技术特征：
1.一种异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的集电极、位于所述集电极上的基极、第一集电极电极和第二集电极电极、位于所述基极上的发射极和基极电极、以及位于所述发射极上的发射极电极，所述半导体结构包括相邻接的第一区和第二区，所述第一集电极电极、所述基极电极、所述发射极电极位于所述第一区，所述第二集电极电极位于所述第二区；在所述半导体结构表面形成第一钝化层，所述第一钝化层包括第一钝化部和第二钝化部，所述第一钝化部位于所述第一区上，且所述第一钝化部暴露出所述第一集电极电极的部分顶部表面、所述基极电极的部分顶部表面、以及所述发射极电极的部分顶部表面，所述第二钝化部位于所述第二区上，且所述第二钝化部暴露出所述第二集电极电极的部分顶部表面；形成第一金属层，所述第一金属层包括第一金属部和第二金属部，所述第一金属部位于暴露出的所述第一集电极电极顶部表面、所述基极电极顶部表面、以及所述发射极电极顶部表面，所述第二金属部位于所述第二钝化部上，且所述第二金属部和所述第二集电极电极在所述衬底上的投影具有重叠区域；在所述第一金属层表面和所述第一钝化层表面形成第二钝化层，所述第二钝化层包括第三钝化部和第四钝化部，所述第三钝化部覆盖所述第一金属部的表面，所述第四钝化部覆盖所述第二金属部的表面；在所述第四钝化部上形成第二金属层，所述第二金属层、所述第二金属部和所述第二集电极电极在所述衬底上的投影具有重叠区域；在所述第二金属层表面和所述第二钝化层表面形成第一介质层，所述第一介质层暴露出所述第三钝化部的部分顶部表面、以及所述第二金属层的部分顶部表面；以所述第一介质层为掩膜刻蚀所述第三钝化部，直至暴露出位于所述第一金属部的顶部表面。2.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述第二金属层的形成方法包括：在所述半导体结构上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层暴露出所述第四钝化部的部分顶部表面；在所述第一光刻胶层暴露出的所述第四钝化部的顶部表面、以及所述第一光刻胶层的顶部表面形成第一金属材料层；去除位于所述第一光刻胶层上的所述第一金属材料层和所述第一光刻胶层，形成所述第二金属层。3.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的形成方法包括：在所述第二金属层表面和所述第二钝化层表面形成初始第一介质层；对所述初始第一介质层进行图形化处理，形成所述第一介质层。4.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层还暴露出所述第四钝化部的部分顶部表面；在以所述第一介质层为掩膜刻蚀所述第三钝化部的过程中，还包括：以所述第一介质层为掩膜刻蚀所述第四钝化部，直至暴露出所述第二金属部的顶部表面和所述第二集电极电极的顶部表面为止。5.如权利要求4所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述第三钝化部之后，还包括：形成第三金属层，所述第三金属层包括第三金属部和第四金属部，所述第三金属部位于暴露出的所述第一金属部的顶部表面，所述第四金属部位于暴露出的所
述第二金属层的顶部表面。6.如权利要求5所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第三金属层之后，还包括：在所述第三金属层表面和所述第一介质层表面形成第三钝化层，所述第三钝化层包括第五钝化部和第六钝化部，所述第五钝化部覆盖所述第三金属部的表面，所述第六钝化部覆盖所述第四金属部的表面。7.如权利要求6所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第三钝化层之后，还包括：在所述第六钝化部上形成第四金属层，所述第四金属层、所述第四金属部、所述第二金属层、所述第二金属部和所述第二集电极电极在所述衬底上的投影具有重叠区域。8.如权利要求7所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第四金属层之后，还包括：在所述第四金属层表面和所述第三钝化层表面形成第二介质层，所述第二介质层暴露出所述第五钝化部的部分顶部表面、以及所述第四金属层的部分顶部表面。9.如权利要求8所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二介质层之后，还包括：以所述第二介质层为掩膜刻蚀所述第五钝化部，直至暴露出所述第三金属部的顶部表面为止。10.如权利要求9所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层还暴露出所述第六钝化部的部分顶部表面；在以所述第二介质层为掩膜刻蚀所述第五钝化部的过程中，还包括：以所述第二介质层为掩膜刻蚀所述第六钝化部，直至暴露出所述第二金属部的顶部表面和所述第二集电极电极的顶部表面为止。11.如权利要求10所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述第五钝化部之后，还包括：形成第五金属层，所述第五金属层包括第五金属部、第六金属部和第七金属部，所述第五金属部位于暴露出的所述第三金属部的表面，所述第六金属部位于暴露出的所述第四金属层的表面和所述第二金属部的表面，所述第七金属部位于暴露出的所述第二集电极电极的表面。12.如权利要求7所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述第四金属层的形成方法包括：在所述半导体结构上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层暴露出所述第六钝化部的部分顶部表面；在所述第二光刻胶层暴露出的所述第六钝化部的顶部表面、以及所述第二光刻胶层的顶部表面形成第二金属材料层；去除位于所述第二光刻胶层上的所述第二金属材料层和所述第二光刻胶层，形成所述第四金属层。13.如权利要求8所述异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的形成方法包括：在所述第四金属层表面和所述第三钝化层表面形成初始第二介质层；对所述初始第二介质层进行图形化处理，形成所述第二介质层。
技术总结
一种异质结双极晶体管结构的形成方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供半导体结构；在半导体结构表面形成第一钝化部和第二钝化部，第一钝化部暴露出第一集电极电极、基极电极和发射极电极，第二钝化部暴露出第二集电极电极；形成第一金属部和第二金属部；形成第三钝化部和第四钝化部，第三钝化部覆盖第一金属部表面，第四钝化部覆盖第二金属部表面；在第四钝化部上形成第二金属层；在第二金属层表面和第二钝化层表面形成第一介质层；以第一介质层为掩膜刻蚀第三钝化部。通过以第一介质层为掩膜刻蚀第二钝化层，无需采用单独的光罩工艺对第二钝化层进行处理以暴露出第一金属部的顶部表面，进而减少工艺光罩，提供生产效率以及降低生产成本。及降低生产成本。及降低生产成本。
技术研发人员：邹道华 高谷信一郎 黄仁耀 潘林
受保护的技术使用者：常州承芯半导体有限公司
技术研发日：2022.12.16
技术公布日：2023/1/16