一种太阳能电池及光伏组件的制作方法

1.本技术涉及电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。


背景技术：

2.太阳能电池能够将太阳辐射能直接转换为电能，主要基于晶体硅的光生伏特效应，即当太阳光的光量子被半导体晶体硅吸收后，将产生电子-空穴对，这些电子-空穴对到达有p型晶体硅和n型晶体硅组成的p-n结时，被结电场分离到p-n结的两侧，当其外接负载时，就形成光电流，输出电能。实际使用太阳能电池时，一般将它们串/并联后封装在一起，制成光伏组件。
3.太阳能电池包含掺杂多晶硅，掺杂多晶硅具有吸光能力，为减小掺杂多晶硅的吸光能力对太阳能电池的光电转化效率的影响，现有的太阳能电池往往减薄掺杂多晶硅的厚度。但较薄的掺杂多晶硅存在横向传输电阻大和载流子复合升高等问题，影响减薄掺杂多晶硅的厚度对太阳能电池的光电转化效率的提升。


技术实现要素：

4.本技术提供了一种太阳能电池及光伏组件，该太阳能电池能够降低较薄的第一掺杂导电层导致的横向传输能力下降和复合升高的问题，从而提高太阳能电池的光电转化效率。
5.本技术实施例提供的一种太阳能电池，所述太阳能电池包括本体和第一电极，所述本体具有第一区域和第二区域，沿所述太阳能电池的厚度方向，所述第一区域的至少部分覆盖所述第一电极，所述第二区域为所述本体上所述第一区域以外的区域；所述本体包括：基底、第一隧穿介质层、第一掺杂导电层和第二掺杂导电层，所述第一隧穿介质层设置于所述基底的一侧，所述第一隧穿介质层在所述第一区域的厚度大于在所述第二区域的厚度，所述第一掺杂导电层设置于所述第一隧穿介质层远离所述基底的表面，所述第一电极与所述第一掺杂导电层电连接，所述第二掺杂导电层位于所述基底靠近所述第一隧穿介质层的一侧，所述第二掺杂导电层在所述第一区域的厚度小于在所述第二区域的厚度。
6.在一种可能的实施例中，在所述第一区域的所述第一隧穿介质层相对在所述第二区域的所述第一隧穿介质层向所述第一掺杂导电层或所述基底凸出；在所述第二区域的所述第二掺杂导电层相对在所述第一区域的所述第二掺杂导电层向所述基底或所述第一掺杂导电层凸出。
7.在一种可能的实施例中，在所述第二掺杂导电层中，掺杂元素在所述第一区域的掺杂浓度小于在所述第二区域的掺杂浓度。
8.在一种可能的实施例中，所述掺杂元素在所述第二掺杂导电层的所述第一区域的掺杂浓度c1满足：1
×
10
18
atoms/cm3≤c1≤1
×
10
20
atoms/cm3。
9.在一种可能的实施例中，所述掺杂元素在所述第二掺杂导电层的所述第二区域的掺杂浓度c2满足：1
×
10
19
atoms/cm3≤c2≤2
×
10
20
atoms/cm3。
10.在一种可能的实施例中，所述第一隧穿介质层在所述第一区域的厚度h11满足：1nm≤h11≤2.5nm。
11.在一种可能的实施例中，所述第一隧穿介质层在所述第二区域的厚度h12满足：0.5nm≤h12≤2nm。
12.在一种可能的实施例中，所述第二掺杂导电层在所述第一区域的厚度h21满足：0μm≤h21≤0.5μm。
13.在一种可能的实施例中，所述第二掺杂导电层在所述第二区域的厚度h22满足：0μm≤h22≤1μm。
14.在一种可能的实施例中，沿所述太阳能电池的宽度方向，所述第一区域和所述第二区域间隔设置。
15.在一种可能的实施例中，沿所述太阳能电池的宽度方向，所述第一区域的宽度d1满足：10μm≤d1≤200μm。
16.在一种可能的实施例中，沿所述太阳能电池的宽度方向，所述第一电极的宽度d2与所述第一区域的宽度d1的比值满足：0.3≤d2/d1≤1。
17.在一种可能的实施例中，所述本体还包括发射极，所述发射极设置于所述基底远离所述第一隧穿介质层的表面；所述太阳能电池还包括第二电极，所述第二电极与所述发射极电连接。
18.在一种可能的实施例中，所述本体还包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层设置于所述第一掺杂导电层远离所述基底的一侧，所述第二钝化层设置于所述发射极远离所述基底的一侧。
19.在一种可能的实施例中，所述本体还包括：第二隧穿介质层、第三掺杂导电层和第四掺杂导电层，所述第二隧穿介质层设置于所述基底远离所述第一隧穿介质层的一侧，所述第二隧穿介质层在所述第一区域的厚度大于在所述第二区域的厚度；所述第三掺杂导电层设置于所述第二隧穿介质层远离所述基底的表面；所述第四掺杂导电层位于所述基底靠近所述第二隧穿介质层的一侧，所述第四掺杂导电层在所述第一区域的厚度小于在所述第二区域的厚度；所述太阳能电池还包括第三电极，所述第三电极与所述第三掺杂导电层电连接。
20.在一种可能的实施例中，所述本体还包括第一钝化层和第三钝化层，所述第一钝化层设置于所述第一掺杂导电层远离所述基底的一侧，所述第三钝化层设置于所述第三掺杂导电层远离所述基底的一侧。
21.本技术实施例提供的一种光伏组件包括：电池串、封装层和盖板，所述电池串由多个太阳能电池连接而成，所述太阳能电池为上述所述的太阳能电池，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面，所述盖板用于覆盖封装层远离所述电池串的表面。
22.本技术中，第一隧穿介质层在第一区域的厚度大于在第二区域的厚度，从而使得第二掺杂导电层在第一区域的厚度小于在第二区域的厚度。在第一区域，第一电极伸入第一掺杂导电层破坏了第一掺杂导电层的结构，使得载流子的复合增加。在第一电极靠近基底的一侧设置较厚的第一隧穿介质层能够提高该区域的钝化效果，同时减小第二掺杂导电层的厚度，减小载流子的复合，提高太阳能电池的光电转化效率。在第二区域，较薄的第一隧穿介质层一方面提高了载流子从基底向第一掺杂导电层的传输能力，另一方面使得第二
掺杂导电层的厚度较大，降低了第二掺杂导电层的方块电阻，提高了载流子的横向传输能力，提高太阳能电池的光电转化效率。
23.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本技术。
附图说明
24.图1为本技术所提供太阳能电池在第一种具体实施例中的结构示意图；图2为本技术所提供太阳能电池在第二种具体实施例中的结构示意图；图3为本技术所提供太阳能电池在第三种具体实施例中的结构示意图；图4为本技术所提供太阳能电池在第四种具体实施例中的结构示意图；图5为本技术所提供光伏组件在一种具体实施例中的结构示意图。
25.附图标记：
ⅰ‑
第一区域；
ⅱ‑
第二区域；11-基底；12-第一隧穿介质层；12
’‑
第二隧穿介质层；13-第一掺杂导电层；13
’‑
第三掺杂导电层；14-第二掺杂导电层；14
’‑
第四掺杂导电层；15-第一钝化层；15
’‑
第三钝化层；16-发射极；17-第二钝化层；21-第一电极；21
’‑
第三电极；22-第二电极；110-电池串；120-封装层；130-盖板。
26.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。
具体实施方式
27.为了更好的理解本技术的技术方案，下面结合附图对本技术实施例进行详细描述。
28.应当明确，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其
它实施例，都属于本技术保护的范围。
29.在本技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
30.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
31.需要注意的是，本技术实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本技术实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。
32.本技术实施例提供一种太阳能电池，如图1所示，太阳能电池包括本体和第一电极21，本体具有第一区域ⅰ和第二区域ⅱ，沿太阳能电池的厚度方向x，第一区域ⅰ的至少部分覆盖第一电极21，第二区域ⅱ为本体上第一区域ⅰ以外的区域。本体包括：基底11、第一隧穿介质层12、第一掺杂导电层13和第二掺杂导电层14，第一隧穿介质层12设置于基底11的一侧，第一隧穿介质层12在第一区域ⅰ的厚度大于在第二区域ⅱ的厚度，第一掺杂导电层13设置于第一隧穿介质层12远离基底11的表面，第一电极21与第一掺杂导电层13电连接，第二掺杂导电层14位于基底11靠近第一隧穿介质层12的一侧，第二掺杂导电层14在第一区域ⅰ的厚度小于在第二区域ⅱ的厚度。
33.在本实施方式中，如图1所示，第一隧穿介质层12能够作为多数载流子的隧穿层，同时对基底11进行化学钝化，减少界面态。第一掺杂导电层13能够形成能带弯曲，实现载流子的选择性传输，减少载流子的复合损失。第一电极21与第一掺杂导电层13电连接，且不与第一隧穿介质层12接触，从而保持良好的界面钝化。第一掺杂导电层13中的掺杂元素会有少部分穿过第一隧穿介质层12进入基底11，并在基底11表面形成第二掺杂导电层14。通过使第一隧穿介质层12在第一区域ⅰ和第二区域ⅱ的厚度不同，使得第一掺杂导电层13中的掺杂元素在基底11表面形成的第二掺杂导电层14的厚度不同。
34.如图1所示，第一隧穿介质层12在第一区域ⅰ的厚度大于在第二区域ⅱ的厚度，从而使得第二掺杂导电层14在第一区域ⅰ的厚度小于在第二区域ⅱ的厚度。在第一区域ⅰ，第一电极21伸入第一掺杂导电层13破坏了第一掺杂导电层13的结构，使得载流子的复合增加。在第一电极21靠近基底11的一侧设置较厚的第一隧穿介质层12能够提高该区域的钝化效果，同时减小第二掺杂导电层14的厚度，减小载流子的复合，提高太阳能电池的光电转化效率。在第二区域ⅱ，较薄的第一隧穿介质层12一方面提高了载流子从基底11向第一掺杂导电层13的传输能力，另一方面使得第二掺杂导电层14的厚度较大，降低了第二掺杂导电层14的方块电阻，提高了载流子的横向传输能力，提高太阳能电池的光电转化效率。
35.具体的，基底11可以是含有掺杂元素的晶体半导体（例如，晶体硅），掺杂元素可以是诸如包括磷（p）、砷（as）、铋（bi）、锑（sb）等v族元素的n型掺杂元素，或包括硼（b）、铝（al）、镓（ga）、铟（in）等iii族元素的p型掺杂元素。第一隧穿介质层12一般为氧化硅层（sio
x
），其厚度范围可以设置在0.5~2.5nm之间，具体可以为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm等。第一电极21的材料包括银、铝、铜、镍等至少一种导电金属材料。
36.此外，太阳能电池的光电转化效率可以指太阳能电池的正面效率和太阳能电池的背面效率。太阳能电池的双面率指太阳能电池的背面效率和太阳能电池的正面效率的比值。若第一掺杂导电层13较厚，则第一掺杂导电层13吸收的光能较多，光学损失较大，影响太阳能电池的背面效率，使得太阳能电池的双面率下降。同时，第一掺杂导电层13较厚也会降低太阳能电池的正面效率。
37.在一种具体的实施方式中，如图1和图2所示，在第一区域ⅰ的第一隧穿介质层12相对在第二区域ⅱ的第一隧穿介质层12向第一掺杂导电层13或基底11凸出；在第二区域ⅱ的第二掺杂导电层14相对在第一区域ⅰ的第二掺杂导电层14向基底11或第一掺杂导电层13凸出。
38.本实施方式提供两种具体的实施例。
39.如图1所示，在第一种实施例中，在第一区域ⅰ的第一隧穿介质层12相对在第二区域ⅱ的第一隧穿介质层12向第一掺杂导电层13凸出，使得在第二区域ⅱ的第二掺杂导电层14相对在第一区域ⅰ的第二掺杂导电层14向基底11凸出，即第一隧穿介质层12和第二掺杂导电层14的分界面为较为平整的平面。
40.如图2所示，在第二种实施例中，在第一区域ⅰ的第一隧穿介质层12相对在第二区域ⅱ的第一隧穿介质层12向基底11凸出，使得在第二区域ⅱ的第二掺杂导电层14相对在第一区域ⅰ的第二掺杂导电层14向第一掺杂导电层13凸出，即第一隧穿介质层12和第一掺杂导电层13的分界面为较为平整的平面，第二掺杂导电层14远离第一隧穿介质层12的表面为较为平整的平面。
41.在一种具体的实施方式中，在第二掺杂导电层14中，掺杂元素在第一区域ⅰ的掺杂浓度小于在第二区域ⅱ的掺杂浓度。
42.在本实施方式中，第二掺杂导电层14中掺杂元素在第一区域ⅰ的掺杂浓度较小，可以减少由于第一电极21对本体的影响而造成的载流子的复合；第二掺杂导电层14中掺杂元素在第二区域ⅱ的掺杂浓度较大，可以降低本体的电阻，提高载流子的横向传输能力，从而提高太阳能电池的光电转化效率。
43.具体的，第二掺杂导电层14中的掺杂元素来自第一掺杂导电层13，因此第二掺杂导电层14中的掺杂元素和第一掺杂导电层13中的掺杂元素相同。第一掺杂导电层13可以是含有掺杂元素的非晶硅、微晶硅、多晶硅等，掺杂元素可以是诸如包括磷（p）、砷（as）、铋（bi）、锑（sb）等v族元素的n型掺杂元素，或包括硼（b）、铝（al）、镓（ga）、铟（in）等iii族元素的p型掺杂元素。同时，第一掺杂导电层13和基底11应掺杂相同类型的掺杂元素。
44.在一种具体的实施方式中，掺杂元素在第二掺杂导电层14的第一区域ⅰ的掺杂浓度c1满足：1
×
10
18
atoms/cm3≤c1≤1
×
10
20
atoms/cm3。例如，掺杂浓度c1具体可以为：1
×
10
18
atoms/cm3、0.5
×
10
19
atoms/cm3、1
×
10
19
atoms/cm3、0.5
×
10
20
atoms/cm3、1
×
10
20
atoms/cm3等。
45.在本实施方式中，掺杂元素在第二掺杂导电层14的第一区域ⅰ的掺杂浓度c1不应过大也不应过小，若掺杂浓度c1过大（例如大于1
×
10
20
atoms/cm3），则在第二掺杂导电层14的第一区域ⅰ的载流子复合增加，使得太阳能电池的效率不能有效提高；若掺杂浓度c1过小（例如小于1
×
10
18
atoms/cm3），则第二掺杂导电层14不能提供较多的载流子，从而影响太阳能电池的效率。因此，掺杂元素在第二掺杂导电层14的第一区域ⅰ的掺杂浓度c1满足：1
×
10
18
atoms/cm3≤c1≤1
×
10
20
atoms/cm3时能够有效提高太阳能电池的效率。
46.在一种具体的实施方式中，掺杂元素在第二掺杂导电层14的第二区域ⅱ的掺杂浓度c2满足：1
×
10
19
atoms/cm3≤c2≤2
×
10
20
atoms/cm3。例如，掺杂浓度c2具体可以为：1
×
10
19
atoms/cm3、3
×
10
19
atoms/cm3、5
×
10
19
atoms/cm3、7
×
10
19
atoms/cm3、9
×
10
19
atoms/cm3、2
×
10
20
atoms/cm3等。
47.在本实施方式中，掺杂元素在第二掺杂导电层14的第二区域ⅱ的掺杂浓度c2不应过大也不应过小，若掺杂浓度c2过大（例如大于2
×
10
20
atoms/cm3），则在第二掺杂导电层14的第二区域ⅱ的载流子复合增加，使得太阳能电池的效率不能有效提高；若掺杂浓度c2过小（例如小于1
×
10
19
atoms/cm3），则第二掺杂导电层14不能提供较多的载流子，从而影响太阳能电池的效率。因此，掺杂元素在第二掺杂导电层14的第二区域ⅱ的掺杂浓度c2满足：1
×
10
19
atoms/cm3≤c2≤2
×
10
20
atoms/cm3时能够有效提高太阳能电池的效率。
48.在一种具体的实施方式中，第一隧穿介质层12在第一区域ⅰ的厚度h11满足：1nm≤h11≤2.5nm。例如，厚度h11具体可以为1nm、1.5nm、2nm、2.5nm等。
49.在本实施方式中，第一隧穿介质层12在第一区域ⅰ的厚度h11不应过大也不应过小，若厚度h11过大（例如大于2.5nm），则基底11中的载流子穿过第一隧穿介质层12的概率降低，影响太阳能电池的效率；若厚度h11过小（例如小于1nm），则第一掺杂导电层13中的掺杂元素穿过第一隧穿介质层12的难度降低，使得第二掺杂导电层14在第一区域ⅰ的厚度增加，载流子的复合增加，从而影响太阳能电池的效率。因此，第一隧穿介质层12在第一区域ⅰ的厚度h11满足：1nm≤h11≤2.5nm时能够有效提高太阳能电池的效率。
50.在一种具体的实施方式中，第一隧穿介质层12在第二区域ⅱ的厚度h12满足：0.5nm≤h12≤2nm。例如，厚度h11具体可以为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm等。
51.在本实施方式中，第一隧穿介质层12在第二区域ⅱ的厚度h12不应过大也不应过小，若厚度h12过大（例如大于2nm），则第一掺杂导电层13中的掺杂元素穿过第一隧穿介质层12的难度增加，使得第二掺杂导电层14在第二区域ⅱ的厚度减小、电阻增大，影响载流子的横向传输能力；若厚度h12过小（例如小于0.5nm），则第一隧穿介质层12对基底11的钝化作用较差，载流子的复合增加，从而影响太阳能电池的效率。因此，第一隧穿介质层12在第二区域ⅱ的厚度h12满足：0.5nm≤h12≤2nm时能够有效提高太阳能电池的效率。
52.在一种具体的实施方式中，第二掺杂导电层14在第一区域ⅰ的厚度h21满足：0μm≤h21≤0.5μm。例如，厚度h21具体可以为0μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm等。
53.在本实施方式中，第二掺杂导电层14在第一区域ⅰ的厚度h21不应过大，若厚度h21过大（例如大于0.5μm），则该区域载流子的复合增加，影响太阳能电池的效率。此外，太阳能电池可以不具有第二掺杂导电层14。
54.在一种具体的实施方式中，如图所示，第二掺杂导电层14在第二区域ⅱ的厚度h22满足：0μm≤h22≤1μm。例如，厚度h22具体可以为0μm、0.2μm、0.4μm、0.6μm、0.8μm、1μm等。
55.在本实施方式中，第二掺杂导电层14在第二区域ⅱ的厚度h22不应过大，若厚度h22过大（例如大于1μm），也会使得该区域载流子的复合增加，影响太阳能电池的效率。
56.在一种具体的实施方式中，如图1所示，沿太阳能电池的宽度方向y，第一区域ⅰ和第二区域ⅱ间隔设置。
57.在本实施方式中，沿太阳能电池的宽度方向y，第一区域ⅰ和第二区域ⅱ间隔设置
能够使得第一区域ⅰ与第一电极21对应，从而有效减小第一电极21对第一掺杂导电层13的破坏造成的载流子复合的增加，保证太阳能电池的效率。
58.在一种具体的实施方式中，沿太阳能电池的宽度方向y，第一区域ⅰ的宽度d1满足：10μm≤d1≤200μm。例如，宽度d1具体可以为：10μm、20μm、50μm、100μm、150μm、200μm等。
59.在本实施方式中，沿太阳能电池的宽度方向y，第一区域ⅰ的宽度d1不应过大也不应过小，若宽度d1过大（例如大于200μm），则第二区域ⅱ的宽度过小，影响太阳能电池的横向传输能力；托宽度d1过小（例如小于10μm），则第一区域ⅰ沿太阳能电池的厚度方向x不能完全覆盖第一电极21，从而不能有效减小载流子的复合，影响太阳能电池的效率。
60.在一种具体的实施方式中，沿太阳能电池的宽度方向y，第一电极21的宽度d2与第一区域ⅰ的宽度d1的比值满足：0.3≤d2/d1≤1。例如，宽度d2与宽度d1的比值具体可以为0.3、0.5、0.7、0.9、1等。
61.在本实施方式中，沿太阳能电池的宽度方向y，第一电极21的宽度d2与第一区域ⅰ的宽度d1的比值不应过大也不应过小，若宽度d2与宽度d1的比值过大（例如大于1），则第一区域ⅰ沿太阳能电池的厚度方向x不能完全覆盖第一电极21，从而不能有效减小载流子的复合，影响太阳能电池的效率；若宽度d2与宽度d1的比值过小（例如小于0.3），则第一区域ⅰ的宽度d1过大，第二区域ⅱ的宽度过小，影响太阳能电池的横向传输能力。因此，沿太阳能电池的宽度方向y，第一电极21的宽度d2与第一区域ⅰ的宽度d1的比值满足：0.3≤d2/d1≤1时能够保证太阳能电池的传输能力。
62.在一种具体的实施方式中，如图1和图2所示，本体还包括发射极16，发射极16设置于基底11远离第一隧穿介质层12的表面，太阳能电池还包括第二电极22，第二电极22与发射极16电连接。
63.在本实施方式中，如图1和图2所示，基底11与发射极16可以共同形成pn结结构，其中，基底11可以为p型硅基底，发射极16可以为n型发射极，p型硅基底和n型发射极可以共同形成起到pn结功能的内建电场结构，或者，基底11可以为n型硅基底，而发射极16可以为p型发射极。
64.在一种具体的实施方式中，如图1和图2所示，本体还包括第一钝化层15和第二钝化层17，第一钝化层15设置于第一掺杂导电层13远离基底11的一侧，第二钝化层17设置于发射极16远离基底11的一侧。
65.在本实施方式中，如图1和图2所示，第一钝化层15能够对第一掺杂导电层13远离基底11的表面钝化，第二钝化层17能够对发射极16远离基底11的表面钝化，从而降低第一掺杂导电层13和发射极16的载流子的复合速度，提高太阳能电池的光电转化效率。
66.具体的，第一钝化层15和第二钝化层17均可以为包括氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层、氮氧化硅层中的至少一种或多种的单层或层叠结构。
67.在一种具体的实施方式中，如图3和图4所示，本体还包括：第二隧穿介质层12’、第三掺杂导电层13’和第四掺杂导电层14’，第二隧穿介质层12’设置于基底11远离第一隧穿介质层12的一侧，第二隧穿介质层12’在第一区域ⅰ的厚度大于在第二区域ⅱ的厚度，第三掺杂导电层13’设置于第二隧穿介质层12’远离基底11的表面，第四掺杂导电层14’位于基底11靠近第二隧穿介质层12’的一侧，第四掺杂导电层14’在第一区域ⅰ的厚度小于在第二区域ⅱ的厚度。太阳能电池还包括第三电极21’，第三电极21’与第三掺杂导电层13’电连
接。
68.在本实施方式中，如图3和图4所示，第二隧穿介质层12’能够作为多数载流子的隧穿层，同时对基底11进行化学钝化，减少界面态。第三掺杂导电层13’能够形成能带弯曲，实现载流子的选择性传输，减少载流子的复合损失。第三电极21’与第三掺杂导电层13’电连接，且不与第二隧穿介质层12’接触，从而保持良好的界面钝化。第三掺杂导电层13’中的掺杂元素会有少部分穿过第二隧穿介质层12’进入基底11，并在基底11表面形成第四掺杂导电层14’。通过使第二隧穿介质层12’在第一区域ⅰ和第二区域ⅱ的厚度不同，使得第三掺杂导电层13’中的掺杂元素在基底11表面形成的第四掺杂导电层14’的厚度不同。
69.如图3所示，第二隧穿介质层12’在第一区域ⅰ的厚度大于在第二区域ⅱ的厚度，从而使得第四掺杂导电层14’在第一区域ⅰ的厚度小于在第二区域ⅱ的厚度。在第一区域ⅰ，第三电极21’伸入第三掺杂导电层13’破坏了第三掺杂导电层13’的结构，使得载流子的复合增加。在第三电极21’靠近基底11的一侧设置较厚的第二隧穿介质层12’能够提高该区域的钝化效果，同时减小第四掺杂导电层14’的厚度，减小载流子的复合，提高太阳能电池的光电转化效率。在第二区域ⅱ，较薄的第二隧穿介质层12’一方面提高了载流子从基底11向第三掺杂导电层13’的传输能力，另一方面使得第四掺杂导电层14’的厚度较大，降低了第四掺杂导电层14’的方块电阻，提高了载流子的横向传输能力，提高太阳能电池的光电转化效率。
70.具体的，第二隧穿介质层12’一般为氧化硅层（sio
x
），其厚度范围可以设置在0.5~2.5nm之间，具体可以为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm等。第三掺杂导电层13’可以是含有掺杂元素的非晶硅、微晶硅、多晶硅等，掺杂元素可以是诸如包括磷（p）、砷（as）、铋（bi）、锑（sb）等v族元素的n型掺杂元素，或包括硼（b）、铝（al）、镓（ga）、铟（in）等iii族元素的p型掺杂元素。同时，第三掺杂导电层13’和基底11应掺杂不同类型的掺杂元素，从而使第三掺杂导电层13’和基底11共同形成起到pn结功能的内建电场结构。
71.在一种具体的实施方式中，如图3和图4所示，本体还包括第一钝化层15和第三钝化层15’，第一钝化层15设置于第一掺杂导电层13远离基底11的一侧，第三钝化层15’设置于第三掺杂导电层13’远离基底11的一侧。
72.在本实施方式中，如图3和图4所示，第一钝化层15能够对第一掺杂层13远离基底11的表面钝化，从而降低第一掺杂导电层13的载流子的复合速度，提高太阳能电池的光电转化效率。第三钝化层15’能够对第三掺杂导电层13’远离基底11的表面钝化，从而降低第三掺杂导电层13’的载流子的复合速度，提高太阳能电池的光电转化效率。
73.具体的，第一钝化层15和第三钝化层15’均可以为包括氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层、氮氧化硅层中的至少一种或多种的单层或层叠结构。
74.在一种具体的实施方式中，如图3和图4所示，在第一区域ⅰ的第二隧穿介质层12’相对在第二区域ⅱ的第二隧穿介质层12’向第三掺杂导电层13’或基底11凸出；在第二区域ⅱ的第四掺杂导电层14’相对在第一区域ⅰ的第四掺杂导电层14’向基底11或第三掺杂导电层13’凸出。
75.本实施方式提供两种具体的实施例。
76.如图3所示，在第一种实施例中，在第一区域ⅰ的第二隧穿介质层12’相对在第二区域ⅱ的第二隧穿介质层12’向第三掺杂导电层13’凸出，使得在第二区域ⅱ的第四掺杂导电
层14’相对在第一区域ⅰ的第四掺杂导电层14’向基底11凸出，即第二隧穿介质层12’和第四掺杂导电层14’的分界面为较为平整的平面。
77.如图4所示，在第二种实施例中，在第一区域ⅰ的第二隧穿介质层12’相对在第二区域ⅱ的第二隧穿介质层12’向基底11凸出，使得在第二区域ⅱ的第四掺杂导电层14’相对在第一区域ⅰ的第四掺杂导电层14’向第三掺杂导电层13’凸出，即第二隧穿介质层12’和第三掺杂导电层13’的分界面为较为平整的平面，第四掺杂导电层14’远离第二隧穿介质层12’的表面为较为平整的平面。
78.本技术实施例提供一种光伏组件，如图5所示，光伏组件包括：电池串110、封装层120和盖板130，电池串110由多个太阳能电池连接而成，封装层120用于覆盖电池串110的表面，盖板130用于覆盖封装层120远离电池串110的表面。
79.在本实施方式中，如图5所示，电池串110中多个太阳能电池以串联和/或并联的形式进行电连接。通过层压工艺可以将盖板130，封装层120以及电池串110按照一定的顺序进行压制从而得到层压组件，然后可以给层压组件安装边框以形成光伏组件，从容便于运输、使用。
80.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。