第一初始相对距离n01的差值获得第一键合基体k的第一相对距离差值
△
k＝nk-n01；可以利用视觉识别组件3的第二识别件32获得第二键合基体位置x的第一键合表面ax与第一承载件41的第二相对距离nx并根据第二相对距离nx相对第二初始相对距离n02的差值获得第二键合基体位置x的第二相对距离差值
△
x＝nx-n02，利用视觉识别组件3的第二识别件32获得第二键合基体位置y的第一键合表面ay与第一承载件41的第一相对距离ny并根据第二相对距离ny相对第二初始相对距离n02的差值获得第二键合基体位置y的第二相对距离差值
△
y＝ny-n02。假设，第一键合基体h键合到第二表面ax以及第二键合基体k键合到第二表面ay为相邻的两次键合过程，且
△
h＝nh-n01＜0；
△
x＝nx-n02＞0；
△
k＝nk-n01＞0；
△
y＝ny-n02＜0，则：
44.进行前一键合过程时，即将第一键合基体h键合至第二键合基体2的位置x时：可以将第一承载件41相对第二键合表面a2第二方向d2上远离第二承载件42移动|
△
nh|距离，同时，将第二承载件42相对第一键合表面a1第二方向d2上靠近第一承载件41移动|
△
nx|距离；
45.进行下一键合过程之前，即将第一键合基体k键合至第二键合基体2的位置y之前，需要将前一键合过程造成的第一相对距离差值和/或所述第二相对距离差值补偿至下一键合过程：可以将第一承载件41相对第二键合表面a2第二方向d2上靠近第二承载件42移动|
△
nh+|
△
nk|距离，同时，将第二承载件42相对第一键合表面a1第二方向d2上远离第一承载件41移动|
△
nx|+|
△
ny|距离。
46.s104：使第一键合基体1与第二键合基体2键合。可以直接键合，也可以对第一键合表面a1和/或第二键合表面a2进行表面处理后键合，也可以涂抹键合化学试剂来进行键合，根据实际工艺需要来进行选择。
47.通过上述步骤s101-s104，可以利用现有的数据获取组件在实现键合位置对准同时实现对两个键合基体键合面之间距离的调控，使两个键合基体的键合面在键合前距离恒定，保证互相键合的键合基体之间有最佳键合距离，提高了键合精度和质量，无需额外增加组件，降低了设备成本。如此，便可以精确控制第一键合基体和第二键合基体之间的键合距离，提高键合的稳定性。
48.本技术还提供了一种晶圆键合的系统，请参考图2-4，图4为本技术晶圆键合系统一实施方式的结构示意图，该系统包括：数据获取组件、第一承载件41和第二承载件42、驱动组件5以及键合组件6。
49.第一承载件41用于承载第一键合基体1，第二承载件42用于承载第二键合基体2，第一承载件41面向第二承载件42一侧用于承载第一键合基体1，第二承载件42面向第一承
载件41一侧用于承载第二键合基体2，第一键合基体1具有第一键合表面a1，第二键合基体2具有第二键合表面a2，且第一键合表面a1和第二键合表面a2相对设置。
50.数据获取组件，用于在第一键合基体1与第二键合基体2在第一方向d1上对位后获得第一键合基体1和/或第二键合基体2在与第一方向d1垂直的第二方向d2上的第一位置信息。在一实施例中，数据获取组件可以为视觉识别组件3。在一实施例中，第一位置信息可以包括第一键合表面a1的第一相对距离差值和/或第二键合表面a2的第二相对距离差值；其中，第一相对距离差值为第二方向d2上第一键合表面a1与第二承载件42之间的第一相对距离n1与第一初始相对距离n01的差值；第二相对距离差值为第二方向d2上第二键合表面a2与第一承载件41之间的第二相对距离n2与第二初始相对距离n02的差值。如此，在每次键合前，可以根据第一相对距离差值和/或第二相对距离差值分别调节第一键合表面a1和第二键合表面a2在第二方向d2上的位置，使得每次键合时第一键合表面a1和第二键合表面a2之间的距离能够稳定在预设值，从而保证第一键合基体1和第二键合基体2键合强度的均一性。
51.驱动组件5，用于基于第一位置信息调整第一承载件41和/或第二承载件42在第二方向d2上的位置，以使第一键合基体1与第二键合基体2在第二方向d2上的距离为预设值。该预设值可以为5-30um(例如5um、10um、15um、20um、25um以及30um等)，可以根据实际的第一键合基体1以及第二键合基体2的最佳键合距离来决定。在一实施例中，驱动组件5还可以用于通过调节第一承载件41相对第二键合表面a2在所述第二方向d2上的位置和/或调节第二承载件42相对第一键合表面在第二方向d2上的位置，将第一相对距离差值和/或第二相对距离差值分别补偿到第一承载件41与第二键合表面a2的距离、第二承载件42与第一键合表面a1的距离。如此，在每次键合前，可以根据第一相对距离差值和/或第二相对距离差值分别调节第一键合表面a1和第二键合表面a2在第二方向d2上的位置，使得每次键合时第一键合表面a1和第二键合表面a2之间的距离能够稳定在预设值，从而保证第一键合基体1和第二键合基体2键合强度的均一性。
52.键合组件6，用于使第一键合基体1和第二键合基体2键合。
53.通过上述系统，可以利用现有的数据获取组件在实现键合位置对准同时实现对两个键合基体键合面之间距离的调控，使两个键合基体的键合面在键合前距离恒定，保证互相键合的键合基体之间有最佳键合距离，提高了键合精度和质量，无需额外增加组件，降低了设备成本。
54.由上可知，本发明采用的晶圆键合方法包括：将第一键合基体设置于第一承载件上，将第二键合基体设置于第二承载件上，第一键合基体具有第一键合表面，第二键合基体具有第二键合表面，且第一键合表面和第二键合表面相对设置；将第一键合基体与第二键合基体在第一方向上对位后，获得第一键合基体和/或第二键合基体在与第一方向垂直的第二方向上的第一位置信息；基于第一位置信息调整第一键合基体和/或第二键合基体在第二方向上的位置，以使得第一键合基体与第二键合基体在第二方向上的距离为预设值；使第一键合基体与第二键合基体键合。通过上述方法，可以利用现有的数据获取组件在实现键合位置对准同时实现对两个键合基体键合面之间距离的调控，使两个键合基体的键合面在键合前距离恒定，保证互相键合的键合基体之间有最佳键合距离，提高了键合精度和质量，无需额外增加组件，降低了设备成本。
55.以上仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。