1.一种可调谐半导体激光器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的可调谐半导体激光器，其特征在于，所述前光栅区和所述后光栅区中波导层上制作的光栅均为数字级联布拉格光栅；两个数字级联布拉格光栅的中心光栅周期相同，而取样周期长度不同。
3.如权利要求1或2所述的可调谐半导体激光器，其特征在于，所述有源层与所述波导层的接触面在水平方向上有一倾斜角度。
4.如权利要求3所述的可调谐半导体激光器，其特征在于，所述倾斜角度为15°。
5.如权利要求1或2所述的可调谐半导体激光器，其特征在于，还包括：设置在所述第一弯曲波导与所述前光栅区之间，和/或，所述第二弯曲波导与所述后光栅区之间的独立相位区；
6.如权利要求5所述的可调谐半导体激光器，其特征在于，还包括：设置于所述功率分支区和所述增益区之间的公共相位区；
7.如权利要求1或2所述的可调谐半导体激光器，其特征在于，所述前光栅区和所述后光栅区的外端面上镀有增透膜。
8.如权利要求1或2所述的可调谐半导体激光器，其特征在于，所述功率分支区为1×2多模干涉耦合器。
9.如权利要求1或2所述的可调谐半导体激光器，其特征在于，所述有源层为半导体材料、量子阱、量子线、量子点或量子级联结构。
10.如权利要求1或2所述的可调谐半导体激光器，其特征在于，所述波导层为多量子阱材料或体材料。