技术特征：1.一种低成本的非掺杂异质结晶体硅太阳能电池，其特征在于具有如下的结构：ag/ito/mnz1mooy2/mooy1/siop/p-c-si/siop/tiox1/mnz2tiox2/ca/al，其中1<x1<1.8，1<x2<1.8，1<y1<2.5，1<y2<2.5，0<z1<0.15，0<z2<0.15，1<p<2，siop层厚度小于1.5nm。
2.如权利要求1所述的一种低成本的非掺杂异质结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所用的生长设备包括混气室和反应腔体，生长源溶液通过蒸发器蒸发并采用氢气携带的方式进入混气室，然后进入反应腔体，反应腔体内设有上下两个金属网格电极，射频电压加在上下两个金属网格电极之间；制备方法包括如下步骤：
技术总结本发明公开了一种低成本的非掺杂异质结晶体硅太阳能电池及其制备方法，所用的生长设备包括混气室和反应腔体，生长源溶液通过蒸发器蒸发并采用氢气携带的方式进入混气室，然后进入反应腔体，反应腔体内设有上下两个金属网格电极，射频电压加在上下两个金属网格电极之间。电池具备Ag/ITO/Mn<subgt;z1</subgt;MoO<subgt;y2</subgt;/MoO<subgt;y1</subgt;/SiO<subgt;p</subgt;/p‑c‑Si/SiO<subgt;p</subgt;/TiO<subgt;x1</subgt;/Mn<subgt;z2</subgt;TiO<subgt;x2</subgt;/Ca/Al的结构。本发明能提高氧化钛或氧化钼薄膜对晶体硅的钝化效果，且制备过程中大幅降低了等离子对薄膜的轰击，提升了薄膜的钝化性能。
技术研发人员：黄仕华,骆芸尔,李林华
受保护的技术使用者：浙江师范大学
技术研发日：技术公布日：2024/1/11