一种半导体封装结构的制作方法

1.本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构。


背景技术：

2.随着电子器件越来越高速化和集成化的需求，芯片内部纳米等级的线路，需要与外部微米级的线路进行对接，这些线路既小又密，互相既需要绝缘，还会产生很大热量，同时还要满足电性能需求。从物理机构上，对于封装结构和工艺提出更高的要求。
3.但是在芯片封装过程中，膜层间容易出现翘曲(warpage)及错位现象，导致封装效果变差甚至造成封装失效。


技术实现要素：

4.本实用新型实施例提供了一种半导体封装结构，以有效改善芯片封装效果，提升封装成功率。
5.第一方面，本实用新型实施例提供了一种半导体封装结构，包括：
6.封装基板；
7.多个倒装凸点，设置于所述封装基板上，与所述封装基板中的第一金属层电连接；所述倒装凸点之间的间隙设置有填充层；
8.重布线层，设置于所述倒装凸点远离所述封装基板的一侧；所述重布线层包括多层第二金属层；相邻所述第二金属层之间，以及所述重布线层的两侧均设置有绝缘层；
9.至少一个芯片，设置于所述重布线层远离所述封装基板的一侧；
10.所述重布线层用于实现所述芯片和所述倒装凸点之间的电连接。
11.可选的，在一个可能的实施例中，所述填充层为有机物；所述倒装凸点为金属材料。
12.可选的，在一个可能的实施例中，所述第二金属层中每相邻两层第二金属层穿过其间隔的绝缘层电连接；距离所述倒装凸点最近的一层第二金属层通过其与所述倒装凸点间隔的绝缘层电连接。
13.可选的，在一个可能的实施例中，所述第二金属层的线宽随着所述第二金属层的厚度的增加而增大；
14.所述重布线层靠近所述倒装凸点一侧的绝缘层的厚度大于其他绝缘层的厚度。
15.可选的，在一个可能的实施例中，所述封装基板包括：基材；所述基材包括芯板和设置于所述芯板两侧的基铜；
16.分别设置于所述基材两侧的堆叠结构层；所述堆叠结构层包括交替设置的介质层和所述第一金属层；所述第一金属层中，每相邻两层第一金属层通过其间隔的介质层电连接；距离所述基铜最近的一层第一金属层通过其与所述基铜间隔的介质层电连接；
17.所述堆叠结构层中至少一层所述介质层的材料为含有玻璃纤维的pp材料。
18.可选的，在一个可能的实施例中，在由所述堆叠结构层指向所述基材的方向上，所
述堆叠结构层中的第1层第一金属层和第2层第一金属层之间的介质层为第一介质层；
19.所述第一介质层的材料为含有玻璃纤维的pp材料。
20.可选的，在一个可能的实施例中，所述堆叠结构层包括：第一介质层和第二介质层；所述第一介质层为含有玻璃纤维的pp材料；所述第二介质层为abf材料；所述第一金属层包括：第三金属层和第四金属层；
21.所述堆叠结构层中，贴附所述第一介质层且远离所述基材一侧的第一金属层为第三金属层，贴附所述第二介质层且远离所述基材一侧的第一金属层为第四金属层；
22.所述第三金属层采用改良型半加成msap工艺形成；所述第四金属层采用半加成sap工艺形成；
23.所述第三金属层的厚度大于所述第四金属层的厚度。
24.可选的，在一个可能的实施例中，所述芯板的材料为阻燃fr材料；
25.所述芯板包括沿垂直于所述芯片的方向延伸的第一通孔；所述第一通孔为机械通孔；所述基铜贴附所述第一通孔的侧边设置，所述第一通孔内还设置有支撑结构。
26.可选的，在一个可能的实施例中，所述芯板包括至少一层bt基板和至少两层pp基板；所述pp基板含有玻璃纤维的pp材料；
27.所述至少一层bt树脂基板的两侧均设置有所述pp基板。
28.可选的，在一个可能的实施例中，每层所述bt基板和每层所述pp基板均设置有沿垂直于所述芯片的方向延伸的第二通孔；所述第二通孔为镭射通孔；
29.每层所述bt基板和每层所述pp基板的第二通孔均填充有所述基铜。
30.本实用新型实施例提供的半导体封装结构，通过在封装基板上表面设置多个倒装凸点，多个倒装凸点连接封装基板的第一金属层，同时，设置重布线层，将倒装凸点与重布线层电连接，从而实现芯片与封装基板之间的稳定连接。另外，封装基板中的各倒装凸点之间设置填充层，填充层的存在能够减少半导体封装结构膜层间的错位现象，提高半导体封装结构内各膜层的连接可靠性，从而提升半导体封装结构生产效率及良率。
附图说明
31.图1为本实用新型实施例提供的一种半导体封装结构的截面结构示意图；
32.图2为本实用新型实施例提供的一种半导体封装结构的局部放大截面结构示意图；
33.图3为本实用新型实施例提供的一种封装基板的局部截面结构示意图；
34.图4为本实用新型实施例提供的另一种封装基板的局部截面结构示意图；
35.图5为本实用新型实施例提供的再一种封装基板的局部截面结构示意图。
具体实施方式
36.下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
37.本实用新型实施例提供的一种半导体封装结构，可用于对半导体产品进行封装，图1为本实用新型实施例提供的一种半导体封装结构的截面结构示意图，如图1所示，该半
导体封装结构包括：
38.封装基板10；多个倒装凸点11，设置于封装基板10上，与封装基板10中的第一金属层电连接；倒装凸点11之间的间隙设置有填充层111；重布线层12，设置于倒装凸点11远离封装基板10的一侧；重布线层12包括多层第二金属层121；相邻第二金属层121之间，以及重布线层12的两侧均设置有绝缘层122；至少一个芯片13，设置于重布线层12远离封装基板10的一侧；重布线层12用于实现芯片13和倒装凸点11之间的电连接。
39.具体地，参考图1，本实用新型实施例中的半导体封装结构包括封装基板10、倒装凸点11、重布线层12以及至少一个芯片13。
40.其中，封装基板10可以包括硅、玻璃、氧化硅、陶瓷、聚合物以及金属中的一种材料或两种以上的复合材料，其形状可以为圆形、方形或其它任意所需形状。重布线层12中可以设置有各种导线、通孔、埋孔或盲孔以实现线路连接。本实用新型实施例对通孔、埋孔或盲孔的大小或方向并不做具体限定。如果设置有通孔、埋孔或盲孔，则通孔、埋孔或盲孔中可以填充例如金属或金属合金的导电材料，这里，金属例如可以是金、银、铝、铜或其合金，但不局限于此。
41.其中，重布线层12设置于封装基板10上层，芯片13设置于重布线层12远离封装基板10的一侧，也即，芯片13设置于重布线层12上表面，与重布线层12实现电性连接。芯片13可以为任意尺寸、功能的芯片13，对于芯片13的数量，本实用新型实施例不做限制，但至少设置一个芯片13。
42.继续参考图1，本实用新型实施例中，重布线层12包括多层第二金属层121，任意相邻第二金属层121之间设置有绝缘层122，第二金属层121能够在绝缘层122上形成相应的金属布线图形，来对芯片13的i/o端口进行重新布局，将其布置到新的、节距占位更为宽松的区域。
43.其中，对于第二金属层121的材料，本实用新型实施例不做限制，例如可以是金、银、铝、铜或其合金，但不局限于此。本实用新型实施例中，在重布线层12的两侧同样设置有绝缘层122，也即，在重布线层12与封装基板10、芯片13靠近的一侧设置绝缘层122，绝缘层122的存在既能够保证重布线层12与封装基板10、芯片13之间无需电连接的位置不发生漏电情况，也能填充重布线层12与封装基板10、芯片13之间的空隙，起到一定程度的加固效果，提升半导体封装结构的可靠性。对于绝缘层122的材料，本实用新型实施例不做限制，例如可以采用环氧树脂、硅胶、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃及含氟玻璃中的一种，但不限于上述材料。
44.另外，需要说明的一点是，本实用新型实施例中，可在重布线层12与芯片13之间设置有机介质层14，在有机介质层14中设置电连接结构，实现重布线层12与芯片13之间的连接。设置重布线层12的好处在于，使得整个半导体封装结构的热膨胀系数更接近于封装基板10的热膨胀系数，从而减少半导体封装结构在高低温循环下的形变量，改善封装体的warpage现象，提升封装效果，并且有机介质层14可以为柔性材料，避免重布线层12与芯片13之间的错位现象，提高重布线层12与芯片13的连接可靠性。
45.继续参考图1，本实用新型实施例中，封装基板10上表面设置有多个倒装凸点11，倒装凸点11与封装基板10中的第一金属层电连接，也即，倒装凸点11设置于封装基板10的上表面，并与第一金属层实现电性连接。重布线层12设置于倒装凸点11远离封装基板10的
一侧，即倒装凸点11设置于封装基板10与重布线层12之间，通过倒装凸点11实现封装基板10与重布线层12的电连接，重布线层12将倒装凸点11与芯片13连接，即完成封装基板10与芯片13间的电连接。对于倒装凸点11的具体形态，本实用新型实施例不做限制，本领域技术人员可根据实际情况进行设置，例如可以是焊锡凸块或导电柱凸块等，但不局限于此。此外，由于第一金属层为封装基板10内部结构，在图1所示实施例中，并未示出封装基板10中的第一金属层。
46.另外，如图1所示，封装基板10上表面的各倒装凸点11之间存在间隙，间隙之中设置有填充层111。倒装凸点11之间填充层111的存在，能够减少半导体封装结构量产过程中，倒装凸点11与重布线层12连接平面所在方向上的错位现象的发生，从而提升半导体封装结构的连接可靠性。
47.可选的，本实用新型实施例中的半导体封装结构还可包括，外部电接触件15，设置于封装基板10远离倒装凸点11的一侧，外部电接触件15可以是导线、凸块或焊球等，以实现半导体封装结构与外部的电连接。
48.本实用新型实施例提供的半导体封装结构，通过在封装基板上表面设置多个倒装凸点，多个倒装凸点连接封装基板的第一金属层，同时，设置重布线层，将倒装凸点与重布线层电连接，从而实现芯片与封装基板之间的稳定连接。另外，封装基板中的各倒装凸点之间设置填充层，填充层的存在能够减少半导体封装结构膜层间的错位现象，提高封装基板与重布线层之间的连接可靠性，从而提升半导体封装结构生产效率及良率。
49.可选的，在一个可能的实施例中，填充层111为有机物；倒装凸点11为金属材料。
50.具体地，可将各倒装凸点11设置为金属材料，通过金属材料实现重布线层12与封装基板10的电连接，金属材料导电性以及稳定性较好，将倒装凸点11设置为金属材料，能够保证电信号在封装基板10与重布线层12之间的传递效率，提高连接稳定性。当然，本实用新型实施例中不局限于使用金属材料制作倒装凸点11，也可采用合金或其他导电材料。
51.另外，本实用新型实施例中，优选将各倒装凸点之间的填充层111设置为有机物，例如可以选择聚酰亚胺(polyimide，pi)材料，或其他柔性材料。有机物的硬度较低，有机物作为填充层111能够在封装基板10与重布线层12之间起到一定的缓冲作用，减少倒装凸点11与重布线层12连接平面所在方向上的错位现象的发生，从而使半导体封装结构的力学性能得到改善。此外，由于有机物材料的热膨胀系数与封装基板10的热膨胀系数更接近，从而降低各膜层在高、低温下的形变量差距，降低半导体封装结构的warpage现象，提升封装效果。
52.图2为本实用新型实施例提供的一种半导体封装结构的局部放大截面结构示意图，如图2所示，本实用新型实施例中，第二金属层121中每相邻两层第二金属层121穿过其间隔的绝缘层122电连接；距离倒装凸点11最近的一层第二金属层121通过其与倒装凸点11间隔的绝缘层122电连接。
53.具体地，参考图2，可选的，重布线层12内，包括多层第二金属层121，任意相邻两层第二金属层121穿过其间隔的绝缘层122电连接，对于相邻金属层的电连接方式，本实用新型实施例不做限制，例如设置金属插塞、通孔、埋孔或盲孔等，但不局限于此，本领域技术人员可根据实际需求设置不同电连接结构。另外，电连接的位置也根据实际情况进行设置，可以理解，除电连接位置外，相邻第二金属层121中间仍为绝缘层122材料。设置相邻第二金属
层121通过间隔绝缘层122电连接，使得电信号能够在重布线层12内传递；并且绝缘层122的存在，也能防止相邻第二金属层121间发生意外导通。
54.另外，继续参考图2，距离倒装凸点11最近的一层第二金属层121通过二者间隔的绝缘层122电连接，即重布线层12内最靠近封装基板10的一层第二金属层121，穿过绝缘层122与倒装凸点11电连接，以实现重布线层12与封装基板10的电连接，此时电连接的方式仍可根据实际情况进行选择。倒装凸点11通过上方绝缘层122与其最近的第二金属层121电连接，使得电信号能够在重布线层12与封装基板10之间传递；并且绝缘层122的存在，也能防止相邻第二金属层121之间，或重布线层12与倒装凸点11之间，在无需连通的位置意外连通，从而保证电信号的准确传输。
55.继续参考图2，可选的，在一个可能的实施例中，第二金属层121的线宽随着第二金属层121的厚度的增加而增大；重布线层12靠近倒装凸点11一侧的绝缘层122的厚度d1大于其他绝缘层122的厚度d2。
56.具体地，本实用新型实施例中，重布线层12内第二金属层121的线宽随着第二金属层121的厚度增加而增加，也即，第二金属层121的横向尺寸随着第二金属层121的厚度的增大而增大，在重布线层12内制作各第二金属层121的工艺流程中，设置第二金属层121的横向尺寸随厚度的增加而增大，能够提高第二金属层121的稳定性，保证重布线层12内的电信号传输速率。
57.示例性的，在一个可能的实施例中，当重布线层12内的第二金属层121的厚度为2.3微米时，此第二金属层121的线宽可设置为2微米；当第二金属层121的厚度为4.3微米时，此第二金属层121的线宽可大于2微米。上述数值仅为示例，具体设置数值可根据实际需求进行设定，本实用新型实施例对此不做限制。
58.另外，重布线层12靠近倒装凸点11一侧，即重布线层12靠近封装基板10一侧的绝缘层122的厚度d1，大于重布线层12内其他绝缘层122的厚度d2。设置重布线层12最接近倒装凸点11一侧的绝缘层122厚度最大，能够进一步防止重布线层12与封装基板10上的倒装凸点11之间意外连通现象的发生，提升封装成功率以及封装结构的可靠性；除此之外，增加重布线层12与封装基板10间较厚绝缘层122的存在，也能提高封装基板10的支撑强度，从而提升半导体封装结构的稳定性。
59.示例性的，在一个可能实施例中，重布线层12内可至少包括三层第二金属层121、四层绝缘层122，此时，在封装基板10指向芯片13的方向上，可将最近的绝缘层122，即重布线层12靠近倒装凸点11一侧的绝缘层122的厚度设置为7微米，另外三层绝缘层122的厚度设置为5微米。当然，上述数值仅为示例，具体设置数值可根据实际需求进行设定，本实用新型实施例对此不做限制。
60.可选的，在一个可能的实施例中，封装基板包括：基材；基材包括芯板和设置于芯板两侧的基铜；分别设置于基材两侧的堆叠结构层；堆叠结构层包括交替设置的介质层和第一金属层；第一金属层中，每相邻两层第一金属层通过其间隔的介质层电连接；距离基铜最近的一层第一金属层通过其与基铜间隔的介质层电连接；堆叠结构层中至少一层介质层的材料为含有玻璃纤维的pp材料。
61.图3为本实用新型实施例提供的一种封装基板的局部截面结构示意图，如图3所示，本实用新型实施例中的封装基板可以包括：基材101、堆叠结构层104。其中，堆叠结构层
104设置于基材101的上、下表面，基材101可包括芯板102以及芯板102上下两表面的基铜103，基材101的两侧设置有堆叠结构层104，堆叠结构层104中设置有第一金属层106和介质层105，并且二者交替排列。以芯板102上表面一侧的堆叠结构为例，芯板102的上表面设置有一层基铜103，基铜103上表面与堆叠结构层104中的介质层105相接，介质层105上方为第一金属层106，堆叠结构层104中，设置有多层交替排列的介质层105和第一金属层106，堆叠结构层104中，距离芯板102最远的一层为介质层105，介质层105与倒装凸点相接。
62.其中，对于第一金属层106的材料，本实用新型实施例不做限制，例如可以是金、银、铝、铜或其合金，但不局限于上述材料。
63.可继续参考图3，堆叠结构层104中，每相邻两层第一金属层106通过其相邻的介质层105电连接，相邻两第一金属层106的电连接的方式不限，例如可以是在二者之间设置盲孔，但不局限于此。另外，距离基铜103最近的一层第一金属层106通过其与基铜103间隔的介质层105电连接，此时电连接的方式不限，也可以采用在二者之间设置盲孔或其他方式。
64.需要说明的，本实用新型实施例中，可设置堆叠结构层104中的至少一层介质层105的材料为含有玻璃纤维的pp材料，pp材料指聚丙烯，聚丙烯是丙烯通过加聚反应而成的聚合物。利用添加有玻璃纤维的pp材料作为介质层105，使得堆叠结构中各膜层的热膨胀系数更接近，从而使得整个半导体封装结构的热膨胀系数更接近，当温度发生变化时，封装结构中各膜层间的伸缩能够趋向一致，从而减少半导体封装结构的warpage现象，并且添加含有玻璃纤维的pp材料后介质层105强度提升，有利于减小半导体封装结构在高低温循环下的形变量，提高半导体封装结构的稳定性。
65.可选的，在一个可能的实施例中，在由堆叠结构层104指向基材101的方向上，堆叠结构层104中的第1层第一金属层106和第2层第一金属层106之间的介质层105为第一介质层107；第一介质层107的材料为含有玻璃纤维的pp材料。
66.可选的，可继续参考图3，本实用新型实施例中，在堆叠结构层104指向基材101的方向上，可将堆叠结构层104中的第1层第一金属层106和第2层第一金属层106之间的介质层105定义为第一介质层107，此时可将第一介质层107的材料设置为含有玻璃纤维的pp材。需要说明的是，上述第一介质层107可包括芯板102两侧堆叠结构层104中的对于堆叠结构中第1层第一金属层106和第2层第一金属层106之间的介质层105，也即，芯板102两侧的堆叠结构中均包括第一介质层107，封装基板中至少包括两层含有玻璃纤维的pp材形成的第一介质层107。对于其他介质层105的材料，本实用新型实施例不做限制，仅设置某一层介质层105的材料为含有玻璃纤维的pp材料，既能达到调节封装基板热膨胀系数的目的，还无需改变其他介质层105材料，不影响封装效率。另外，由于第一介质层107最接近重布线层与外部电接触件，此时使用玻璃纤维的pp材料，也能起到一定的缓冲作用，减少膜层之间的错位现象。
67.可选的，本实用新型实施例中，堆叠结构层104中可包括不同材料的介质层105，并且，可采用不同的加工工艺来形成不同材料介质层105上方的第一金属层106。
68.示例性的，图4为本实用新型实施例提供的另一种封装基板的局部截面结构示意图，需要注意的是，为对封装基板的结构进行细节展示，图4仅示出了基材101和其一侧的堆叠结构层104，基材101另一侧的堆叠结构层104与示出堆叠结构层104的结构相同。如图4所示，堆叠结构层104可包括：第一介质层107和第二介质层108；第一介质层107为含有玻璃纤
维的pp材料；第二介质层108为abf材料；第一金属层106包括：第三金属层109和第四金属层110；
69.堆叠结构层104中，贴附第一介质层107且远离基材101一侧的第一金属层106为第三金属层109，贴附第二介质层108且远离基材101一侧的第一金属层106为第四金属层110；
70.第三金属层109采用改良型半加成msap工艺形成；第四金属层110采用半加成sap工艺形成；
71.第三金属层109的厚度d3大于第四金属层110的厚度d4。
72.具体地，参考图4，堆叠结构层104可包括第一介质层107和第二介质层108，其中，第一介质层107可由含有玻璃纤维的pp材料形成，第二介质层108可用传统的味之素堆积膜(abf)材料形成。以基材101上表面一侧的堆叠结构层104为例，可在上表面一侧的堆叠结构层104中设置两层第一介质层107，其中一层第一介质层107位于堆叠结构层104最上方的两层第一金属层106之间，另一层第一介质层107位于堆叠结构层104最下方的两层第一金属层106之间，此两层第一介质层107上方的第一金属层106为第三金属层109；两层第一介质层107之间的各个第一金属层106为第四金属层110，第四金属层110中间可设置第二介质层108。图4中示例性的示出了基材101一侧的堆叠结构层104中分别设置两层第一介质层107和三层第二介质层108，实际设置方式不限于此，本领域技术人员可根据实际需求对第一介质层和第二介质层的数量进行设置。基材101下表面一侧的堆叠结构层104内部结构可与上表面一侧的堆叠结构层104内部结构对称设置。
73.通过将堆叠结构层中与基材、倒装凸点靠近的介质层的材料设置为含有玻璃纤维的pp材料，能够进一步调节封装基板的热膨胀系数，使整个半导体封装结构的热膨胀系数相近，以减小温度变化时封装结构的形变量，改善封装结构的warpage现象。除此之外，利用pp材料替换传统介质层的abf材料，也能缓解abf材料消耗较大，原材料缺少的问题。
74.另外，本实用新型实施例中采用不同的制备工艺来形成不同介质层105上方的第一金属层106，继续参考图4，贴附第一介质层107且远离基材101一侧的第一金属层106为第三金属层109，也即，第三金属层109为第一介质层107上方的第一金属层106，可采用改良型半加成msap工艺形成第三金属层109；贴附第二介质层108且远离基材101一侧的第一金属层106为第四金属层110，可采用半加成sap工艺形成第四金属层110。此时，第三金属层109的厚度d3大于第四金属层110的厚度d4。
75.可以理解，第三金属层109上一般设置有电源线和地线大铜面，连接线路较少，在形成第三金属层109时，对制备精度要求较低，因此，可以采用改良型半加成msap工艺形成第三金属层109，此时第三金属层109的厚度较大，可以提高半导体封装结构的电性能，改善电源的完整性。另外，半加成sap工艺形成的金属层信号传输效果较好，第四金属层110仍采用传统半加成sap工艺，也不会影响半导体封装结构的电信号传输效率。
76.可选的，在一个可能的实施例中，芯板102的材料为阻燃fr材料；
77.芯板102包括沿垂直于芯片13的方向延伸的第一通孔16；第一通孔16为机械通孔；基铜103贴附第一通孔16的侧边设置，第一通孔16内还设置有支撑结构17。
78.示例性的，可仍参考图4，本实用新型实施例中，芯板102的材料可以为阻燃fr材料，芯板102上包括沿垂直于芯板102的方向延伸的第一通孔16，也即，第一通孔16贯通芯板102，由于此实施例中芯板102的材料选用阻燃fr材料，此时可通过机械钻孔的方式形成第
一通孔16，即第一通孔16为机械通孔；另外，第一通孔16的侧边贴附有基铜103，也即，第一通孔16的表面贴附有一层基铜103，基铜103用于实现芯板102与堆叠结构层104之间的电连接。
79.继续参考图4，本实用新型实施例中，第一通孔16内还可设置支撑结构17，支撑结构17用于支撑芯板102，并填充第一通孔16的内径。对于支撑结构17的具体材料以及设置方式，本实用新型实施例不做限定，本领域技术人员可根据实际情况进行选择，例如可以选择有机物作为支撑结构17，有机物硬度较小，选择有机物作为支撑结构17，能够起到一定的缓冲作用，提升封装结构的力学性能。
80.可选的，在一个可能的实施例中，芯板102包括至少一层bt基板18和至少两层pp基板19；pp基板19含有玻璃纤维的pp材料；至少一层bt基板18的两侧均设置有pp基板19。
81.示例性的，图5为本实用新型实施例提供的再一种封装基板的局部截面结构示意图，如图5所示，芯板102可包括至少一层bt基板18和至少两层pp基板19，并且bt基板18的两侧均设置有pp基板19。
82.其中，bt基板18为bt树脂基板、pp基板19为含有玻璃纤维的pp材料。相比采用传统阻燃fr材料，bt基板18的热膨胀系数较低、力学性能较好，设置bt基板18能够提升封装基板的强度，减小高低温循环下封装基板的形变量；同时，在bt基板18两侧设置低热膨胀率的pp基板19，能够进一步降低封装基板的热膨胀系数，使整个半导体封装结构内各层的热膨胀系数更接近，从而改善半导体封装结构的warpage现象。除此之外，相比于阻燃fr材料形成的芯板102，由bt基板18和pp基板19形成的芯板102的厚度更薄，每层bt基板的厚度大概在200-400微米，此时，在bt基板18上设置电源线及地线大铜面，可将铜的厚度做厚，铜厚可提升约35微米，进一步改善了半导体封装结构中电源的完整性。
83.其中，对于芯板102内bt基板18具体设置的层数，本实用新型实施例不做限制，本领域技术人员可根据实际情况进行设置，图5中示例性的示出了4层bt基板18与bt基板18两侧的pp基板19。
84.另外，以bt基板18上表面一侧为例，pp基板19上方的第一金属层106可采用改良型半加成msap工艺形成，此时pp基板19上方的第一金属层106厚度增加，提升电信号传输效果；基于同样的原理，bt基板18下表面一侧的pp基板19下方的第一金属层106厚度同样较厚。
85.可选的，在一个可能的实施例中，每层bt基板18和每层pp基板19均设置有沿垂直于芯片的方向延伸的第二通孔20；第二通孔20为镭射通孔；每层bt基板18和每层pp基板19的第二通孔20均填充有基铜103。
86.具体地，可继续参考图5，若芯板102内设置有较薄的bt基板18及pp基板19，此时可通过双面镭射钻孔工艺形成第二通孔20，每层bt基板18和每层pp基板19的第二通孔20均填充有基铜103，以完成电信号的传输。
87.可以理解，机械通孔的孔径较大，导致通孔表面贴附的基铜103层较薄。而本实施例中，采用双面镭射工艺在芯板102内形成第二通孔20，第二通孔20的尺寸较小，表面贴附的基铜103较厚，有利于电信号传输时的稳定性。
88.注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的
变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。