1.一种提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，在对块材的侧周面进行化学抛光之前，先对块材的侧周面进行物理磨倒。
3.根据权利要求2所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，在对块材的侧周面进行物理磨倒之后，且在对块材的侧周面进行化学抛光之前，对块材的侧周面进行前置预清洗。
4.根据权利要求1所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，在对块材的侧周面进行化学抛光之后，且在对块材的侧周面进行切片之前，对块材的侧周面进行漂洗并烘干。
5.根据权利要求1所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，所述化学抛光为采用碱液的碱化学抛光。
6.根据权利要求5所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，所述碱液中的碱为氢氧化钠和/或氢氧化钾。
7.根据权利要求6所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，所述碱液中碱的质量浓度为3%-10%。
8.根据权利要求7所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，所述碱化学抛光的温度为60-85℃，时间为15-40分钟。
9.根据权利要求7所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，所述碱液中还加入碱性抛光添加剂，加快腐蚀速度，碱化学抛光的温度为60-85℃，时间为3-25分钟。
10.根据权利要求1所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，所述化学抛光的次数为1次、2次或多次。
11.根据权利要求2所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，采用磨轮滚磨方式对块材的侧周面进行物理磨倒。
12.根据权利要求2所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，所述物理磨倒的次数为1次、2次或多次。
13.根据权利要求2所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，通过物理磨倒，使块材侧周面的表面粗糙度小于0.8um。
14.根据权利要求1所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，通过控制化学抛光的工艺条件，实现即去除块材侧周面上的机械应力损伤层，又使块材侧周面的表面粗糙度小于1.1um。
15.根据权利要求3所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，采用双氧水与氢氧化钠或氢氧化钾的混合溶液对块材的侧周面进行前置预清洗。
16.根据权利要求1所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，所述硅材为硅棒、硅块或由硅棒开方产生的边皮。
17.根据权利要求1所述的提高硅片边缘强度的方法，其特征在于，采用金刚线对块材的侧周面进行切片。